antimony typeとは 意味・読み方・使い方

This optical recording medium 1 has an antimony-tellurium phase-change type recording layer 4 containing antimony as a principal component element; and an additional element, in which a difference between electronegativity thereof and that of tellurium is 0.5 or more, is added to the recording medium 4.例文帳に追加

Ｓｂを主成分元素として含有するＳｂＴｅ系相変化型の記録層４を有する光記録媒体１であって、記録層４は、Ｔｅとの電気陰性度の差が０．５以上の添加元素が添加されている。 - 特許庁

To provide, especially, an n-type zinc antimony-based compound thermoelectric semiconductor with respect to a thermoelectric semiconductor material which directly transduces heat into electric power.例文帳に追加

熱から電力に直接変換する熱電半導体材料に関し、特に、ｎ型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体を提供する。 - 特許庁

To obtain zinc oxide varistor which is free from antimony oxide and nevertheless exhibits excellent electric characteristics although the addition of antimony oxide, a toxic material, has been heretofore essential to give excellent surge absorption characteristics to bismuth oxide-containing type zinc oxide varistor.例文帳に追加

酸化ビスマス含有系酸化亜鉛バリスタは優れたサージ吸収特性をもつためには酸化アンチモンの添加が必要不可欠であったが、酸化アンチモンは毒性を有し、この酸化アンチモンを含有しない、電気特性の優れた酸化亜鉛バリスタを得ること。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode provided in contact with the front surface of a conductive boron phosphide semiconductor layer having p-type conductivity (p-type boron phosphide semiconductor layer) is composed of lanthanum-iron-antimony (La-Fe-Sb) alloy layer.例文帳に追加

ｐ形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層（ｐ形リン化硼素半導体層）の表面に接触させて設けるｐ形オーミック電極をランタン・鉄・アンチモン（Ｌａ・Ｆｅ・Ｓｂ）合金層から構成する。 - 特許庁

The inorganic material is defined as zinc oxide or titanium oxide made into the N-type semiconductor by doping material such as gallium, aluminum, tin or antimony.例文帳に追加

また前記無機材料はガリウム、アルミニウム、すずあるいはアンチモン等のドーピング材によりＮ型半導体化された酸化亜鉛または酸化チタンとした。 - 特許庁

A solid photovoltaic device comprises three inorganic solid materials which are a transparent n-type semiconductor compound 1, a transparent p-type semiconductor compound 3 and an absorber compound 2 arranged between the transparent n-type semiconductor compound and the transparent p-type semiconductor compound, and the absorber compound is the compound of antimony and tin comprising tin antimony sulfide.例文帳に追加

透明なｎ型半導体化合物１と、透明なｐ型半導体化合物３と、透明なｎ型半導体化合物と、透明なｐ型半導体化合物との間に配置された吸収体化合物２とをそれぞれ備える３つの無機固体材料を有する固体型光電池デバイスにおいて、前記吸収化合物は、硫化スズアンチモンからなるアンチモンとスズの化合物である固体型光電池デバイス。 - 特許庁

A high concentration N type layer 3 is formed on the surface side of a silicon substrate 1 by implanting arsenic (or antimony) ions, and an epitaxial layer 4 is formed on the high concentration N type layer 3 by epitaxial growth.例文帳に追加

シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。 - 特許庁

In a compound semiconductor epitaxial crystal, a plurality of epitaxial layers containing a p-type conduction layer principally comprising C added InGaAs as p-type impurities are formed in layers on a compound semiconductor substrate, and the p-type conduction layer contains antimony by 0.5-10 mol%.例文帳に追加

化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 - 特許庁