「form memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A memory image (such as in a bitmap form) of the plotting result is further transmitted to a printer together with an internal command and the printer performs output by a method for pasting the transmitted memory image to a frame memory.例文帳に追加

さらにその描画結果のメモリイメージ（ビットマップ形式等）を、内部コマンドと共にプリンタに送出し、プリンタは、送られたメモリイメージをフレームメモリに貼り付ける方法で出力を行う。 - 特許庁

To provide a method of forming a split gate type flash memory which enables to form a tip of a floating gate into an acute angle.例文帳に追加

フローティングゲートのチップ部分を鋭角に形成することができるスプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved memory cell array comprising a trench capacitor, and an improved method to form it.例文帳に追加

トレンチキャパシタを有するメモリセルアレイを形成するための改良された方法及び改良されたメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the variable-resistance memory device includes steps to form the heating electrode, to form a variable-resistance matter film on the heating electrode, and to form an upper electrode on the variable resistance matter film.例文帳に追加

可変抵抗メモリ装置の製造方法は、加熱電極を形成し、加熱電極上に可変抵抗の物質膜を形成し、そして、可変抵抗の物質膜上に上部電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which can form cell regions and peripheral circuit regions by differentiating their trench depths at a shallow trench isolation process time of the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのＳＴＩ工程時にセル領域と周辺回路領域のトレンチ深さを異ならせて形成することが可能なフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory device suppressing generation of pattern collapse or pattern short-circuit between adjacent memory cells in a lower part of the memory cells when a laminated film containing a resistance change layer and a rectifying layer is processed to form a columnar memory cell.例文帳に追加

抵抗変化層と整流層とを含む積層膜を柱状のメモリセルを加工する場合に、パターン倒れやメモリセル下部での隣接するメモリセルとの間のパターンショートの発生を抑える不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which rectangular cells such as memory cell arrays or the like are arranged in a square form, and a layout designing method of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

メモリセルアレイ等の矩形セルを正方形に配置した半導体集積回路及びそのレイアウト設計方法を提供する。 - 特許庁

The method is especially effective when the compressed texture data to be fetched is stored in a memory in a form of a variable length block.例文帳に追加

本発明の方法は、取り出すべ圧縮テクスチャ・データが可変長ブロックの形式でメモリに記憶されている場合特に効果的である。 - 特許庁

A volatile memory element manufacturing method includes a process to form a tunneling insulating film on a substrate, and a process to form a crystalline charge trap layer on the tunneling insulating membrane.例文帳に追加

基板上にトンネリング絶縁膜を形成する工程と、トンネリング絶縁膜上に結晶質電荷トラップ層を形成する工程と、を含む不揮発性メモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

One implementation form is a method for dynamically regulating a refresh rate of a dynamic random access memory (DRAM) 102 in a computer system 100.例文帳に追加

一実施形態は、コンピュータシステム（１００）においてダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＤＲＡＭ」）（１０２）のリフレッシュレートを動的に調節する方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a redundancy method of this memory in which repair efficiency can be increased by enabling repair separating respectively banks, blocks, and column address groups depending on a form of defect.例文帳に追加

本発明は、不良の形態によってバンク、ブロック、及びコラムアドレスグループ別にリペアできるようにすることによってリペア効率を増加できる半導体メモリ装置並びに装置のリダンダンシー方法を提供する。 - 特許庁

In this method, an application program is stored in a nonvolatile memory of a first computer in the form of a plurality of individual and independent machine-executable code modules.例文帳に追加

方法においては、アプリケーション・プログラムが複数の個別かつ独立なマシン実行可能コード・モジュールの形で第１のコンピュータの不揮発性メモリに記憶される。 - 特許庁

The shared memory of the shared system side also has the connection form of a broadcasting method in a 2-port system configuration to be integrally used with the CPU system.例文帳に追加

また、共有システム側の共有メモリも２ポート方式の構成をブロードキャスト方式の接続形態を持って前記ＣＰＵシステムと融合して用いる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus and a storage region acquiring method for preventing conversion of a form of image data from becoming impossible since a memory cannot be acquired.例文帳に追加

メモリを取得できずに画像データの形式の変換が行えなくなることを回避する画像形成装置、記憶領域取得方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a fine wiring, while being able to form a memory cell portion and a peripheral circuit part in few processes.例文帳に追加

