bonding electronとは 意味・読み方・使い方

Then, the molybdenum cathode and the sealing metal are connected and heated by a laser or an electron beam or the like for bonding.例文帳に追加

しかる後、モリブデンカソードと封着金属をつき合わせレーザー、電子ビームなどで加熱、接合する。 - 特許庁

A conductive thin film of the electron emission element on an electron source substrate 83 is composed of a particulate film of Sp^3-bonding boron nitride, or a thin film in which a fine projection shape is provided on the front surface of Sp^3-bonding boron nitride, and provided with extremely superior electron emission characteristics.例文帳に追加

電子源基板８３上の電子放出素子の導電性薄膜は、Ｓｐ^３結合性窒化ホウ素の微粒子膜、もしくは、Ｓｐ^３結合性窒化ホウ素の表面が微小突起形状を有する薄膜からなり、極めて良好な電子放出特性を持つ。 - 特許庁

To provide a method of bonding CNTs employed for an electron emission source of a field emission light to a cathode.例文帳に追加

本発明は、電界放出型ライトの電子放出源に使用するＣＮＴをカソードに接着する方法に関する。 - 特許庁

Inn the target molecule operating or bonding method, either one of or both of the electron donor molecule and electron acceptor molecule of the charge transfer complex are bonded to the same target molecule or different target molecules to allow gravitation to act across the electron donor molecule and electron acceptor molecule.例文帳に追加

標的分子の操作又は接着方法は、電荷移動錯体の電子供与体分子及び電子受容体分子のいずれか一方、又は両方を同一又は異なる標的分子に結合させ、電子供与体分子と電子受容体分子との間に引力を作用させることを含む。 - 特許庁

To provide a field emission type electron source device that accurately performs positioning and bonding of a semiconductor substrate including a trimming electrode and an electron source array in the field emission type electron source device, and also to provide a manufacturing method for such a device.例文帳に追加

電界放出型電子源装置におけるトリミング電極と電子源アレイを含む半導体基板を高精度に位置決め接合することができる電界放出型電子源装置およびその製造方法を提供する - 特許庁

In a compound (type 2), the one-electron oxidized derivative produced by one electron oxidation of the compound is capable of releasing one or more electrons after a subsequent bonding reaction.例文帳に追加

(タイプ２)１電子酸化されて生成する１電子酸化体が、引き続く結合形成反応を経た後に、さらに１電子もしくはそれ以上の電子を放出し得る化合物。 - 特許庁

In a bonding structure of a carbon utilization electron emission material to a base plate, a carbon nanotube 2 and a base plate 3 are subjected to solid solution bonding by a carbide TiC_5 formed between the carbon nanotube 2 as a carbon utilization electron emission material and the base plate 3.例文帳に追加

炭素利用型電子放出材としてのカーボンナノチューブ２と基板３との間に形成した炭化物であるＴｉＣ５により、カーボンナノチューブ２と基板３とを固溶接合したことを特徴とする、基板への炭素利用型電子放出材の接合構造である。 - 特許庁

An electron source, in which, after the carbon nanotube is fitted to the central part of the tip of the conductive substrate through a conductive bonding material or an organic material, the carbon nanotube is jointed by ohmic contact by carrying out carbonization treatment of the organic material by heat treatment or diffusion bonding, is applied to the electron microscope and the electron beam lithography device.例文帳に追加

導電性基材の先端中央部に、導電性接合材料を介するか、あるいは有機材料を介してカーボンナノチューブを取付けた後、熱処理により該有機材料を炭化処理するか、または拡散接合によりカーボンナノチューブをオーミックコンタクト接合した電子源を電子顕微鏡，電子線描画装置に適用する。 - 特許庁