「finger gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an FET which reduces a structural stress applied to a central gate finger portion and reduces a gate resistance.例文帳に追加

中央ゲートフィンガ部にかかる構造的な応力を減少させるとともにゲート抵抗を小さくしたＦＥＴを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor region below a drain finger 3 and a source finger 2, a doping region 4 for thermal resistance reduction is formed only nearby a gate finger 1.例文帳に追加

ドレインフィンガー３及びソースフィンガー２の下部の半導体領域のうち、ゲートフィンガー１の近傍のみに熱抵抗低減用のドーピング領域４を形成する。 - 特許庁

With this structure, formation of the gate finger region in the groove narrows the gate finger region by which the number of effective transistor cells is increased.例文帳に追加

この構造では、ゲートフィンガー領域を溝内に形成することにより、ゲートフィンガー領域の幅を縮小することができ、その分有効トランジスタのセル数を増やすことができる。 - 特許庁

The multi-finger gate includes a plurality of gate fingers 452 formed in the active region, and a gate connection part 454 which connects the gate fingers to one another and is formed between two active regions.例文帳に追加

マルチフィンガーゲートは、アクティブ領域内に形成された複数のゲートフィンガー４５２、及びゲートフィンガーを互いに接続して二つのアクティブ領域の間に形成されたゲート接続部４５４を含む。 - 特許庁

Source electrode wirings 13 attached with via hole 12 to which source finger electrodes 13a are connected, gate electrode wirings 14 to which gate finger electrodes 14a are connected, and drain electrode wirings 15 to which drain finger electrodes 15a are connected, are arranged between the cells 11 in consideration of symmetry and are connected to a drain bus line 16; and the gate electrode wirings are each similarly connected to a gate bus line 17.例文帳に追加

各セル１１間の隙間に、ソースフィンガー電極13ａを接続したバイアホール１２付ソース電極配線１３と、ゲートフィンガー電極１４aを接続したゲート電極配線１４と、ドレインフィンガー電極１５aを接続したドレイン電極配線１５を対称性を鑑みて配置し、ドレインバスライン１６に接続され、同様に各ゲート電極配線はゲートバスライン１７に接続されている。 - 特許庁

A plurality of gate finger electrodes of a unit FET are put together to form single cells 11, and the finger electrodes are arranged in parallel in a longitudinal direction of a chip.例文帳に追加

単位ＦＥＴをゲートフィンガー電極複数本をまとめて一個のセル１１とし、チップの長手方向にフィンガー電極を平行にして配置する。 - 特許庁

In the field-effect transistor, a plurality of gate finger electrodes of unit FETs are collected as one cell 11, and the finger electrodes are arranged in parallel in the longitudinal direction of a chip.例文帳に追加

実施形態に係る電界効果トランジスタは、単位ＦＥＴをゲートフィンガー電極複数本をまとめて一個のセル１１とし、チップの長手方向にフィンガー電極を平行にして配置したものである。 - 特許庁

A gate wiring line 43 includes a base 44, a plurality of finger-like parts 45 that protrudes from the base 44, and a connector 47 that respectively connects front end parts 46 of the adjacent finger-like parts 25.例文帳に追加

ゲート配線４３は、基部４４と、基部４４から突出する複数の指状部４５と、隣接する指状部４５の先端部４６を接続する接続部４７と、を有する。 - 特許庁

A multi-finger transistor 400 comprises an active region 420, a multi-finger gate 450, a source region 460, and a drain region 470.例文帳に追加

マルチフィンガートランジスタ４００は、アクティブ領域４２０、マルチフィンガーゲート４５０、ソース領域４６０、及びドレイン領域４７０を含む。 - 特許庁

A groove is formed in a P-well region C provided at an epitaxial layer (b) on a semiconductor substrate (a), and a gate finger region is formed in the groove.例文帳に追加

半導体基板ａ上のエピタキシャル層ｂに設けたＰウェル領域に溝を形成し、この溝内にゲートフィンガー領域を形成する。 - 特許庁

In the surface at the side of the semiconductor substrate 10 of the conductive sheet 50, a part positioned at the upper part of the gate finger 30 is recessed.例文帳に追加

