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base surgeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ベースサージ
「base surge」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
With this structure, the variation in base width of unit thyristors becomes less, so that the unit thyristor regions are easy to fire simultaneously for easy splitting the surge current, resulting in improved surge withstand strength.例文帳に追加
この構造によって、各単位サイリスタのベース幅のばらつきが小さくなり、各単位サイリスタ領域が同時に点弧動作し易くサージ電流が分流され易いために、サージ耐量を向上させることが出来る。 - 特許庁
By forming a notch (lightning-surge discharge path) 4 on the base 3 for circuit mounting, the lightning surge is easier to allow escape through a power line, when the lightning stroke occurs via the body of the chassis.例文帳に追加
回路取付用ベース3に切欠き(雷サージ放電経路)4を設けると、シャーシ本体を経由し落雷した際に雷サージを電源配線を介し逃がし易くなる。 - 特許庁
A notch (lightning-surge discharge path) 4 is formed on a base 3 for circuit mounting, to ensure discharging path at lightning strike.例文帳に追加
落雷時の放電経路確保のため、回路取付用ベース3に切り欠き(雷サージ放電経路)4を設る。 - 特許庁
To prevent the air bulge and surge of an adhered card base material due to gas to be generated in hardening adhesive, and to improve smoothness and printing performance.例文帳に追加
接着剤硬化時に発生するガスによる貼り合わせたカード基材の空気ふくれ、うねりを防止し、平滑性、印字性の向上が可能である。 - 特許庁
To easily carry out a common mode lightning surge current suppression without interrupting the service for the mobile communication base stations.例文帳に追加
移動体通信基地局などのサービスを中断することなしに、コモンモード雷サージ電流の抑制対策が容易に行えるようにすること。 - 特許庁
To provide a base station equipment capable of preventing burning out by detecting an abnormality of a lightning surge protection circuit.例文帳に追加
雷サージ保護回路の異常を検知し焼損事故を未然に防ぐことができる基地局装置を提供する。 - 特許庁
Also, the potential of the base is stabilized, so that, the transistors 10-12 of the protective circuit 7 are surely turned ON when a surge current is generated, thus the protective circuit 7 absorbs the surge current to flow to the GND.例文帳に追加
また、ベースの電位を安定させられることにより、サージ電流が発生したときに確実に保護回路7のトランジスタ10〜12をONさせられるため、保護回路7にてサージ電流を吸収してGNDに流れさせることが可能となる。 - 特許庁
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「base surge」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
In the corresponding deep N+ type region 14, a P+ type base region 26 for absorbing the surge is formed along the deep N+ type region 14 on the opposite side to a P+ type base region 17, and a ground electrode 27 is formed on the corresponding P+ base region.例文帳に追加
当該ディープN+型領域14においてP+型ベース領域17とは反対側にディープN+型領域14に沿ってサージ吸収用のP+型ベース領域26が形成され、当該P+型ベース領域上にグランド電極27が形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for which the potential difference between a drain electrode and a source electrode is enlarged, to discharge a surge current flowing in through the drain electrode effectively out of the source electrode and base electrodes.例文帳に追加
ドレイン電極とソース電極の間の電位差を拡大することにより、ドレイン電極から流入したサージ電流をより効率よくソース電極および基板電極から放出する半導体装置を提供する。 - 特許庁
On the flexible base plate 4, a resistance 6 and a surge suppressor diode 7 are arranged, and a plurality of LEDs 8 are arranged in one row.例文帳に追加
フレキシブル基板4上には、抵抗6、サージサプレッサダイオード7が配置されているとともに、複数個のLED8が一列に配置されている。 - 特許庁
Because of such the structure, when negative ESD surge is applied to a pad for a base electrode, the pn junction areas 21 and 22 are broken down to protect the npn transistor 1.例文帳に追加
この構造により、ベース電極用のパッドに負のESDサージが印加された際、PN接合領域21、22がブレークダウンし、NPNトランジスタ1を保護することができる。 - 特許庁
To provide a high-performance semiconductor apparatus, which can be easily introduced to a MOS process, can reduce leak current between an emitter and a base (field intensity), and is hardly affected by noise or surge voltage, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
MOSプロセスへの導入が容易で、エミッタ−ベース間のリーク電流(電界強度)を低減し、ノイズやサージ電圧の影響を受けにくい高性能な半導体装置とその製造方法の提供。 - 特許庁
The alumina base plates 1, 3 have non-forming parts M of conductive films, the sum of its width d1 and film thickness d2 of a conductive glass layer 7 for connecting cap electrodes 8A, 8B functions as a discharge gap to absorb surge.例文帳に追加
アルミナ基板1,3には導電性皮膜の非形成部Mが設けられており、この幅d_1と、キャップ電極8A,8B接合用の導電性ガラス層7の膜厚d_2との和dが放電間隙として機能し、サージを吸収する。 - 特許庁
By forming such a structure, a path of a surge current is set to n-type drift layer 2 → p-type layer 3a → p-type base region 3a → body p-type layer 5.例文帳に追加
このような構造とすることで、サージ電流の経路をn型ドリフト層2→p型層3a→p型ベース領域3a→ボディp型層5とすることが可能となる。 - 特許庁
In this chip type surge absorber 10, a conductive film 2 is formed on an alumina base plate 1, a conductive film 5 is formed on an alumina base plate 3 at the lower surface of a groove 4, cap electrodes 8A, 8B are attached to both side of chip-element 6 formed by internally combining the plates 1 with plate 3.例文帳に追加
導電性皮膜2が形成されたアルミナ基板1と、溝4が形成され、この溝4の底面に導電性皮膜5が形成されたアルミナ基板3とを接合一体化したチップ状素体6の両端面にキャップ電極8A,8Bを装着したチップ型サージアブソーバ10。 - 特許庁
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