boron 11とは 意味・読み方・使い方

A vapor deposition source of magnesium, a vapor deposition source of boron and a substrate 11 are arranged in a reaction chamber 2, and magnesium and boron are simultaneously evaporated in the reaction chamber 2 to form magnesium diboride on the substrate 11.例文帳に追加

マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板１１とを反応室２内に配置し、反応室２内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、基板１１上に二ホウ化マグネシウムを形成する。 - 特許庁

By heating the semiconductor substrate 11 to reactivate boron, borons in the two diffusion layers are relocated.例文帳に追加

半導体基板１１を加熱して、ボロンを再活性化させることにより、２つの拡散層のボロンを再配置させる。 - 特許庁

Therefore, it is possible to remove 11 boron from the ion injection face prior to the lamination with a wafer 20 for a supporting substrate.例文帳に追加

よって、支持基板用ウェーハ２０との貼り合わせ前にイオン注入面から１１ボロンを除去することができる。 - 特許庁

A high concentration boron-silicon layer 21 and a low concentration boron-silicon layer 22 are formed under the silicon insulating film 11 of an SOI substrate for producing a stencil mask and wet etching is carried out with an alkali solution such as a KOH solution.例文帳に追加

ステンシルマスク作製用のＳＯＩ基板のシリコン絶縁膜１１の下に高濃度ボロンシリコン層２１、低濃度ボロンシリコン層２２を構成して、ＫＯＨ溶液等のアルカリ溶液でウエットエッチングする。 - 特許庁

A cluster ion beam 20 containing boron and germanium is radiated onto the silicon substrate 1 at a bottom part of the contact hole 10, and a silicon layer 11 containing the boron and germanium is formed in the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１０の底部にあるシリコン基板１に、ホウ素とゲルマニウムを含むクラスターイオンビーム２０を照射して、シリコン基板１中にホウ素とゲルマニウムとを含むシリコン層１１を形成する。 - 特許庁

In the electron-emitting element 10, a boron nitride material 13 is used as the electron discharge material, and as a substrate 11 to form the boron nitride material, a metal material or a semiconductor material has been used.例文帳に追加

本発明の電子放出素子１０では、電子放出材料として窒化ホウ素材料１３を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板１１として、金属材料または半導体材料を用いた。 - 特許庁

To provide an SiC material that includes a boron-11("11 B") isotope, and a precursor and a method for forming the SiC material, and the SiC material.例文帳に追加

原子力用途のためのホウ素−１１（“１１Ｂ”）同位体を含むＳｉＣ材料、並びに前駆体及びＳｉＣ材料の形成方法、及びＳｉＣ材料の提供。 - 特許庁

In succession, impurity element (e.g. boron) is implanted into the silicon substrate 11 through the opening.例文帳に追加

続いて、イオン注入方法にて、不純物元素（例えばホウ素）をエッチングにて開口した部分のシリコン基板１１に注入する。 - 特許庁