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charge sbとは 意味・読み方・使い方
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「charge sb」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
A DC voltage source 12, charge changeover switches SA^+, SA^-, SB^+ and SB^- and a controller 14 function as the switching voltage applicator.例文帳に追加
直流電圧源１２、充電切り換えスイッチＳＡ^+、ＳＡ^-、ＳＢ^+、ＳＢ^-、およびコントローラ１４は、スイッチング電圧印加手段として機能する。 - 特許庁
While taking account of the fact that the auxiliary battery SB is a power supply related to ECU, power supply from the auxiliary battery SB to the motor generator MG2 is performed within such a range of the state of charge as their normal operation is assured.例文帳に追加
補機バッテリＳＢはＥＣＵ関係の電源であることを考慮し、補機バッテリＳＢからのモータジェネレータＭＧ２への電力供給は、これらの正常動作が確保される充電量の範囲内で行なわれる。 - 特許庁
After the charge voltage of the capacitor 20 reached the E, the switch Sb is turned off and the capacitor 20 begins to be discharged.例文帳に追加
コンデンサ２０の電荷電圧がＥに達した後、スイッチＳｂがオフされ、コンデンサ２０が放電開始する。 - 特許庁
After a switch Sb is turned on to charge the capacitor 50; each of the device columns L1 to Ln is selectively energized, and then the charge of the capacitor 50 is discharged through the energized device column.例文帳に追加
スイッチＳｂをオンして、コンデンサ５０を充電した後、各素子列Ｌ１〜Ｌｎを選択的に通電させ、通電された素子列を通じてコンデンサ５０の電荷を放電させる。 - 特許庁
P-channel transistors 11, 12 switch according to control signals SA, SB generated from an output signal of an oscillation circuit in transferring charges to charge a capacitor 20.例文帳に追加
Ｐチャネルトランジスター１１および１２は、発振回路の出力信号から生成される制御信号ＳＡ、ＳＢに従ってスイッチング動作して電荷を転送し、キャパシター２０を充電する。 - 特許庁
When an operating current monitor signal SB indicates that operating currents satisfy a prescribed reference, and a leak monitor signal SA0 indicates that a reverse bias degree is increased, a charge pump circuit 3P in an active state performs control to deepen a board potential VBP for PMOS.例文帳に追加
動作電流モニタ信号ＳＢが動作電流が所定の基準を満足することを指示し、リークモニタ信号ＳＡ０が逆バイアス度合を高めることを指示する場合、活性状態のチャージポンプ回路３ＰによってＰＭＯＳ用基板電位ＶＢＰを深く引く制御が行われる。 - 特許庁
When acquiring a pixel signal Sb of the other pixel 2b after acquiring a pixel signal Sa of one pixel 2a in a pixel sharing structure, a pixel signal Sab which is generated by synthesizing the signal charge of a plurality of the pixels 2a, 2b, is acquired by executing non-destructive reading, so that the signal charge of the pixel 2a read out first is not lost.例文帳に追加
画素共有の構造において、一方の画素２ａの画素信号Ｓａの取得後における他方の画素２ｂの画素信号Ｓｂの取得時には、初めに読み出した画素２ａの信号電荷が失われないように非破壊読出しをすることで、複数の画素２ａ，２ｂの信号電荷を合成した画素信号Ｓａｂを取得する。 - 特許庁
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「charge sb」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
When a decision is made that the state of charge of the main battery MB decreased below a predetermined level, the main control section controls voltage converting operation of a DC/DC converter 42 such that the power supply passage from the main battery MB is interrupted and a DC voltage from an auxiliary battery SB is supplied to power supply lines PL1 and PL2 while being boosted.例文帳に追加
主制御部は、メインバッテリＭＢの充電量が所定値以下に減少したと判定されると、メインバッテリＭＢからの電力供給経路を遮断し、かつ補機バッテリＳＢからの直流電圧が昇圧されて電源線ＰＬ１，ＰＬ２に供給されるように、ＤＣ／ＤＣコンバータ４２の電圧変換動作を制御する。 - 特許庁
To provide a lead acid battery excelling in vibration resistance because strength of a welding part between positive/negative electrode cells is sufficiently rigid, excelling in durability of a cell-to-cell welding part by dissolving a minute quantity of Sb mainly included in a positive electrode member and redepositing it on a negative electrode surface, and improved in suppression of electrolyte decrease/charge acceptance property.例文帳に追加
正・負極セル間溶接部の強度が十分に強固で耐振動性に優れ、主に正極部材に含まれる微量のＳｂが電解液中に溶解し、負極表面に再析出することでセル間溶接部の耐久性が良く、さらに減液の抑制・充電受入性が改善された鉛蓄電池を提供することにある。 - 特許庁
The memory element includes a first and second impurity areas in which one substance among Sb, Ga, or Bi is contained as a dopant and are formed on a semiconductor substrate, respectively, a dielectric film which is formed adjacent to each of the first and second regions on the semiconductor substrate and contains an charge storage layer and a high dielectric layer, and a gate electrode layer formed on the dielectric film.例文帳に追加
半導体基板にＳｂ、ＧａまたはＢｉのうち何れか一つの物質をドーパントとして含んでそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び前記第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、電荷保存層及び高誘電体層を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁
In a pixel shared structure, after the pixel signal Sa of one pixel 2a is acquired, when acquiring the pixel signal Sb of another pixel 2b, non-destructive read is performed not to lose the signal charge of the pixel 2a that is read first, thereby acquiring a pixel signal Sab which are obtained by combining signal charges of the plurality of pixels 2a, 2b with each other.例文帳に追加
画素共有の構造において、一方の画素２ａの画素信号Ｓａの取得後における他方の画素２ｂの画素信号Ｓｂの取得時には、初めに読み出した画素２ａの信号電荷が失われないように非破壊読出しをすることで、複数の画素２ａ，２ｂの信号電荷を合成した画素信号Ｓａｂを取得する。 - 特許庁
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