メモリセル部と周辺回路部とを少ない工程で形成できるとともに微細な配線を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of fabricating a flash memory device, an insulating layer 118 having an overhang shape is used to form an air-gap 122 within an oxide layer 120 between subsequent word lines 110a.例文帳に追加

オーバーハング形状を有する絶縁膜１１８を用いて後続のワードライン１１０ａ間の酸化膜１２０の内部にエアーギャップ(air-gap)１２２を形成する。 - 特許庁

The coupling and weighting method can be carried out by using a memory (15) storing mathematic functions describing the weighting and coupling method in a form of a lookup table.例文帳に追加

結合および加重方法は、加重および結合方法を記載している数学的関数がルックアップテーブルの形状において記憶されているメモリ（１５）を使用して実施させることができる。 - 特許庁

The method includes (a) writing a value into a first memory 560 which forms a portion of an RFID tag and which has a length; (b) writing a form in the second memory 550 of the RFID tag: and (c) imposing access control rules on the first memory 560 in response to (a) and (b).例文帳に追加

（ａ）ＲＦＩＤタグの一部を成すと共に長さを有する第１のメモリ５６０に値を書き込み、（ｂ）前記ＲＦＩＤタグの第２のメモリ５５０に型を書き込み、（ｃ）前記（ａ）および（ｂ）に応答して、前記第１のメモリ５６０にアクセス制御規則を課す。 - 特許庁

To form an accurate desired gate electrode by suppressing an electron shading damage and reducing positive charging by a polysilicon electrode, in a manufacturing method for semiconductor memory and an etching method for gate electrode using a plasma dry etching method for flash memory or DRAM, etc., having a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートを有するフラッシュメモリやＤＲＡＭ等のプラズマドライエッチングによる半導体メモリの製造方法及びゲート電極エッチング方法に関し、電子シェーディングダメージを抑制し、ポリシリコン電極が正のチャージングを抑制して正確な所望のゲート電極を形成することを課題とする。 - 特許庁

After that, the CVD method is used to form a deposition film 18 in the memory cell region Rmc and select gate region Rsg, remove the deposition film 18 from the memory cell region Rmc, form a block insulating film 16 on the charge film and deposition film 18, and form a word electrode WL and a select gate electrode SG on the block insulating film 16.例文帳に追加

次に、メモリセル領域Ｒｍｃ及びセレクトゲート領域ＲｓｇにＣＶＤ法により堆積膜１８を形成し、メモリセル領域Ｒｍｃから堆積膜１８を除去し、チャージ膜上及び堆積膜１８上にブロック絶縁膜１６を形成し、ブロック絶縁膜１６上にワード電極ＷＬ及びセレクトゲート電極ＳＧを形成する。 - 特許庁

To provide a system and method that utilizes external memory devices to cache sectors form a rotating storage device (e.g., a hard drive) to improve system performance.例文帳に追加

回転式ストレージデバイス（例えば、ハードドライブ）のセクタをキャッシュするために外部メモリデバイスを利用して、システムパフォーマンスを改善するためのシステムおよび方法を提供すること。 - 特許庁

3-D MODELING METHOD OF GROUND LAID FIXED FORM CONCRETE E.G. WAVE DISSIPATING CONCRETE BLOCK, 3-D MODELING PROGRAM, AND COMPUTER READABLE MEMORY MEDIUM RECORDED WITH IT例文帳に追加

消波ブロック等の地上敷設定型物の三次元モデリング方法および三次元モデリングプログラムならびにそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

To provide a method of manufacturing the dielectric film of a flash memory element to form the dielectric film being excellent in charge retention property and uniform and having a thin thickness.例文帳に追加

電荷保持特性に優れ且つ均一で薄い厚さを有する誘電体膜を形成するためのフラッシュメモリ素子の誘電体膜製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the correcting method is filing a corrected value depending on the number of revolutions in a data memory 18 in the form of a table and allowing the value to be read by the arithmetic and logic device 15.例文帳に追加

またその補正方法は、回転数に依存する修正値をデータメモリ１８に表形式でファイルしておき演算装置１５より読み出し可能にしてある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a SONOS memory element capable of manufacturing a memory element of SONOS form, capable of intentionally adjusting distribution of electrons and holes generated at programming and erasing, and having a stable 2-bit characteristic even in a memory gate length of ≤0.10 μm by reducing a short channel phenomenon.例文帳に追加

