「cap type electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

CAP TYPE ELECTRODE STRUCTURE FOR STIMULATING SCALP WITH WEAK ELECTRIC CURRENT, AND HAIR-RESTORING AND HAIR FALLING-PREVENTING APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

微弱電流による頭皮刺戟用帽子式電極構造とそれを用いた育毛及び脱毛防止器具 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

In the sealed type battery in which an electrode pin 4 is fixed via an insulating member 7 having a through hole inside to an open hole part provided at a cap 2 and in which the cap 2 is joined to a battery can 1, the electrode pin 4 is composed of a shape memory alloy.例文帳に追加

蓋２に設けた開孔部に、内部に貫通孔を有する絶縁性部材７を介して電極ピン４を固着し、蓋２を電池缶１に接合した密閉型電池において、電極ピン４が形状記憶合金からなる。 - 特許庁

A sealed type battery has a power generation element 1 composed of a positive electrode, a negative electrode and a separator, an electrolyzer 2 receiving this power generation element 1 and an electrode pillar 4 that penetrates a terminal cap 3 of electrolyzer 2 and that is fixed and that has a part to protrude from the terminal cap 3 to outside as screw part 4A.例文帳に追加

密閉蓄電池は、正極と負極とセパレーターからなる発電要素１と、この発電要素１と電解液を収納している電槽２と、電槽２の端子蓋３を貫通してこれに固定されると共に、端子蓋３から外部に突出する部分をネジ部４Ａとしてなる極柱４とを備える。 - 特許庁

The capacitance type pressure sensor is provided with a diaphragm body 2 having a substrate electrode 24 and a diaphragm part 26, and a seal cap body 3 having a detection electrode 31 wherein the diaphragm body 2 comprises an SOI laminate 21.例文帳に追加

基板電極２４及びダイヤフラム部２６を有するダイヤフラム体２と、検出電極３１を有するシールキャップ体３と、を具備する静電容量型圧力センサ１において、ダイヤフラム体２は、ＳＯＩ積層体２１からなる。 - 特許庁

A Ti/Pt/Au multilayered material film is formed as a P-side electrode 59 extending over the P-type clad layer 55 and bestriding the P-type cap layer 57.例文帳に追加

ｐ側電極５９として、ｐ型クラッド層５５上からｐ型キャップ層５７上を延在し、次いでｐ型クラッド層５５上に達するｐ型キャップ層５７を跨がった形状のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層金属膜が形成されている。 - 特許庁

The layer 30 also has a heavily doped n-type Si body area 22, n--type Si area 23, SiGe channel area 24 containing an n-type impurity at a low concentration, lightly doped n-type Si cap layer 25, and contact 26 which is a conductor member connecting a gate electrode 17 to the Si body area 22.例文帳に追加

また、高濃度のｎ型Ｓｉボディ領域２２と、ｎ^- Ｓｉ領域２３と、低濃度のｎ型不純物を含むＳｉＧｅチャネル領域２４と、低濃度のｎ型Ｓｉキャップ層２５と、ゲート電極１７とＳｉボディ領域２２とを電気的に接続する導体部材であるコンタクト２６とが設けられている。 - 特許庁

Movement of an element between the LED chip 2 and the cap 52 is controlled and reaction between a metal element within the LED chip 2 (a metal element included in a p-type electrode 25 and a heat conductive bonding agent 33), and sulfur or halogen element within the cap 52 is avoided.例文帳に追加

ＬＥＤチップ２とキャップ５２との間での元素の移動が抑制され、ＬＥＤチップ２内の金属元素（ｐ型電極２５および熱伝導性接着剤３３に含まれる金属元素）とキャップ５２内の硫黄またはハロゲン元素との反応が回避される。 - 特許庁

In the coin type cell 1, an annular gasket 15 is made of a material consisting principally of butyl rubber, and the inner diameter (D1) of the gasket 15 is set a little smaller than the outer diameter (L1) of a negative electrode cap 10.例文帳に追加

コイン型セル１において、環状ガスケット１５をブチルゴムを主体とする素材で作製し、ガスケット１５の内径（Ｄ１）を、負極キャップ１０の外径（Ｌ１）よりも若干小さく設定する。 - 特許庁

An FET 101 comprises: a compound semiconductor substrate 1; a semiconductor stacked structure 10 that is formed on the compound semiconductor substrate 1 and includes a channel layer 5 in which n-type carriers are accumulated, a Schottky layer 8, and a cap layer 9 in that order when viewed from the substrate side; a gate electrode 20; a source electrode 21; and a drain electrode 22.例文帳に追加

