fin nとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 フィンランド人、フィン族、フィン族の人
fin nの |
fin nの学習レベル | レベル:24 |
「fin n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加
集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ(fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁
A width of the fin portion of the second N-channel FinFET is greater than that of the fin portion of the first N-channel FinFET.例文帳に追加
第2のNチャンネルFinFETの前記フィン部の幅は、第1のNチャンネルFinFETの前記フィン部の幅よりも広い。 - 特許庁
A fin layer 4 has the source region 21, the channel region 22, and the drain region 23 of a P type fin FET 20, and the drain region 24, the channel region 25, and the source region 26 of an N type fin FET 30.例文帳に追加
フィン層4には、P型フィンFET20のソース領域21、チャネル領域22、ドレイン領域23と、N型フィンFET30のドレイン領域24、チャネル領域25、ソース領域26とが形成される。 - 特許庁
The Fin FET diode structure is formed by driving a P+dopant in a primary side of a diffused fin and an N+dopant in a secondary side to give a P+N+diode structure.例文帳に追加
Fin FETダイオード構造は、拡散フィンの第1側にP+ドーパントを、第2側にN+ドーパントを打ち込んで、P+N+ダイオード構造を与えることによって形成される。 - 特許庁
The n-type FinFET includes a first germanium fin over a substrate; a first gate dielectric on a top surface and sidewalls of the first germanium fin; and a first gate electrode on the first gate dielectric.例文帳に追加
n型FinFETは、基板上の第一ゲルマニウムフィン、第一ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第一ゲート誘電体、及び、第一ゲート誘電体上の第一ゲート電極からなる。 - 特許庁
To achieve a fin type semiconductor device of N-type having a desired characteristics by introducing an N-type impurity into a side surface of a fin type semiconductor region to form an impurity region with low resistance.例文帳に追加
フィン型半導体領域の側面にN型不純物を導入して低抵抗の不純物領域を形成できるようにし、それによって、所望の特性を持つN型のフィン型半導体装置を実現する。 - 特許庁
To provide a die for manufacturing a n aluminum extruding section with a fin capable of stably obtaining aluminum extruding sections with fins having a great thermal radiation efficiency and high tongs ratio when used as heat sinks, e.g. for personal computers or audio instruments since fluctuations of fin pitch and fin wall thickness are restrained.例文帳に追加
フィンピッチ、フィン肉厚のバラツキが抑えられるとともに、より高精度で、例えばパソコンやオーディオ機器などのヒートシンク(放熱器)として使用した場合に、放熱効率が非常に大きいトング比の高いフィン付きアルミニウム押出形材が安定して得られる製造ダイスを提供する。 - 特許庁
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「fin n」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
The fin layer 4 is formed to connect the P^+ common source semiconductor layer 2 and N^+ common source semiconductor layer 3 to each other.例文帳に追加
フィン層4は、P^+共通ソース半導体層2とN^+共通ソース半導体層3とを接続するように形成されている。 - 特許庁
Both of a side face of a fin portion of the first N-channel FinFET and a side face of a fin portion of the second N-channel FinFET are formed in a second crystalline plane having carrier mobility lower than that of the first crystalline plane.例文帳に追加
第1のNチャンネルFinFETのフィン部の側面と、第2のNチャンネルFinFETのフィン部の側面とは、共に第1の結晶面のキャリア移動度よりも遅いキャリア移動度を有する第2の結晶面に形成されている。 - 特許庁
Consequently, a selector 31 extracts the minimum code specified with bl[N] among a plurality of minimum standards stored in the code_min[N], and an adding circuit 32 performs processing for adding the minimum code to the value stored in code_fin[N] in parallel, and defines the added results as a code assigned to the character.例文帳に追加
これにより、セレクタ31が、code_min[M]に格納された複数の最小基準のうちbl[N]で指定された最小符号を取り出し、加算回路32が、これをcode_fin[N]に格納された値に加算する処理を並列に行い、その結果を文字に割り当てられた符号とする。 - 特許庁
A groove bottom width d mm, a lead angle θ°, a ridge height h mm of the fin 3, a fin root width b mm, a bottom thickness to mm, and a number N of the grooves 2 are set so as to satisfy conditions of d>0.15, 0<θ<10, h>0.1, and bN/to>8.例文帳に追加
溝底幅d[mm]、リード角θ[°]、フィン(3)の山高さh[mm]、フィン根元幅b[mm]、底肉厚to[mm]、及び該溝(2)の条数Nを、d>0.15、0<θ<10、h>0.1、及びbN/to>8という条件を満たすように設定する。 - 特許庁
A fin portion 3 raised by mating and sealing opposing inner surfaces of a laminated plastic film at three-side perimeter S remaining a non- sealing portion N is formed on one surface of a packaging pouch composed of the laminated plastic film, and the automatic releasing means for inside steam is provided at the non-sealing portion N of the fin portion 3.例文帳に追加
積層されたプラスチックフィルムからなるパウチ状包装袋の一方の面上に、前記プラスチックフィルムの対向する内面同志を中央に非シール部Nを残し、3方の周辺部Sで合掌シールして立ち上がるフィン部3を形成し、該フィン部3の非シール部Nに内部蒸気の自動開放手段を設ける。 - 特許庁
A Huffman table decoding circuit stores a bit length bl[N] assigned to each character on input of the bit length assigned to the character, and stores the order of respective character strings among character strings to which the same bit length is assigned in code_fin[N].例文帳に追加
ハフマンテーブル復号回路において、文字に割り当てられたビット長の入力に応じて、各文字に割り当てられたビット長をbl[N]に格納し、同じビット長が割り当てられた文字列の中での各文字列の順番をcode_fin[N]に格納する。 - 特許庁
To provide a PLL circuit, capable of markedly expanding frequency pulling/locking range in the PLL circuit for generating a frequency N.fin which is N times as high as an input frequency fin.例文帳に追加
入力周波数f_inのN倍の周波数N・f_inを発生するPLL回路において、周波数の引き込み/ロック範囲を飛躍的に拡大できるPLL回路を提供すること。 - 特許庁
A second stirring and conveying member 17 in the developing tank 57b conveys the developer in the tank to the right shown by arrows m, n, and o, while stirring the developer by a spiral fin 65, to discharge the developer to the developing tank 57a from a second circulation port 79.例文帳に追加
現像槽57b内の第2の攪拌搬送部材17は槽内の現像剤を螺旋状フィン65で攪拌しながら矢印m、n、oで示す右側へ搬送して第2の循環口79から現像槽57aに送り出す。 - 特許庁
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