cap type electrodeとは 意味・読み方・使い方

In the sealed type battery in which an electrode pin 4 is fixed via an insulating member 7 having a through hole inside to an open hole part provided at a cap 2 and in which the cap 2 is joined to a battery can 1, the electrode pin 4 is composed of a shape memory alloy.例文帳に追加

蓋２に設けた開孔部に、内部に貫通孔を有する絶縁性部材７を介して電極ピン４を固着し、蓋２を電池缶１に接合した密閉型電池において、電極ピン４が形状記憶合金からなる。 - 特許庁

A sealed type battery has a power generation element 1 composed of a positive electrode, a negative electrode and a separator, an electrolyzer 2 receiving this power generation element 1 and an electrode pillar 4 that penetrates a terminal cap 3 of electrolyzer 2 and that is fixed and that has a part to protrude from the terminal cap 3 to outside as screw part 4A.例文帳に追加

密閉蓄電池は、正極と負極とセパレーターからなる発電要素１と、この発電要素１と電解液を収納している電槽２と、電槽２の端子蓋３を貫通してこれに固定されると共に、端子蓋３から外部に突出する部分をネジ部４Ａとしてなる極柱４とを備える。 - 特許庁

The capacitance type pressure sensor is provided with a diaphragm body 2 having a substrate electrode 24 and a diaphragm part 26, and a seal cap body 3 having a detection electrode 31 wherein the diaphragm body 2 comprises an SOI laminate 21.例文帳に追加

基板電極２４及びダイヤフラム部２６を有するダイヤフラム体２と、検出電極３１を有するシールキャップ体３と、を具備する静電容量型圧力センサ１において、ダイヤフラム体２は、ＳＯＩ積層体２１からなる。 - 特許庁

A Ti/Pt/Au multilayered material film is formed as a P-side electrode 59 extending over the P-type clad layer 55 and bestriding the P-type cap layer 57.例文帳に追加

ｐ側電極５９として、ｐ型クラッド層５５上からｐ型キャップ層５７上を延在し、次いでｐ型クラッド層５５上に達するｐ型キャップ層５７を跨がった形状のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層金属膜が形成されている。 - 特許庁

The layer 30 also has a heavily doped n-type Si body area 22, n--type Si area 23, SiGe channel area 24 containing an n-type impurity at a low concentration, lightly doped n-type Si cap layer 25, and contact 26 which is a conductor member connecting a gate electrode 17 to the Si body area 22.例文帳に追加

また、高濃度のｎ型Ｓｉボディ領域２２と、ｎ^- Ｓｉ領域２３と、低濃度のｎ型不純物を含むＳｉＧｅチャネル領域２４と、低濃度のｎ型Ｓｉキャップ層２５と、ゲート電極１７とＳｉボディ領域２２とを電気的に接続する導体部材であるコンタクト２６とが設けられている。 - 特許庁

Movement of an element between the LED chip 2 and the cap 52 is controlled and reaction between a metal element within the LED chip 2 (a metal element included in a p-type electrode 25 and a heat conductive bonding agent 33), and sulfur or halogen element within the cap 52 is avoided.例文帳に追加

ＬＥＤチップ２とキャップ５２との間での元素の移動が抑制され、ＬＥＤチップ２内の金属元素（ｐ型電極２５および熱伝導性接着剤３３に含まれる金属元素）とキャップ５２内の硫黄またはハロゲン元素との反応が回避される。 - 特許庁

In the coin type cell 1, an annular gasket 15 is made of a material consisting principally of butyl rubber, and the inner diameter (D1) of the gasket 15 is set a little smaller than the outer diameter (L1) of a negative electrode cap 10.例文帳に追加

コイン型セル１において、環状ガスケット１５をブチルゴムを主体とする素材で作製し、ガスケット１５の内径（Ｄ１）を、負極キャップ１０の外径（Ｌ１）よりも若干小さく設定する。 - 特許庁

An FET 101 comprises: a compound semiconductor substrate 1; a semiconductor stacked structure 10 that is formed on the compound semiconductor substrate 1 and includes a channel layer 5 in which n-type carriers are accumulated, a Schottky layer 8, and a cap layer 9 in that order when viewed from the substrate side; a gate electrode 20; a source electrode 21; and a drain electrode 22.例文帳に追加

ＦＥＴ１０１は、化合物半導体基板１と、化合物半導体基板１上に形成され、当該基板側から見て、ｎ型キャリアが蓄積するチャネル層５、ショットキー層８、及びキャップ層９を順次含む半導体積層構造１０と、ゲート電極２０、ソース電極２１、及びドレイン電極２２とを備えている。 - 特許庁