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etching groundとは 意味・読み方・使い方
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「etching ground」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 66件
Then the surface of this wafer subjected to alkali etching is ground.例文帳に追加
次に、このアルカリエッチングされたウェーハ表面を研削する。 - 特許庁
At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step.例文帳に追加
二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第１エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第１エッチング段階より遅い条件で第２エッチング段階に移行する。 - 特許庁
Also, the need for the etching is eliminated, and the deterioration of the ground is thereby prevented.例文帳に追加
また、エッチングが不要となることで、下地の劣化を防止することができる。 - 特許庁
The flattening method includes a grinding step for grinding the surface of a substrate, and an etching step for etching the surface of the ground substrate.例文帳に追加
基板の表面を研磨する研磨工程と、前記研磨された基板の表面をエッチングするエッチング工程とを有する平坦化方法。 - 特許庁
After that, the ground surface is subjected to wet etching by a fluoric nitric acid, and the thickness of the silicon wafer 1 is set to 300 μm.例文帳に追加
次に、研削面をフッ硝酸によりウエットエッチングして、シリコンウエハ１の厚さを３００μｍにする。 - 特許庁
To provide a dry-etching method whose selection ratio for the ground is large and which forms wirings of tapered shapes.例文帳に追加
下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, without etching a silicon substrate when eliminating a mask layer, even if the ground of a film to be machined is a silicon substrate.例文帳に追加
被加工膜の下地がシリコン基板であっても、マスク層の除去時にシリコン基板をエッチングしない。 - 特許庁
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「etching ground」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 66件
After the texture processing, acid treatment is performed and thereby the abrasive and the glass ground chip are removed due to etching action.例文帳に追加
テクスチャー加工後に酸処理を行うことにより、エッチング作用に基づいて研磨材やガラスの削り屑が除去される。 - 特許庁
Further, the ground layer 102 is removed by etching, thereby the crystal 103 of the nitride-based compound semiconductor is separated as the substrate 105.例文帳に追加
下地層をエッチングにより除去して、窒化物系化合物半導体の結晶を基板１０５として分離する。 - 特許庁
To eliminate the influence of an etching gas or waste liquid on the environment and realize low-cost and efficient grinding to etching steps, when grinding a plate matter such as a semiconductor wafer, etc., and etching the ground face to remove deformations.例文帳に追加
半導体ウェーハ等の板状物を研削してから、研削面をエッチングして歪みを除去する場合において、エッチングガスや廃液による環境への悪影響を回避し、低コストで、効率良く研削からエッチングまでを行う。 - 特許庁
To provide a method for plasma etching processing which reduces an amount of losses of a Poly-Si layer side wall etching or ground Si layer for constituting a gate module at high dielectric constant gate insulating film time.例文帳に追加
高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するＰｏｌｙ−Ｓｉ層側壁サイドエッチングや下地Ｓｉ層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁
A semiconductor wafer having been lapped is plane-ground, so a damaged layer becomes thin and margins of following etching and polishing decrease.例文帳に追加
ラッピング後の半導体ウェーハを平面研削するので、加工変質層が薄くなり、続くエッチングや研磨での取り代が減る。 - 特許庁
Metallic contamination from a ground electrode 7 of an etching treatment chamber 4 can be prevented, and device deterioration can be restrained.例文帳に追加
本発明によればエッチング処理室４の接地電極７からの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制することができる。 - 特許庁
When electrically conducting a stage 12 and etching a fixed sample 2 by the focused ion beam, etching current is measured by a microammeter 13 arranged between ground and the stage 12.例文帳に追加
ステージ１２に電気的に導通させて固定した試料２を集束イオンビームによりエッチングする際に、グランドとステージ１２の間に設置した微小電流計１３によりエッチング電流を測定する。 - 特許庁
The center electrodes 21-23 and a ground electrode 25 are formed by carrying out the punching working or etching working of a metallic thin board.例文帳に追加
中心電極２１〜２３及びアース電極２５は、金属薄板を打ち抜き加工又はエッチング加工することによって形成される。 - 特許庁
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