etching figureとは 意味・読み方・使い方

A plate for forming an irregularity is manufactured by drawing a geometrical figure by etching an etching layer of a laminated body in which a carrier layer, a barrier layer and the etching layer are successively laminated.例文帳に追加

キャリア層、バリア層及びエッチング層が順次積層されている積層体のエッチング層をエッチングすることにより幾何学図形を描いて凹凸を形成するための版を製造する。 - 特許庁

The resist pattern is used as a mask for a dry etching method to transfer the figure onto a substrate material.例文帳に追加

このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いることで、基板材料に形状転写する。 - 特許庁

As shown in figure (c), the dielectric protection layer 4 other than a masked part is etched by dry etching.例文帳に追加

次いで、（ｃ）に示すように、ドライエッチングにより、マスクされた部分以外の誘電体保護層４をエッチングする。 - 特許庁

With a photoresist pattern 201 as a mask, anisotropic etching to silicon is performed (figure 1(f): groove forming step).例文帳に追加

フォトレジストパターン２０１をマスクとして、シリコンに対する異方性エッチングを行う（図１（ｆ）：溝形成工程）。 - 特許庁

As indicated in Figure (b), the silicon nitride film and the oxide film after the over-etching step has a reverse tapered shape in etching or a notched shape 5, while the trench is being etched.例文帳に追加

図１（ｂ）に示すようにオーバーエッチング後のシリコンチッカ膜、酸化膜エッチング形状は、逆テーパー形状またはノッチ形状５とし、トレンチのエッチングを行う。 - 特許庁

By using the etching mask formed in this way, dry etching is performed in a condition wherein the reflecting mirror part is formed vertically and smoothly as shown in figure (D).例文帳に追加

このように形成したエッチングマスクを用いて、反射ミラー部が（Ｄ）に示すように、垂直かつ平滑に形成される条件でドライエッチングを行う。 - 特許庁

An SiO_2 mask 2 is formed on a semiconductor element wafer 1 by vapor deposition and etching, and a ridge 1R is formed by etching a semiconductor layer (Figure 1.A).例文帳に追加

半導体素子ウエハ１に蒸着及びエッチングによりSiO_2マスク２を形成し、半導体層のエッチングによりリッジ１Ｒを形成する（図１．Ａ）。 - 特許庁

When the distribution of transmittance of a mask corresponding to a predetermined pattern figure to be manufactured is determined, the distribution of transmittance of the mask is determined by taking into consideration the relation between the etching selection ratio for etching (the ratio of the etching rate of a substrate to the etching rate of a resist) and the predetermined pattern figure.例文帳に追加

製造すべき前記所定のパターン形状に対応したマスクの透過率分布を決定する際に、前記エッチングにおけるエッチング選択比（基板のエッチンクレートとレジストのエッチングレートの比）と前記所定のパターン形状との関係を考慮して、前記マスクの透過率分布を決定するようにしている。 - 特許庁