プログラム及び消去時に生成される電子及びホールの分布を意図的に調節でき、同時に短チャンネル現象を減らせて、０．１０μｍ以下のメモリゲート長でも安定した２ビット特性を有するＳＯＮＯＳ形態のメモリ素子を製造できるＳＯＮＯＳメモリ素子製造方法を提供する。 - 特許庁

A test method has a step selecting a circuit form of a test so that the same tiles are programmed in the same way as much as possible, and a step programming simultaneously and erasing simultaneously plural memory rows corresponding to the tile in a circuit form of a test.例文帳に追加

テスト方法は、同一のタイルはできるだけ同一にプログラムされるようにテストの回路形態を選択するステップと、該タイルに対応する複数のメモリ行を、該テストの回路形態に、同時にプログラム及び同時に消去するステップとを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonvolatile semiconductor memory apparatus which can form the tunnel window of a small diameter without exfoliating by wet etching, as well as without giving a damage to a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にダメージを与えることなく、ウェットエッチングにより剥離することなく、小さい径のトンネル窓を形成できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a printer and a printing method capable of storing an image taken by a digital camera or the like in a general purpose memory device such as a photomagnetic disk type AV deck or the like in a form of image data.例文帳に追加

デジタルカメラ等で撮影された画像を、光磁気ディスク式ＡＶデッキ等、汎用の記憶装置に画像データの形態で保存できるプリンタおよびプリント方法を提供する。 - 特許庁

To provide the access form conversion method and device capable of simplifying connecting in a hardware and also handling access to a PC card equally to an external memory or the like in a software.例文帳に追加

ハード的な接続を簡単にすると共に、ソフト的にもＰＣカードへのアクセスを外部メモリ等と同等に扱うことができるアクセス形態変換方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The method for forming the phase change memory device includes a step of applying a precursor for phase change material and a reactive radical containing nitrogen on a substrate to form phase change material film.例文帳に追加

本発明の相変化メモリ装置の形成方法は、基板に相変化物質用前駆体及び窒素を含む反応性ラジカルを提供して相変化物質膜を形成するステップを有する。 - 特許庁

In a manufacturing method of the EEPROM-type memory cell, before forming a first spacer film 15, the low-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask a control gate 13 as to form a low-concentration drain region 14a.例文帳に追加

第１のスペーサ膜１５形成前に、コントロールゲート１３をマスクとしてｎ型不純物を低濃度にイオン注入することで、低濃度のドレイン領域１４ａを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a SONOS memory element capable of manufacturing a memory element of SONOS form, capable of intentionally adjusting the distributions of electrons and holes generated at the time of programming and erasing, and at the same time, having a stable 2-bit characteristic even in a short memory gate length of no more than 0.10 μm by reducing a short channel phenomenon.例文帳に追加

プログラム及び消去時に生成される電子及びホールの分布を意図的に調節でき、同時に短チャンネル現象を減らせて、０．１０μｍ以下のメモリゲート長でも安定した２ビット特性を有するＳＯＮＯＳ形態のメモリ素子を製造できるＳＯＮＯＳメモリ素子製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing NAND flash memory device by which, in a process wherein a bonding region of a selective transistor is exposed to form a contact plug, a gate and the contact plug are prevented from short-circuiting.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの形成において、選択トランジスタの接合領域を露出させ、コンタクトプラグを形成する過程でゲートとコンタクトプラグが短絡することを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

The mounting method of the flash memory card includes procedures 301 to 308 to form a protective film.例文帳に追加

本考案のフラッシュメモリカード実装方法は、保護膜を形成する手順を含まれ、該保護膜は電気回路を保護し、移動（ｍｏｖｅｍｅｎｔ）および後工程の射出成型における熱源の影響を受けないためである。 - 特許庁

In imaging device and method for capturing images and storing them inside the photosensitive area (172) of the device by a digital form, the integration of the arrays of memory cells inside the respective pixels (68) of the photosensitive area is included.例文帳に追加

イメージを捕捉し、デジタル形式で装置の感光領域(172)内に記憶するイメージング装置及び方法には、感光領域の各ピクセル(68)内にメモリセル(10,32,34)のアレイ(70,72)を集積化することが含まれる。 - 特許庁

To provide a highly reliable non-volatile semiconductor memory device and a producing method therefor by suppressing a contact failure by preventing the form change of a contact hole and improving embedding property.例文帳に追加

