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日英・英日専門用語辞書での「diamond circuit」の意味

diamond circuit


「diamond circuit」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

DIAMOND ELECTRONIC CIRCUIT BOARD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ダイヤモンド電子回路基板及びその製造方法 - 特許庁

The diamond pattern 11 for placing the sensor chip on a circuit substrate 1 is made by pattern formation on the circuit substrate 1, and a ditch-like trench 14 is formed between the diamond pattern 11 by installing a leakage prevention pattern 13 in a surrounding part of the diamond pattern 11.例文帳に追加

回路基板1上にセンサーチップを載置するためのダイヤパターン11を回路基板1表面にパターン形成し、ダイヤパターン11の周囲部には漏洩防止パターン13を突設することで、ダイヤパターン11との間で堀状の溝部14として形成する。 - 特許庁

The substrate of a semiconductor integrated circuit is spin coated with diamond colloid solution produced by dispersing fine diamond particles of nanometer size into water or an organic solution and then dried to form an insulation layer of low permittivity porous structure diamond film where fine diamond particles are dispersed uniformly through air gaps of nanometer size (nano pores).例文帳に追加

半導体集積回路などの基板に、ナノメートルサイズのダイヤモンド微粒子を水あるいは有機溶液に分散したダイヤモンドコロイド溶液をスピンコートなどにより塗布し乾燥させることにより、ダイヤモンド微粒子がナノメートルサイズの空隙(ナノポア)をもって均一に分散された低誘電率のポーラス構造ダイヤモンド膜の絶縁層を形成する。 - 特許庁

The substrate of a semiconductor integrated circuit is spin coated with diamond colloid solution produced by dispersing fine diamond particles of nanometer size into water or an organic solution and then dried to form an insulation layer of low permittivity porous structure diamond film where the fine diamond particles are dispersed uniformly through air gaps of nanometer size (nano pores).例文帳に追加

半導体集積回路などの基板に、ナノメートルサイズのダイヤモンド微粒子を水あるいは有機溶液に分散したダイヤモンドコロイド溶液をスピンコートなどにより塗布し乾燥させることにより、ダイヤモンド微粒子がナノメートルサイズの空隙(ナノポア)をもって均一に分散された低誘電率のポーラス構造ダイヤモンド膜を形成する。 - 特許庁

a circuit consisting of two branches (4 arms arranged in a diamond configuration) across which a meter is connected発音を聞く 例文帳に追加

メーターが接続している2つのブランチ(ダイアコンフィギュレーションで調整される4つのアーム)で成る回路 - 日本語WordNet

The combined sensor is formed by performing cutting by a diamond grinding stone and the mounting of a circuit board and a wiring board.例文帳に追加

その後、ダイアモンド砥石による切断,回路基板,配線基板を実装して、複合センサを形成する。 - 特許庁

例文

Then the sensor wafer is subjected to processes of cutting with a diamond grindstone and mounting of a circuit board or a wiring board, to form a composite sensor.例文帳に追加

その後、ダイアモンド砥石による切断、回路基板、配線基板を実装して、複合センサを形成する。 - 特許庁

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「diamond circuit」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 13



例文

This surface acoustic wave device is provided with a diamond layer or a substrate layer and a diamond layer, a ZnO piezoelectric film layer, an interdigital electrode layer and short-circuit electrode layer and then especially includes (2π.H/λM)=3.0-10.0 when the thickness of the ZnO layer is H and the wavelength of a surface acoustic wave is λM.例文帳に追加

本発明の表面弾性波素子は、ダイヤモンド層あるいは基板層とダイヤモンド層と、ZnO圧電体膜層と櫛形電極層と短絡電極層とを備え、ZnO層の厚みをH、表面弾性波の波長をλMとした時、(2π・H/λM)=3.0〜10.0が含まれる事を特徴とする。 - 特許庁

A diamond film, whose surface is polished, is used as the membrane of the membrane mask for circuit pattern transfer and is etched for forming a pattern.例文帳に追加

回路パターン転写用のメンブレンマスクのメンブレンとして表面研磨したダイヤモンド膜を用いて、該ダイヤモンド膜をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a capacitive element, having little variation in capacitive value, capable of preventing short circuit between the capacitive element and adjacent components, short circuit between a first electrode and a second electrode, and occurrence of metal flash at an end of the second electrode section, when the capacitive element is cut from a mother board with a diamond blade.例文帳に追加

容量素子の隣接する他の部品との短絡および第一の電極と第二の電極との短絡を防ぎ、また母基板から容量素子をダイヤモンドブレードによって切断する際に第二の電極端部に金属バリが発生しにくくなり、さらに容量値のバラツキが小さいものとすることにある。 - 特許庁

This plasma display device is provided with the sustaining circuit supplying a sustaining pulse voltage to electrodes of a plasma display panel and switching elements which are made of a wide band-gap semiconductor such as silicon carbide (SiC), diamond, gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO) whose band gaps are wider as compared with that of a silicon semiconductor are used in the sustaining circuit.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、シリコン半導体に比べてバンドギャップが広いシリコンカーバイト(SiC)、ダイヤモンド、窒化ガリウム(GaN)、酸化亜鉛(ZnO)などのワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いる。 - 特許庁

To provide a capacitive element having improved junction strength and having small variation of capacitive value, capable of preventing short circuit between the capacitive device and adjacent components, short circuit between a first electrode and a second electrode, and the occurrence of metal flash at an end of the second electrode section, when the capacitive element is cut from a mother board with a diamond blade.例文帳に追加

容量素子の接合強度を向上させるとともに、隣接する他の部品と短絡したり第一の電極と第二の電極とが短絡するのを防ぎ、また母基板から容量素子をダイヤモンドブレードによって切断する際に第二の電極端部に金属バリが発生しにくくなり、さらに容量値のバラツキが小さいものとすること。 - 特許庁

例文

To provide a capacitive element, having little variations in capacitive value, capable of improving junction strength of the capacitive element and preventing short circuiting between the capacitive element and adjacent components, short circuit between a first electrode and a second electrode, and occurrence of metal flash at an end of the second electrode, when the capacitive element is cut from a mother board with a diamond blade.例文帳に追加

容量素子の接合強度を向上させるとともに隣接する他の部品と短絡および第一の電極と第二の電極との短絡を防ぎ、また母基板から容量素子をダイヤモンドブレードによって切断する際に第二の電極端部に金属バリが発生しにくくなり、さらに容量値のバラツキが小さいものとすることにある。 - 特許庁

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