導電性シート５０の半導体基板１０側の表面のうち、ゲートフィンガ３０の上部に位置する部分は、凹んでいる。 - 特許庁

The metal plate 30 links the plurality of electrode pads 22a across each section (non-bonding region) where a gate finger 26 or the like is formed.例文帳に追加

この金属板３０は、ゲートフィンガー２６等の設けられた部分（非ボンディング領域）を跨いで、複数の電極パッド２２ａを連結している。 - 特許庁

To enhance high frequency characteristics by reducing a parasitic capacitor for a gate finger, and to enhance an yield.例文帳に追加

ゲートフィンガーに対する寄生キャパシタを小さくして高周波特性の向上をはかることができ、且つ歩留まりの向上をはかる。 - 特許庁

To provide a practical identification gate capable of simply, quickly, and accurately performing biometric identification by making use of finger vein information.例文帳に追加

指静脈情報を利用して簡便、迅速に、かつ精確に生体認証を行うことのできる実用的な認証ゲートを提供する。 - 特許庁

A source wire can be provided on the gate finger, resulting in the possibility of increase in the number of them.例文帳に追加

そしてゲートフィンガー上にもソースワイヤを打つことが可能になり、本数を増やすことも可能となる。 - 特許庁

To provide a cap for a writing tool excellent in molding property and having a gate mark formed at a position where a finger is hard to abut on.例文帳に追加

本発明の課題は、成形性が良く、且つ指が当接し難い位置にゲート跡を形成した筆記具のキャップを提供することである。 - 特許庁

In the gap between each cell 11, source electrode wiring 13 with a via hole 12 connected with a source finger electrode 13a, and a gate electrode wiring 14 connected with a gate finger electrode 14a are arranged in view of the symmetry.例文帳に追加

各セル１１間の隙間には、ソースフィンガー電極１３ａを接続したバイアホール１２付ソース電極配線１３と、ゲートフィンガー電極１４ａを接続したゲート電極配線１４と、が対称性を鑑みて配置される。 - 特許庁

Gate electrodes 20A and 20B of the ECO cells have gate pad parts 21A and 21B, and, two gate finger parts 22A and 23A, or 22B and 23B, extending from the gate pad parts toward the opposite sides in a common cell length direction (longitudinal direction).例文帳に追加

ＥＣＯセルのゲート電極２０Ａ,２０Ｂは、ゲートパッド部２１Ａ,２１Ｂと、当該ゲートパッド部から共通セル長方向（縦方向）の相反する側に延びる２つのゲートフィンガー部２２Ａと２３Ａ、または、２２Ｂと２３Ｂと、を有する。 - 特許庁

A plate 10 retractably disposed at the gate to prevent a finger or the like from being caught keeps the state that it is in contact with a belt 2a during a period that the gate 9 is in a standby position and movement from the standby position to a discharge position where the workpiece W is descended and back to the standby position again.例文帳に追加

待機位置からワークＷが低下する排出位置に至り、再度待機位置に戻るまで、ゲートに設けられた出没自在の巻き込み防止板１０はベルト２ａに接した状態を維持する。 - 特許庁

To provide a sorting device in which there is little danger that a finger or the like is caught between a gate and a conveyor and there is little possibility that the conveyor is damaged by its contact with the gate.例文帳に追加

ゲートとコンベアとの間に指等を巻き込む危険性が少なく、ゲートの接触によりコンベアを損傷する恐れも少ない選別装置を提供すること。 - 特許庁

Gate opening plates 240 are positioned widthwise outside finger units 221 to keep an article A held by the finger units 221 from contact with the gate opening plates 240 and keep the article A from engagement with the gate opening plates 240, so that the article A held can be reliably provided for a user.例文帳に追加

ゲート開放板２４０をフィンガーユニット２２１の幅方向外側に配置したので、フィンガーユニット２２１によって把持される商品Ａのゲート開放板２４０との接触を防止することができ、商品Ａがゲート開放板２４０に引っ掛かることはなく、把持した商品Ａを確実に利用者に提供することが可能となる。 - 特許庁

