etching groundとは 意味・読み方・使い方

After the texture processing, acid treatment is performed and thereby the abrasive and the glass ground chip are removed due to etching action.例文帳に追加

テクスチャー加工後に酸処理を行うことにより、エッチング作用に基づいて研磨材やガラスの削り屑が除去される。 - 特許庁

Further, the ground layer 102 is removed by etching, thereby the crystal 103 of the nitride-based compound semiconductor is separated as the substrate 105.例文帳に追加

下地層をエッチングにより除去して、窒化物系化合物半導体の結晶を基板１０５として分離する。 - 特許庁

To eliminate the influence of an etching gas or waste liquid on the environment and realize low-cost and efficient grinding to etching steps, when grinding a plate matter such as a semiconductor wafer, etc., and etching the ground face to remove deformations.例文帳に追加

半導体ウェーハ等の板状物を研削してから、研削面をエッチングして歪みを除去する場合において、エッチングガスや廃液による環境への悪影響を回避し、低コストで、効率良く研削からエッチングまでを行う。 - 特許庁

To provide a method for plasma etching processing which reduces an amount of losses of a Poly-Si layer side wall etching or ground Si layer for constituting a gate module at high dielectric constant gate insulating film time.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するＰｏｌｙ−Ｓｉ層側壁サイドエッチングや下地Ｓｉ層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer having been lapped is plane-ground, so a damaged layer becomes thin and margins of following etching and polishing decrease.例文帳に追加

ラッピング後の半導体ウェーハを平面研削するので、加工変質層が薄くなり、続くエッチングや研磨での取り代が減る。 - 特許庁

Metallic contamination from a ground electrode 7 of an etching treatment chamber 4 can be prevented, and device deterioration can be restrained.例文帳に追加

本発明によればエッチング処理室４の接地電極７からの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制することができる。 - 特許庁

When electrically conducting a stage 12 and etching a fixed sample 2 by the focused ion beam, etching current is measured by a microammeter 13 arranged between ground and the stage 12.例文帳に追加

ステージ１２に電気的に導通させて固定した試料２を集束イオンビームによりエッチングする際に、グランドとステージ１２の間に設置した微小電流計１３によりエッチング電流を測定する。 - 特許庁

A ground surface for the patch antenna is formed on the rear side of the dielectric substrate 31 so as to correspond to the patch antenna 34 by treatment like etching.例文帳に追加

誘電体基板３１の裏面には、パッチアンテナ３４に対応させてパッチアンテナ用グランド面をエッチング等の処理により形成する。 - 特許庁