bulk polycrystallineとは 意味・読み方・使い方

By the invention, even in an upper part of the ingot where solar cell properties deteriorate usually, solar cell properties do not deteriorate and the utilization yield of the Si bulk polycrystalline ingot can be increased.例文帳に追加

キャスト成長法を用いたＳｉバルク多結晶のインゴットの成長初期の段階に形成されるインゴット底部近傍のランダム粒界の割合が、全ての結晶粒界の30％以下になるよう作製される。 - 特許庁

Flowable chips are a polycrystalline silicon piece group which comprises polycrystalline silicon pieces prepared by a chemical vapor deposition process and having bulk impurities at a level not exceeding 0.03 ppma and surface impurities at a level not exceeding 15 ppba, and which moreover has a controlled particle size distribution and generally has nonspherical morphology.例文帳に追加

本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a partial SOI wafer that suppresses occurrence of a defect in a region of an embedded oxide film when converting amorphous or polycrystalline silicon under deposition in a hole part reaching a bulk layer from an active layer to a single crystal.例文帳に追加

活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this square silica vessel for manufacturing a polycrystalline silicon ingot by solidifying silicon melt, which is constituted by combining parallel planar porous silica plates comprising porous silica, a mold release accelerator for accelerating mold release of the polycrystalline silicon ingot is included in at least a part of an inside surface part, and a bulk density of the porous silica plates is lower at an inner part than surface parts of both parallel planes.例文帳に追加

シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、内側表面部分の少なくとも一部に前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 - 特許庁

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less.例文帳に追加

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。 - 特許庁

The invention presents an internal therapeutic product comprising (i) an anti-cancer component selected from one or both of a radionucleotide and a cytotoxic drug and (ii) a silicon component selected from one or more of resorbable silicon, biocompatible silicon, bioactive silicon, porous silicon, polycrystalline silicon, amorphous silicon and bulk crystalline silicon.例文帳に追加

(i)放射性ヌクレオチド、細胞毒性薬物の1つまたは双方から選ばれた抗癌成分；および(ii) 吸収性シリコン、生体適合性シリコン、バイオ活性シリコン、多孔質シリコン、多結晶質シリコン、非晶質シリコン、および体積結晶質シリコンの1種以上から選ばれたシリコン成分を含む内部治療用製品を提供する。 - 特許庁