chemical process controlとは 意味・読み方・使い方

To improve controllability of a process by securing a sealing function of a process device and setting control input allowing good process control of conveying, supplying, mixing, or chemical reaction, in applying 'autogenous circling flow' or 'spiral flow' to the process.例文帳に追加

「自生旋回流」あるいは「スパイラルフロー」をプロセスに適用するにあたって、プロセス装置のシール（密閉）性を確保し、搬送・供給・混合・化学反応などプロセスコントロールを良好におこなう操作量を設定しプロセスの制御性を向上させること。 - 特許庁

CONDUCTIVE COMPOSITE MEMBER, TONER FIXING MEMBER, FIXING DEVICE, CHEMICAL/MEDICAL PART, CHEMICAL/MEDICAL DEVICE, PROCESSING AND TRANSPORTING PART, PROCESSING DEVICE, FLUID CONTROL PART, FLUID CONTROL DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING CONDUCTIVE COMPOSITE MEMBER例文帳に追加

導電性複合部材、トナー定着部体、定着装置、化学・医療用部品、化学・医療用装置、加工搬送部品、加工装置、流体制御部品、流体制御装置及び導電性複合部材の製造方法 - 特許庁

To provide effective and reliable quality control (QC) of chemical products manufactured in a plant which daily prepares specific chemical products of a plurality of batches, and a method for analyzing process variables for providing the quality control.例文帳に追加

複数のバッチの特定の化学製品を日常的に調製するプラントにおいて製造された化学製品の、効果的かつ信頼しうる品質管理（ＱＣ）及び品質管理を提供するプロセス変数の分析方法。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing pad that can control scratch generation on a polishing surface during a chemical polishing process and give a high-quality polishing surface, and chemical mechanical polishing method that gives a high-quality polishing surface using the chemical machinery polishing pad.例文帳に追加

化学機械研磨工程における被研磨面のスクラッチ発生を抑制でき、高品位の被研磨面を与えることができる化学機械研磨パッド、及びその化学機械研磨パッドを用いて行う高品位の被研磨面を与える化学機械研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemical-mechanical polishing device allowing elongation of a service life of a polishing pad, allowing reduction of person's interposition and allowing improvement of control for a conditioning process.例文帳に追加

ポリシングパッドの寿命を延ばし、人の介在を低減し、コンディショニングプロセスの制御を改善するケミカルメカニカルポリシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a reverse tapered resist pattern having excellent chemical stability, line width controllability, and easiness for process control and handling.例文帳に追加

化学的安定性、線幅制御性、工程管理と取扱いの容易性の点で優れた逆テーパ形レジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method of a semiconductor substrate which reduces variation in polishing speed in a chemical mechanical polishing process (CMP process) for polishing the surface of a film provided on a semiconductor substrate by a polishing pad, and facilitates the process control.例文帳に追加

半導体基板上に設けられた膜の表面を、研磨パッドによって化学機械的に研磨するプロセス（ＣＭＰプロセス）における研磨速度のバラツキを低減し、プロセス制御が容易な半導体基板の研磨方法を提供すること。 - 特許庁

A material mixture is treated so as to optimize physical and chemical characteristics by combination of the control of a process parameter which brings decrease in the temperature at which clinker is produced.例文帳に追加

クリンカー生成温度の低減をもたらす、プロセスパラメーターの制御と組み合わせて物理化学的特性を最適化するように原料混合物を処理する。 - 特許庁