form memory methodとは 意味・読み方・使い方

To provide an improved memory cell array comprising a trench capacitor, and an improved method to form it.例文帳に追加

トレンチキャパシタを有するメモリセルアレイを形成するための改良された方法及び改良されたメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the variable-resistance memory device includes steps to form the heating electrode, to form a variable-resistance matter film on the heating electrode, and to form an upper electrode on the variable resistance matter film.例文帳に追加

可変抵抗メモリ装置の製造方法は、加熱電極を形成し、加熱電極上に可変抵抗の物質膜を形成し、そして、可変抵抗の物質膜上に上部電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which can form cell regions and peripheral circuit regions by differentiating their trench depths at a shallow trench isolation process time of the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのＳＴＩ工程時にセル領域と周辺回路領域のトレンチ深さを異ならせて形成することが可能なフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory device suppressing generation of pattern collapse or pattern short-circuit between adjacent memory cells in a lower part of the memory cells when a laminated film containing a resistance change layer and a rectifying layer is processed to form a columnar memory cell.例文帳に追加

抵抗変化層と整流層とを含む積層膜を柱状のメモリセルを加工する場合に、パターン倒れやメモリセル下部での隣接するメモリセルとの間のパターンショートの発生を抑える不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which rectangular cells such as memory cell arrays or the like are arranged in a square form, and a layout designing method of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

メモリセルアレイ等の矩形セルを正方形に配置した半導体集積回路及びそのレイアウト設計方法を提供する。 - 特許庁

The method is especially effective when the compressed texture data to be fetched is stored in a memory in a form of a variable length block.例文帳に追加

本発明の方法は、取り出すべ圧縮テクスチャ・データが可変長ブロックの形式でメモリに記憶されている場合特に効果的である。 - 特許庁

A volatile memory element manufacturing method includes a process to form a tunneling insulating film on a substrate, and a process to form a crystalline charge trap layer on the tunneling insulating membrane.例文帳に追加

基板上にトンネリング絶縁膜を形成する工程と、トンネリング絶縁膜上に結晶質電荷トラップ層を形成する工程と、を含む不揮発性メモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

One implementation form is a method for dynamically regulating a refresh rate of a dynamic random access memory (DRAM) 102 in a computer system 100.例文帳に追加

一実施形態は、コンピュータシステム（１００）においてダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＤＲＡＭ」）（１０２）のリフレッシュレートを動的に調節する方法である。 - 特許庁