finger gateとは 意味・読み方・使い方

With this structure, formation of the gate finger region in the groove narrows the gate finger region by which the number of effective transistor cells is increased.例文帳に追加

この構造では、ゲートフィンガー領域を溝内に形成することにより、ゲートフィンガー領域の幅を縮小することができ、その分有効トランジスタのセル数を増やすことができる。 - 特許庁

The multi-finger gate includes a plurality of gate fingers 452 formed in the active region, and a gate connection part 454 which connects the gate fingers to one another and is formed between two active regions.例文帳に追加

マルチフィンガーゲートは、アクティブ領域内に形成された複数のゲートフィンガー４５２、及びゲートフィンガーを互いに接続して二つのアクティブ領域の間に形成されたゲート接続部４５４を含む。 - 特許庁

Source electrode wirings 13 attached with via hole 12 to which source finger electrodes 13a are connected, gate electrode wirings 14 to which gate finger electrodes 14a are connected, and drain electrode wirings 15 to which drain finger electrodes 15a are connected, are arranged between the cells 11 in consideration of symmetry and are connected to a drain bus line 16; and the gate electrode wirings are each similarly connected to a gate bus line 17.例文帳に追加

各セル１１間の隙間に、ソースフィンガー電極13ａを接続したバイアホール１２付ソース電極配線１３と、ゲートフィンガー電極１４aを接続したゲート電極配線１４と、ドレインフィンガー電極１５aを接続したドレイン電極配線１５を対称性を鑑みて配置し、ドレインバスライン１６に接続され、同様に各ゲート電極配線はゲートバスライン１７に接続されている。 - 特許庁

A plurality of gate finger electrodes of a unit FET are put together to form single cells 11, and the finger electrodes are arranged in parallel in a longitudinal direction of a chip.例文帳に追加

単位ＦＥＴをゲートフィンガー電極複数本をまとめて一個のセル１１とし、チップの長手方向にフィンガー電極を平行にして配置する。 - 特許庁

In the field-effect transistor, a plurality of gate finger electrodes of unit FETs are collected as one cell 11, and the finger electrodes are arranged in parallel in the longitudinal direction of a chip.例文帳に追加

実施形態に係る電界効果トランジスタは、単位ＦＥＴをゲートフィンガー電極複数本をまとめて一個のセル１１とし、チップの長手方向にフィンガー電極を平行にして配置したものである。 - 特許庁

A gate wiring line 43 includes a base 44, a plurality of finger-like parts 45 that protrudes from the base 44, and a connector 47 that respectively connects front end parts 46 of the adjacent finger-like parts 25.例文帳に追加

ゲート配線４３は、基部４４と、基部４４から突出する複数の指状部４５と、隣接する指状部４５の先端部４６を接続する接続部４７と、を有する。 - 特許庁

A multi-finger transistor 400 comprises an active region 420, a multi-finger gate 450, a source region 460, and a drain region 470.例文帳に追加

マルチフィンガートランジスタ４００は、アクティブ領域４２０、マルチフィンガーゲート４５０、ソース領域４６０、及びドレイン領域４７０を含む。 - 特許庁

A groove is formed in a P-well region C provided at an epitaxial layer (b) on a semiconductor substrate (a), and a gate finger region is formed in the groove.例文帳に追加

半導体基板ａ上のエピタキシャル層ｂに設けたＰウェル領域に溝を形成し、この溝内にゲートフィンガー領域を形成する。 - 特許庁