VAPCとは 意味・読み方・使い方

A transmission power level signal Vramp is supplied to the noninversion input terminal (positive) of the amplifier 7, and the automatic power control voltage Vapc of the output of the amplifier 7 is supplied to the input of a bias circuit 24.例文帳に追加

増幅器７の非反転入力端子＋に送信パワーレベル信号Ｖrampが供給され、増幅器７の出力の自動パワー制御電圧Ｖapcがバイアス回路２４の入力に供給される。 - 特許庁

In response to an output-power-control voltage Vapc, the control part 312 controls idling current of the previous-stage amplifier 310 and next-stage amplifier 311, and then controls the gain of the previous-stage amplifier 310 and the next-stage amplifier 311.例文帳に追加

制御部312は、出力電力制御電圧Ｖapcに応答して、前段増幅器310と前記後段増幅器311のアイドリング電流を制御して前段増幅器310と前記後段増幅器311の利得を制御する。 - 特許庁

When Vapc further increases, increase of Vbase_bias is saturated and V_LVDO monotonously increases, and PN junction between the base and collector of Q1 is biased in the backward direction and the transistor Q1 conducts the RF power amplifying operation with a large amplification factor.例文帳に追加

Ｖａｐｃが更に増加するとＶｂａｓｅ＿ｂｉａｓの増加が飽和する一方、Ｖ_ＬＶＤＯは単調に増加してＱ１のベース・コレクタ間ＰＮ接合は逆方向バイアスされ、Ｑ１は大きな増幅率でのＲＦ電力増幅動作を行う。 - 特許庁

For example, the gain of an NMOS transistor Q5 for amplification is controlled by a bias voltage Vg reflected with a bias control voltage Vapc and further, a threshold voltage correcting circuit VTHCPS1 compensates for threshold voltage fluctuation due to manufacturing variations of the Q5.例文帳に追加

例えば、増幅用のＮＭＯＳトランジスタＱ５のゲインを、バイアス制御電圧Ｖａｐｃを反映したバイアス電圧Ｖｇで制御し、更に、このＱ５の製造ばらつきに伴うしきい値電圧変動をしきい値電圧補正回路ＶＴＨＣＰＳ１で補償する。 - 特許庁

A reference voltage VLM is supplied to the noninversion input (positive) of a differential amplifier 9, the automatic power control voltage Vapc is supplied to the inversion inputting (negative) of the differential amplifier 9, and the output voltage of the amplifier 9 is supplied to the noninversion inputting (positive) of the amplifier 7.例文帳に追加

差動増幅器９の非反転入力＋に基準電圧Ｖ_LMが供給され、差動増幅器９の反転入力−に自動パワー制御電圧Ｖapcが供給され、増幅器９の出力電圧が増幅器７の非反転入力＋に供給される。 - 特許庁

For increase of Vbase_bias, and V_LVDO due to control of Vapc, a base-to-collector voltage of a transistor Q1 in the final stage is set lower than turn-on voltage in the forward direction of an equivalent diode D1 of the PN junction between the base and collector.例文帳に追加

Ｖａｐｃの制御によるＶｂａｓｅ＿ｂｉａｓ、Ｖ_ＬＶＤＯの増大に際して、最終段トランジスタＱ１のベース・コレクタ間電圧がベース・コレクタ間ＰＮ接合の等価的ダイオードＤ１の順方向ターンオン電圧よりも低く設定されている。 - 特許庁

In response to the output-power-control voltage Vapc, the idling current and gain of the previous-stage amplifier 310 are continuously changed according to a first continuous function 2ndAmp, whereas those of the next-stage amplifier 311 are continuously changed according to a second continuous function 3rdAmp.例文帳に追加

出力電力制御電圧Ｖapcに応答して、前段増幅器310のアイドリング電流と利得とは第１の連続関数2ndAmpに従って連続的に変化して、後段増幅器311のアイドリング電流と利得とは第２の連続関数3rdAmpに従って連続的に変化する。 - 特許庁

For example, a gate bias circuit is provided for setting the change of the gate voltage Vg supplied to a control terminal corresponding to Vapc to be great in the area lower than the threshold voltage Vth of the respective MOSFET, to be small near the Vth and to be a gate voltage, with which desired characteristics can be provided, in the area of the high voltage from the area close to the Vth.例文帳に追加

例えば、Ｖapc に対する制御端子に供給されるゲート電圧Ｖg の変化を、ゲート電圧Ｖg が各ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖthより低い領域では大きく、Ｖth近傍では小さく、更にＶth近傍からＶapc 電圧の高い領域では、所望の特性が得られるゲート電圧になるように設定するゲートバイアス回路が設けられている。 - 特許庁