コンタクトホールの形状変化の防止、及び埋め込み性を向上させることにより、コンタクト不良を抑制し、高信頼性の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a stored program, a storage method and a storage device which can eliminate the work of creating a folder to be a storage destination when collecting form data in a memory device of a computer composing an electronic form system with an open-based information system and a host-based information system.例文帳に追加

オープン系情報システムやホスト系情報システムから電子帳票システムを構成するコンピュータの記憶装置へ帳票データを収集する際に、その格納先となるフォルダを作成する作業を省略し得る格納プログラム、格納方法、格納装置を、提供する。 - 特許庁

To provide a mobile object video image compositing method and its device with which mobile object information is extracted from video images in a form to be composited with the memory of a small capacity and new video images are composited based thereon.例文帳に追加

映像中から移動物体情報を小容量で合成可能な形式で抽出し、それを元に新たな映像を合成可能にする移動物体映像合成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To form an insulation film wherein its resistance is lower than that of an aluminum oxide and its high MR ratio is obtained, with respect to a laminated film having a ferromagnetic tunnel junction, a manufacturing method thereof, a magnetic sensor, a magnetic recorder, and a magnetic memory unit.例文帳に追加

強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置に関し、酸化アルミニウムより低抵抗で、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To show a user a processing method for data that can be received by a terminal in the form corresponding to a terminal attribute showing the display resolution of the terminal, memory use situation, etc., and also to process data into a receivable format.例文帳に追加

端末の表示解像度を示す端末属性及びメモリ使用状況等に応じた形で端末が受信可能なデータの加工方法をユーザに示すとともに受信可能な形式にデータ加工する。 - 特許庁

To obtain an automatic wiring design method capable of effectively mitigating a degree of wiring congestion of a wiring channel region surrounding a memory cell, by calculating an optimum wiring path of a functional inter-block wiring in the form of taking in a degree of freedom in a method for taking a line connection position.例文帳に追加

結線位置の取り方の自由度を取り込んだ形で機能ブロック間配線の最適な配線経路の計算をできる様にすることで、効果的にメモリセル周辺の配線チャネル領域の配線混雑度を緩和できる自動配線設計方法を得る。 - 特許庁

This control device comprises a print image compression part 326 for compressing a print image, a print image extension part 328 for performing a corresponding extension processing, and a memory image storage control part 300 for analyzing whether the storage content stored in a main memory 130 is processable by the print image compression part 326 or not to form a compression method table.例文帳に追加

印刷イメージを圧縮する印刷イメージ圧縮部３２６ と対応した伸張処理をする印刷イメージ伸張部３２８ と、メインメモリ１３０ に記憶されている記憶内容が印刷イメージ圧縮部３２６ にて処理できるか否かを解析して圧縮方法テーブルを作成するメモリイメージ保存制御部３００ を設ける。 - 特許庁

The method and device are especially suitable to be used in the computer graphic system (400) including one or more areas of a memory such as a frame buffer, and the memory areas are organized in a rectangular form as storage areas which are continuous but are not sequential address designable in the 1st storage area (450) of the system (400).例文帳に追加

方法及び装置は、フレームバッファのようなメモリの1つ以上の領域を含むコンピュータグラフィックシステム(400)における使用に特に適合し、そのメモリの領域は、グラフィックシステム(400)の第一の記憶領域(450)内で連続しているが順次アドレス指定可能でない記憶場所として矩形状の態様で編成されている。 - 特許庁

To establish a method which matches both processes and can form both elements together by damascene process with good controllability, when the manufacturer mounts a single gate peripheral transistor and a stacked gate type of nonvolatile memory cell mixedly on one chip.例文帳に追加

単ゲート型周辺トランジスタと、積層ゲート型不揮発性メモリセルを1チップ上に混載させる際、両プロセスを整合させ制御性良くこれらの素子両方を一緒にダマシンゲートプロセスで形成できる方法の確立が課題である。 - 特許庁

To provide a carrier for developing an electrostatic latent image, which maintains a stable charging ability and resistance with less deterioration even in the case of large quantities of prints and high-quality printing and is capable of particularly suppressing development memory to form an image of high quality, a manufacturing method thereof, and an image forming method using the same.例文帳に追加

大量印刷、高印字下でも劣化が小さく安定な帯電能力と抵抗を維持し、特に現像メモリを抑制でき高品位な画像を形成しうる静電潜像現像用キャリアとその製造方法、及びそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