The base 44 of the gate wiring line 43 is arranged between a base 24 of the source wiring line 23 and the finger-like parts 35 of the drain wiring line 33, and intersects with the finger-like parts 25 of the source wiring line 23, with an insulating film that is interposed therebetween.例文帳に追加

ゲート配線４３の基部４４は、ソース配線２３の基部２４とドレイン配線３３の指状部３５との間に配置され、かつ、ソース配線２３の指状部２５との間に絶縁膜を介在させて指状部２５と交差している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which an emitter and a gate finger electrode having a desired thickness can be formed without requiring exact control of etching thickness in the etching of a pressure-contact IGBT having an emitter and a gate finger electrode consisting of an extremely thin metal film.例文帳に追加

極めて薄い金属膜からなるエミッタおよびゲートフィンガー電極を有する圧接型ＩＧＢＴにおけるエッチングにおいて、エッチング厚さの厳密な制御を必要とすることなく、所望の厚さを有するエミッタおよびゲートフィンガー電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, a plurality of gate fingers 6b are extensively allocated to hold the forming region SDR toward the forming region SDR of the Schottky barrier diode D1 at the center from the gate finger 6a at the area near both longer sides at the main surface of the semiconductor chip 5b.例文帳に追加

また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 - 特許庁

It is said that on her way home, Yokobue cut her finger and wrote in blood the following elegy on a stone, hoping that Tokiyori would know her feelings: Deep in the mountains, Feel restless and visit a shack, Hope the gate will guide me, To the true path. 例文帳に追加

横笛は都へ帰る途中、自分の気持ちを伝えたく、近くの石に「山深み思い入りぬる柴の戸のまことの道に我を導け」と指を斬り、その血で書き記したという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Since a source aluminum layer (h) is formed on the gate finger region with no interruption, the resistance of the source aluminum layer (h) itself is reduced.例文帳に追加

また、ソースアルミ層ｈが、ゲートフィンガー領域上でも途切れることなく形成されていることから、ソースアルミ層ｈ自体の抵抗を低減できる。 - 特許庁

A P-type well layer 2 is formed on a P-type silicon substrate 1, and a gate finger-type N-channel transistor 3 is formed on the P-type well layer 2.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上にＰ型ウェル層２が形成され、Ｐ型ウェル層２上にゲートフィンガー型のＮチャネルトランジスタ３が形成されている。 - 特許庁

Two via holes adjoining with each other are formed so that they are not overlapped when viewed from a direction vertical to the gate finger 113.例文帳に追加

そして、隣接し合う２つのバイアホールは、ゲートフィンガー１１３に垂直な方向から見て重なり合う部分がない配置になるように形成されている。 - 特許庁

Subsequently, when the icon display-drag area A221 is dragged by a finger F, a position of a Doppler sampling gate G of a displayed image P in an ultrasonic image area A1 is moved according to a direction of drag in a device side.例文帳に追加

次いでアイコン表示・ドラッグエリアＡ２２１が指Ｆでドラッグされると、装置側では、ドラッグ方向に応じて超音波画像領域Ａ１の表示画像Ｐのドップラ・サンプリングゲートＧの位置を移動させる。 - 特許庁

To comprise a gate finger, to reduce an input resistance RG, and to improve a switching seed while on-resistance related to a field effect transistor is reduced.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおいて、ゲートフィンガーを有し、入力抵抗ＲＧを低減し、スイッチングスピードの向上を実現すると同時に、オン抵抗の低減化を実現した半導体装置および半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

If the finger is placed from the inside 3 of the entrance 4, the reverse image is matched against the registered image; if the images are coincident, the device determines that the person is exiting and then opens the gate 5.例文帳に追加

また、出入口４の内側３から指置きした場合は、反転画像と登録画像とを照合してこれが一致すると、退場と判定して通行ゲート５を開く。 - 特許庁

By this, the gate piece 19B opens the upper part space of the operating part 17, inserts a finger of a worker, and enables a releasing operation against the operating part 17.例文帳に追加

