characteristic improvement effectとは 意味・読み方・使い方

A vertical cell transistor making one side face part 13a of the silicon column 13 a channel part is constituted, and the suppression of short channel effect and the improvement of retention characteristic are enabled.例文帳に追加

こうして、シリコン柱１３の一側面部１３ａをチャネル部とする縦型セル・トランジスタを構成し、短チャネル効果の抑制とリテンション特性の改善とを可能にする。 - 特許庁

To shorten reduction processing time and improve static electricity characteristic improvement effect of a substrate, in a method for manufacturing the lithium tantalate substrate for a surface acoustic wave element.例文帳に追加

表面弾性波素子用タンタル酸リチウム基板の製造方法において、還元処理時間を短縮すると共に、該基板の静電気特性改善効果を向上する。 - 特許庁

To prevent the lowering of an output from a low-speed rotation area to a high-speed rotation area although a silencer used for a four-cycle engine is provided to exhibit a silencing effect without taking an improvement in output characteristic into consideration.例文帳に追加

４サイクルエンジンに使用されているサイレンサーは、消音効果を目的とされており出力特性の向上を考慮されていなかったが低速から高速回転域までの出力低下を防ぐ。 - 特許庁

To provide a transmission line of a waveguide type configured on a dielectric substrate that has a productivity improvement effect and an integration effect by integration of a wiring board and improves the transmission characteristic and to provide an integrated circuit provided with the transmission line and a radar system.例文帳に追加

誘電体基板に導波管型の伝送線路を構成することによる、生産性の向上効果および配線基板との一体化による集積効果を備え、且つ伝送特性の向上を図った伝送線路、それを備えた集積回路およびレーダ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compound piezoelectric substrate in which warpage when temperature is changed is reduced, thermal resistance is excellent, frequency temperature characteristic improvement effect is high, which suppresses rear face reflection of bulk wave and easily combines a semiconductor device and a SAW device, at a low cost.例文帳に追加

温度変化させたときの反りが少なく、耐熱性が優れ、周波数温度特性改善効果が高く、バルク波の裏面反射を抑制でき、なおかつ半導体デバイスとＳＡＷデバイスの複合化が容易な複合圧電基板を安価に提供する。 - 特許庁

To provide a technology of simultaneously achieving improvement of recovery characteristic of a reflux diode and sure maintenance of avalanche resistance of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in a semiconductor device with the MOSFET and SBD (Schottky Barrier Diode) in reverse parallel with the MOSFET formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴと逆並列となるＳＢＤとが同一半導体基板に形成された半導体装置において、還流ダイオードのリカバリ特性の改善と、ＭＯＳＦＥＴのアバランシェ耐量の確保との両立が可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a composite piezoelectric substrate which when it is changed in temperature, provides high temperature improvement effect and small variation in in-plane frequency temperature coefficient and which has excellently stable frequency temperature characteristic and warps little with heat.例文帳に追加

基板を温度変化させたときに、温度改善効果が高く、圧電基板において面内周波数温度係数のばらつきが小さく、周波数温度特性が優れた安定性を有するものであるとともに、熱により生じる反りが小さい複合圧電基板を提供する。 - 特許庁

In particular, an electrode reaction substance can be stored in or released from the negative electrode 22; and, when at least one kind out of a metal element and a semimetal element is included in a negative electrode material as a constituent element, a high improvement effect of a cycle characteristic can be provided.例文帳に追加

特に、負極２２に電極反応物質を吸蔵および放出することが可能であり、構成元素として金属元素および半金属元素のうちの少なくとも１種を含む負極材料を含有するようにした場合に、高いサイクル特性改善の効果が得られる。 - 特許庁