cmos devicesとは 意味・読み方・使い方

To provide a system, apparatus and method which, while capable of high speed data transmission, permits the power consumption of CMOS devices to be reduced.例文帳に追加

高速なデータ伝送を可能としながら、ＣＭＯＳ素子の消費電力の低減を可能とするシステム、装置、方法の提供。 - 特許庁

To provide an arithmetic circuit that generates a ratio current at a low cost, consists of only devices by a CMOS process, where number of the devices in use is decreased resulting that the circuit can easily be highly integrated.例文帳に追加

ＣＭＯＳプロセスによるデバイスのみにより構成でき、使用するデバイス数を抑え、高集積化が容易にできる低コストの比電流生成用の演算回路を提供する。 - 特許庁

The logic structure 29 uses the high-frequency power FET structure of the source grounding structure as one of the devices of a CMOS constitution.例文帳に追加

論理構造２９はソース接地構造の前記高周波電力ＦＥＴ構造をＣＭＯＳ構成の１つの装置として使用する。 - 特許庁

A high-performance bipolar transistor with a raised extrinsic self-aligned base is integrated into a BiCMOS structure including CMOS devices.例文帳に追加

隆起した外因性自己整合型ベースを有する高性能バイポーラ・トランジスタが、ＣＭＯＳデバイスを含むＢｉＣＭＯＳ構造と統合される。 - 特許庁

As a result, radio frequency devices, such as radios, cellular telephones and transceivers such as Bluetooth transceivers, logic devices and Flash and SRAM memory devices may all be formed in the same integrated circuit die using CMOS fabrication processes.例文帳に追加

結果として、ラジオなどの無線周波数のデバイスと、ブルートゥース規格のトランシーバなどの携帯電話及びトランシーバと、論理デバイスと、フラッシュメモリ素子及びＳＲＡＭメモリ素子とを、ＣＭＯＳ製造プロセスを用いて、同じ集積回路のダイの中に全て形成することができる。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor with a protruberant extrinsic self-aligned base that uses a selective epitaxial growth for BICMOS integration, and to provide a high-performance BiCMOS structure with minimum process complexity, without having to sacrifice the performances of either the bipolar transistors or CMOS devices.例文帳に追加

ＢＩＣＭＯＳ統合のために選択的エピタキシャル成長を用いる、隆起した外因性自己整合型ベースを有するバイポーラ・トランジスタを提供する。 - 特許庁

In these CMOS devices, a uniform layer of tetracene or pentacene can be used in both an N-type (inversion) device and a P-type (accumulation) device.例文帳に追加

これらのＣＭＯＳデバイスにおいては、テトラセンまたはペンタセンの一つの均質な層を、ｎタイプ（反転）デバイスおよびｐタイプ（累積）デバイスの両方で使用することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has good conformity with an LSI process when MEMS devices and CMOS LSIs are mixedly mounted on the same substrate, and which can suppress the effects of moisture, heat, etc. generated from LSI regions on the MEMS devices.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスをＣＭＯＳ ＬＳＩと同一基板上に混載する点において、ＬＳＩプロセスと整合性良く、またＬＳＩ領域から発生する水分、熱などのＭＥＭＳデバイスへの影響を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