equipotential-lineとは 意味・読み方・使い方

An incidence-side equipotential portion 131 is lower in resistance than other areas in the incidence-side resistance element layer 13 and provided in the middle of an incidence-side electrode couple 14 in a Y direction and cancels a Y-directional potential difference to hold the potential nearly uniform and corrects an equipotential line into an equipotential line parallel to the Y direction.例文帳に追加

入射側等電位部１３１は、入射側抵抗体層１３内の他の領域より低抵抗であって入射側電極対１４の中間にＹ方向に沿って設けられており、Ｙ方向の電位差を打ち消して電位をほぼ均一に保ち等電位線を、Ｙ方向に平行に矯正する。 - 特許庁

By forming the fluid route 11 inside the semiconductor device 100, an equipotential line around the fluid route 11 is stretched and a depletion layer is widened.例文帳に追加

半導体装置１００の内部に流体経路１１を形成することによって、流体経路１１の周辺の等電位線が伸ばされ、空乏層が広がる。 - 特許庁

In a semiconductor device 12, a scribe line region 14 is formed in the circumference of a semiconductor element region 20 where a ring-like equipotential ring 22 is formed.例文帳に追加

本発明の半導体装置１２は、リング状の等電位リング２２が形成されている半導体素子領域２０の周囲にスクライブ線領域１４が形成されている。 - 特許庁

Therefore, the disturbance of equipotential line resulting from voltage drop in the first strip-shaped electrodes 16a and 16b and the second strip-shaped electrodes 26a and 26b can be absorbed.例文帳に追加

それ故、第１帯状電極１６ａ、１６ｂ、および第２帯状電極２６ａ、２６ｂでの電圧降下に起因する等電位線の乱れを吸収することができる。 - 特許庁

In this case, the areas of either the electrodes or the transparent conductive films are formed so as to be made different in proportion to the line resistances of the electrodes so that equipotential lines can be uniformly distributed between the electrodes.例文帳に追加

前記電極間に均一な等電位線の分布のために前記電極または透明導電膜のうち何れか一方はその面積が前記電極のライン抵抗に比例して異に形成される。 - 特許庁

To provide a resistance film type input device, can surely solve the disturbance of equipotential line in a sheet electrode, which results from voltage drop of a strip-shaped electrode, and a display with input function.例文帳に追加

帯状電極の電圧降下に起因する面状電極での等電位線の乱れを確実に解消することのできる抵抗膜型入力装置、および入力機能付き表示装置を提供すること。 - 特許庁

This causes an equipotential-line distribution to be nearly horizontal to a substrate plane at a junction between the p-type deep layer 10 and the p-type resurf layer 15, thus enabling an electric field to match a direction substantially vertical to the substrate plane, or the azimuth direction of a [0001] plane.例文帳に追加

これにより、ｐ型ディープ層１０とｐ型リサーフ層１５の接合部分において、等電位線分布は基板平面にほぼ水平となり、電界がほぼ基板垂直方向、つまり［０００１］面の方位に掛かるようにできる。 - 特許庁