これによって、ゲート片１９Ｂは操作部１７の上部空間を開放して作業者の指を差し入れて操作部１７に対する解除操作を可能にする。 - 特許庁

An IGBT active region AR 1 in which the IGBT 102 is formed is separated from a MOSFET active region AR 2 in which the MOSFET 104 is formed by a gate finger F as an inactive region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０２が形成されたＩＧＢＴ活性領域ＡＲ（１）と、ＭＯＳＦＥＴ１０４が形成されたＭＯＳＦＥＴ活性領域ＡＲ（２）とは、不活性領域としてのゲートフィンガーＦにより分離されている。 - 特許庁

An integrated circuit 100 comprises a transistor device 104 having at least one interleaved finger having a substrate region, a source, a drain, and a gate region formed over a channel region disposed between the source and a drain regions.例文帳に追加

集積回路は、基板領域、ソース、ドレイン、およびソース領域とドレイン領域の間に配設されたチャネル領域上に形成されたゲート領域を有する少なくとも１つのインターリーブされたフィンガーを有するトランジスタ・デバイスを含む。 - 特許庁

The gate electrode has a finger portion 28, including a first end portion and a second end portion fixed on the substrate between the source electrode and the drain electrode, and a both-side air bridge portion 30 including a first tip and a second tip projecting outside from the second end portion and opposed to each other.例文帳に追加

ゲート電極は、ソース電極とドレイン電極の間で基板に固定された第１端部及び第２端部を有するフィンガ部２８と、第２端部から外側に張り出し第１と第２の対向する先端部を有する両側エアブリッジ部３０とを有する。 - 特許庁

To provide a trap type gate door in which the rotary regions of both arm members can be superposed without requiring the avoidance of the mutual rotary regions of both arm members, housing spaces among supports are not limited by a pair of the arm members and the danger of the pinching of a hand and a finger can be prevented.例文帳に追加

両アーム部材の互いの回動領域を避ける必要がなく、両アーム部材の回動領域を重ねることができ、而して、一対のアーム部材により支柱間の収容空間が制限されることがなく、しかも、手や指の挟み込みという危険をなくし得る跳ね上げ式門扉を提供すること。 - 特許庁

To provide a front shaft tube of a fountain pen preventing contact of a gate mark of a grip part with a finger when assembled as a fountain pen for writing, in the front shaft tube of the fountain pen with a grip member made of an elastic resin arranged by secondary molding in a peripheral surface of a shaft body formed by primary molding.例文帳に追加

一次成形により形成した軸体の外周面に、弾性樹脂からなるグリップ部材を二次成形により配した万年筆の前軸筒において、万年筆として組立てて筆記する際に、グリップ部のゲート跡が指等に触れることのないような、万年筆の前軸筒を提案する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a gate electrode 32 provided on a semiconductor layer 12, a source electrode 34 and a drain electrode 30 with the gate electrode 32 in-between, a field plate 42 provided on a region between the drain electrode 30 and an element separation region 36 located on extension of direction of finger as an elongated direction of the drain electrode 30.例文帳に追加

半導体層１２上に設けられたゲート電極３２と、ゲート電極３２を挟んで設けられたソース電極３４およびドレイン電極３０と、ドレイン電極３０の長手方向であるフィンガ方向の延長上に位置する素子分離領域３６とドレイン電極３０との間の領域上に設けられた第１フィールドプレート４２と、を具備することを特徴とする半導体装置およびその製造方法である。 - 特許庁

One layer is formed by plural times of exposure including high- resolution exposure using plural fine patterns (gate finger parts) and plural phase shift patterns (shifters) which are respectively arranged on both sides in the fine line width direction of the fine patterns and negate the interference of light by the phase difference of the light passing the same and ordinary exposure exclusive of the fine pattern points.例文帳に追加

複数の微細パターン（ゲートフィンガ部）と、当該微細パターンの微細線幅方向両側にそれぞれ配置され、透過する光の位相差により光の干渉を打ち消す複数の位相シフトパターン（シフタ）と用いた高解像度露光と、微細パターン箇所以外の通常露光とを含む複数回露光により一つの層を形成する。 - 特許庁