ＦＥＴ１０１は、化合物半導体基板１と、化合物半導体基板１上に形成され、当該基板側から見て、ｎ型キャリアが蓄積するチャネル層５、ショットキー層８、及びキャップ層９を順次含む半導体積層構造１０と、ゲート電極２０、ソース電極２１、及びドレイン電極２２とを備えている。 - 特許庁

A heterojunction field effect semiconductor device includes an electron traveling layer 31; first and second electron supply layers 32, 33; a cap layer 34; a source electrode 8; a drain electrode 9; a gate electrode 10; an insulation film 11 made of a silicon oxide; and a p-type metal oxide semiconductor film 12.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層３１と、第１及び第２の電子供給層３２，３３と、キャップ層３４と、ソース電極８と、ドレイン電極９と、ゲート電極１０と、シリコン酸化物から成る絶縁膜１１と、ｐ型金属酸化物半導体膜１２とを有している。 - 特許庁

A laser chip 21 comprises a clad layer 23, an active layer 24, a clad layers 25 and a cap layer 26 or laminated on an n-type GaAs substrate 22, a top electrode 29 formed thereon via a strip-like perforated insulation film 27 and a bottom electrode 30 on the bottom surface.例文帳に追加

レーザチップ２１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２２上にクラッド層２３，活性層２４，クラッド相２５，キャップ層２６を順次積層形成し、この上にストライプ状に開口した絶縁膜２７を介して上部電極２９を形成すると共に、下面に下部電極３０を形成する。 - 特許庁

The transistor comprises substrate; a first high-k dielectric layer 1 on the substrate; a first dielectric cap layer 2 on the first high-k dielectric layer 1; and a first gate electrode on the first dielectric cap layer 2 and consisting of a first conductive type semiconductor material 3 at a first doping level.例文帳に追加

トランジスタは、基板、基板上の第１ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層１、第１ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層１上の第１誘電体キャップ層２、および第１誘電体キャップ層２上の、第１ドーピングレベルで第１導電型の半導体材料３からなる第１ゲート電極とを含む。 - 特許庁

A cap-type electrode 12 detects electroencephalograms at a plurality of parts on the surface of the head of the trainee, and a topography generating section 26 generates an electroencephalographic topography showing a power spectral density distribution of each frequency band of the electroencephalogram.例文帳に追加

キャップ型電極１２によって、訓練対象者の頭部表面の複数部位における脳波を検出し、トポグラフィ生成部２６によって、脳波の各周波数帯域のパワースペクトル密度の分布を示す脳波トポグラフィを生成する。 - 特許庁

To minimize electrode connection failure by improving a bad surface condition of a current breaking layer due to a ridge structure, so that crystallinity and a surface condition of a second conductive type cap layer are improved, in a method for manufacturing a semiconductor laser element.例文帳に追加

本発明は、リッジ構造による電流遮断層の不良な表面状態を改善することにより第2導電型キャップ層の結晶性及び表面状態を向上させ、電極接合不良を最少化する。 - 特許庁

To provide an electrostatic atomization device which has a cap type tightly closed frame body covering a Peltier unit provided to produce dew condensation water for atomizing on a discharge electrode to water-proof a circuit part and has high reliability with a short assembling time.例文帳に追加

放電電極上に霧化用の結露水を生成させるために備えてあるペルチェユニットにキャップ型の密閉枠体を被せて回路部分の防水を図った静電霧化装置を、短い組立時間により且つ高信頼性を有するものとして提供する。 - 特許庁

The exposure of surroundings of the channels 16a, 17a is prevented by forming the drain electrode 16 and the source electrode 17 in a shape to overhang the surface of the undoped gallium arsenide (GaAs) layer 15a as a cap layer, and the effect can be reduced that the variation of surface level at this position gives to the n-type gallium arsenide (GaAs) layer 13.例文帳に追加

また、ドレイン電極１６及びソース電極１７を、キャップ層としてのアンドープガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１５ａの表面に張り出すような形状に形成して、溝１６ａ及び１７ａの周縁部の露出を防ぎ、この部位における表面準位の変動がチャネル層としてのｎ型ガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１３に及ぼす影響を減らす。 - 特許庁

Especially, the chip type temperature fuse 10 is structured by installing a low-melting-point fusible alloy with a flux coating 15 formed between electrode parts 12 of the lead member 11 fixed to an insulating resin case member 22 of a resin package 20 and covering an insulating resin cap member 24 over an opening of the insulating resin case member 22 in an airtight package.例文帳に追加

特に、チップタイプ温度ヒュ−ズ１０は樹脂パッケ−ジ２０の絶縁樹脂ケ−ス部材２２に固定されたリ−ド部材１１の電極部１２間にフラックス被膜１５を形成した低融点可溶合金１４を架設し、絶縁樹脂キャップ部材２４を絶縁樹脂ケ−ス部材２２の開口にカバ−して気密パッケージ化して構成される。 - 特許庁