autodopingとは 意味・読み方・使い方

Thereby, even when the autodoping amount is changed, the amount of change remains within the allowable change range of the profile of the inclined impurity concentration, and the characteristics of a semiconductor device using this silicon epitaxial wafer become almost free from the influence of the autodoping phenomenon.例文帳に追加

これにより、オートドーピング量が変化しても、その量は傾斜した不純物濃度プロファイルの許容変化範囲に納まるようになり、このシリコンエピタキシャルウェーハを用いた半導体装置の特性が、オートドーピング現象の影響をほとんど受けなくなる。 - 特許庁

That is to say, the profile of the impurity concentration in the transition zone is previously set so that the impurity concentration becomes sufficiently higher than the expected autodoping amount.例文帳に追加

つまり、予想されるオートドーピング量よりも不純物濃度が十分高くなるように、遷移領域の不純物濃度プロファイルを予め設定する。 - 特許庁

To provide a susceptor capable of suppressing the occurrence of an autodoping phenomenon and securing the reliability of an epitaxial wafer when manufacturing the epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できかつ、エピタキシャルウェーハの信頼性を確保できるサセプタを提供すること。 - 特許庁

The inclination amount in the profile of the impurity concentration in the transition zone is consciously shifted to the high concentration side by positively supplying a gaseous dopant in a concentration sufficient to obtain an impurity concentration higher than an autodoping amount to the transition zone so that the profile of the impurity concentration in the transition zone liable to be affected by the autodoping phenomenon is maintained constant.例文帳に追加

オートドーピング現象の影響を受け易い遷移領域における不純物濃度プロファイルを一定に保つために、オートドーピング量よりも高い不純物濃度が得られる濃度のドーパントガスを遷移領域に敢えて供給し、遷移領域の不純物濃度プロファイルの傾斜量を意識的に高濃度側にシフトさせる。 - 特許庁

To provide a susceptor for epitaxial growth which can equalize the thickness of an epitaxial film, prevent autodoping, improve nanotopography on a surface of a wafer, equalize the concentration of dopant, and prevent the occurrence of slip.例文帳に追加

エピタキシャル膜の膜厚を均一化、オートドープの阻止、ウェーハ表面のナノトポグラフィの改善、ドーパント濃度の均一化、スリップ発生の防止ができるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which can form a semiconductor wafer or a semiconductor device having a high reliability and good characteristics while suppressing autodoping of wafer impurity into an epitaxial layer without causing irregularity in characteristics.例文帳に追加

ウェーハ不純物のエピタキシャル層へのオートドーピングを抑え、特性のばらつきを生じることなく、信頼性の高い、良好な特性を有する半導体ウェーハ、半導体装置を形成することが可能な半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stress-free epitaxially-coated semiconductor wafer that has an excellent edge roll-off value and excellent local flatness while simultaneously avoiding the undesirable crystal defects, back-surface halo, autodoping, and nanotopography action.例文帳に追加

良好なエッジロールオフ値および良好な局所的平坦度を有すると同時に、望ましくない結晶欠陥、背面のハロ、オートドーピングおよびナノトポグラフィ作用を回避した、応力フリーのエピタキシャルコーディング半導体ウェハを提供すること。 - 特許庁