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日英・英日専門用語辞書での「d electron」の意味

d electron


「d electron」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 98



例文

Many specimens undergo mass loss in the electron beam, which is dependent on the irradiation dose D = Q / A, where Q is the total electron charge and A is the area of irradiation.発音を聞く 例文帳に追加

多くの試料は電子ビームの中で質量損失を受け、それは照射線量D = Q / Aに依存する: ここでQは全電荷量、Aは照射領域である。 - 科学技術論文動詞集

When the diameter of the each electron beam passing hole is D, the thickness T of the support substrate is formed as D/2 or more.例文帳に追加

各電子ビーム通過孔の径をDとした場合、支持基板の板厚Tは、D/2以上に形成されている。 - 特許庁

The two or more types of magnetic elements include a magnetic element with an effective d electron count of less than 5 and magnetic elements with an effective d electron count of more than 5, and the total effective d electron count of the two or more types of magnetic elements is 10 or close to 10.例文帳に追加

前記2種類以上の磁性元素には、有効d電子数が5より少ない磁性元素と有効d電子数が5より多い磁性元素とが含まれ、前記2種類以上の磁性元素の有効d電子数の総和は10或いは10に近い値である。 - 特許庁

Plural dot control data D(D(i, j, k), D(i+1, j, k), D(i, j+1, k), D(i+1, j+1, k)) for individually control of the irradiation of plural electron beams are connected and compressed, and compressed connection control data are generated.例文帳に追加

複数の電子ビームの照射を個別に制御するための複数のドット制御データD(D(i,j,k)、D(i+1,j,k)、D(i,j+1,k)、D(i+1,j+1,k)を結合し、これらを圧縮して、圧縮された結合制御データを生成する。 - 特許庁

These electrons are generated as a result of electron avalanche in the p-D-M structure or injection process in the n^+-p-D-M structure.例文帳に追加

これらの電子は、p−D−M構造における電子なだれまたはn^+−p−D−M構造における注入プロセスの結果として生成される。 - 特許庁

The device is provided with a data signal wiring d inside a rear substrate SUB1 and a scanning signal wiring s formed with an insulating layer INS in-between, and an electron source ELS is formed at a crossing part between the data signal wiring d and the scanning signal wiring s.例文帳に追加

背面基板SUB1の内面にデータ信号配線d、絶縁層INSを介して形成された走査信号配線sを有し、データ信号配線dと走査信号配線sの交差部に電子源ELSが形成されている。 - 特許庁

例文

A drain electrode D is formed on the drain part of the electron supply layer 4, and an insulating film 8 is formed on an opening part 11, formed in the gate part of the electron supply layer.例文帳に追加

電子供給層4のドレイン部分にドレイン電極Dが形成され、そのゲート部分に形成された開口部11に絶縁膜8が形成されている。 - 特許庁

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「d electron」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 98



例文

The photocatalyst (F) is derived from a photocatalyst precursor (E) by heating it that has been obtained by causing a transition metal compound (a) having d^0 electron configuration and/or a typical metal compound (b) having d^10 electron configuration to react with carbohydrazide (c) and/or thiocarbohydrazide (d).例文帳に追加

d^0電子配置を有する遷移金属化合物(a)及び/又はd^10電子配置を有する典型金属化合物(b)とカルボヒドラジド(c)及び/又はチオカルボヒドラジド(d)とを反応させて得られる光触媒前駆体(E)を加熱する事により誘導される光触媒(F)。 - 特許庁

In the method of manufacturing a microcapsule, the wall of the microcapsule is formed by polymerizing an electron donating monomer (C) and an electron accepting monomer (D) radically in such a state that the monomers (C) and (D) are dispersed respectively in an oil-soluble solvent (A) and a water-soluble solvent (B).例文帳に追加

油溶性溶媒(A)と水溶性溶媒(B)とで分散状態にある環境下で、電子供与性モノマー(C)および電子受容性モノマー(D)を用いてラジカル重合させてカプセル壁を形成するマイクロカプセルの製造方法。 - 特許庁

The tapering angle θ of the picture element separation membrane, the membrane thickness d of the electron injecting electrode 12, and the bond energy V_be of the metal constituting the electron injecting electrode 12 are established to satisfy -4.8V_be+99≤dcosθ≤d.例文帳に追加

画素分離膜のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーV_beは−4.8V_be+99≦dcosθ≦dを満足するように設定される。 - 特許庁

By a 1st metal Pd in which holes are present on a (d) electron orbit and a 2nd metal Au in which conduction electrons are present, an AuPd alloy in which the holes of the (d) electron orbit are filled with the conduction electrons is formed on the surface.例文帳に追加

d電子軌道に正孔が存在する第一の金属Pdと、伝導電子が存在する第二の金属Auで、d電子軌道の正孔が伝導電子で充填されているAuPd合金を表面に形成する。 - 特許庁

Then the total of effective d electron numbers of the two or more kinds of magnetic elements is 10 or a value close to 10.例文帳に追加

そして、前記2種類以上の磁性元素の有効d電子数の総和は10或いは10に近い値である。 - 特許庁

A bar graph in Fig.(d) shows reflected electron intensities in the analytical points L1-L12 positioned on a straight line L in Fig.(c).例文帳に追加

(d)の棒グラフは、(c)の直線L上に位置する分析点L1〜L12における反射電子強度を表す。 - 特許庁

After drawing the optical fiber, the optical fiber is cut, and the hole diameters d and the intervals A between holes are measured with an electron microscope.例文帳に追加

光ファイバ線引き後、その光ファイバを切断し、電子顕微鏡で孔径d及び孔間隔Aを測定した。 - 特許庁

例文

The detected secondary electron beam is A/D converted and is outputted from an image forming circuit 44 as digital image data.例文帳に追加

検出された二次電子線はA/D変換され、デジタル画像データとして画像形成回路44から出力される。 - 特許庁

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