characteristic ionsとは 意味・読み方・使い方

The ions are implanted to a substrate without changing the surface finishing of the wire electrode, by which the triboelectrostatic charge characteristic or electro-negativity of the wire is changed.例文帳に追加

ワイヤ電極の表面仕上げを変えることなく、基板にイオンを注入し、ワイヤの摩擦帯電特性または電気陰性度を変化させる。 - 特許庁

Ions are irradiated to the high-resistance region 12 to form a crystal defect for making the thermal characteristic of forward direction voltage positive.例文帳に追加

高抵抗領域１２には、順方向電圧の熱特性を正にする種類の結晶欠陥を形成するためにイオンが照射されている。 - 特許庁

A database is provided, wherein characteristic values (an ion mobility or values related thereto) of the molecular weight-related ions generated from the non-dissociative ion source and the dissociated ions generated from the dissociative ion source are registered relative to each measuring object material.例文帳に追加

また測定対象物質毎に非解離性イオン源により生成される分子量関連イオンと解離性イオン源により生成される解離イオンの特性値（イオン移動度またはそれに相関する値）を登録したデータベースを備える。 - 特許庁

To provide a ceramic heater capable of preventing the migration of metal ions in a grain boundary phase in a high-temperature environment, and excelling in corrosion resistance and a high-temperature characteristic.例文帳に追加

高温環境下で粒界相中の金属イオンの移動を防ぐことができ、かつ耐腐食性及び高温特性に優れているセラミックヒータを提供すること。 - 特許庁

First electric characteristic value of a semiconductor wafer is measured, in accordance with a prescribed measuring method using a measuring electrode in an initial state where the intra-ions are included in the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜中に膜内イオンが含まれる初期状態で、測定用電極を用いた所定の測定手法に従って半導体ウエハの第１の電気的特性値を測定する。 - 特許庁

To provide a negative electrode material capable of improving efficient charge and discharge characteristic by smoothing insertion of lithium ions when charging and discharging and reaction for desorption, and to provide a negative electrode using the same.例文帳に追加

充放電に伴うリチウムイオンの挿入、脱離反応がスムーズに進行し、高率充放電特性が向上する、負極材料及びこれを用いた負極を提供する。 - 特許庁

To suppress the ununiformity of sheet resistance when ions are implanted into a polysilicon semiconductor film by using a ribbon-like beam, and to prevent a change in characteristic of a fabricated thin-film transistor.例文帳に追加

ポリシリコン半導体膜へのリボン状のビームを用いたイオン打ち込みにおけるシート抵抗の不均一を抑制して、作り込まれる薄膜トランジスタの特性変動を防止する。 - 特許庁

By implanting impurity ions, a reformed layer 7, having an etching characteristic different from that of the isolating oxide film 6, is formed on the surface of the isolating oxide film 6.例文帳に追加

不純物イオンを注入することにより、分離酸化膜６の表面に、分離酸化膜６のエッチング特性とは異なるエッチング特性を有する改質層７が形成される。 - 特許庁