「form memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing a ferroelectric memory, a ferroelectric material film 14 formed on a lower electrode material film 12 is patterned by underetching so as not to expose the lower electrode material film 12 to form a plurality of ferroelectric sections 22 and a residual underetched film 24.例文帳に追加

強誘電体メモリの製造方法では、下部電極材料膜１２上に形成された強誘電体材料膜１４を、下部電極材料膜１２が露出しないように、アンダーエッチングによってパターニングして、複数の強誘電体部２２と、アンダーエッチング残膜２４と、を形成する。 - 特許庁

Also, in the manufacturing method of the ferroelectric memory, after forming firstly a conductive film and an insulation film on its substrate, the ferroelectric film, the source electrode, and the drain electrode are formed secondly on the insulation film to form thereafter thirdly the gate electrode on the ferroelectric film.例文帳に追加

また、基板の上に導電膜と絶縁膜とを形成した後、前記絶縁膜の上に強誘電体膜と、ソース電極と、ドレイン電極とを形成し、その後、前記強誘電体膜の上にゲート電極を形成する強誘電体メモリ素子の製造方法とする。 - 特許庁

To provide an image reader and a signal processing method capable of interpolating missing pixels with high accuracy and thus minimizing the memory capacity required for the interpolation, even if sensitivity characteristics vary among individual imaging elements that form an adhesion type image sensor.例文帳に追加

欠落画素を適切に補間することができ、密着イメージセンサーを構成する個々の撮像素子の感度特性などにばらつきがあっても、高精度に補間を行なえ、補間に要するメモリ容量を最小限に抑えることができる画像読取装置及び信号処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a memory cell of a floating gate structure which can form a silicon nitride film without involving reduction in yield while suppressing fluctuations in transistor threshold voltage as an etching stop layer for the processing of a bottom borderless contact on a control gate electrode.例文帳に追加

浮遊ゲート構造のメモリセルを備えてなる半導体装置において、制御ゲート電極上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として、トランジスタの閾値電圧変動を抑制しつつ、歩留りの低下を伴わずに窒化珪素膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing flash memory cell is provided with steps such as step for sequentially forming a pad oxide film 22 and a pad nitride film 23 on a wafer 21, and step for performing a source ion implantation process after the pad nitride film in the area planned to form a source S is removed.例文帳に追加

本発明に係るフラッシュメモリ素子の製造方法は、半導体基板２１上にパッド酸化膜２２及びパッド窒化膜２３を順次形成し、ソースＳ形成予定領域の前記パッド窒化膜を除去した後、ソースイオン注入工程を行う段階等の段階を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an authentication system, a portable radio communication terminal, an authentication method, an authentication program, an authentication information generating method, and an authentication information generation program attainable of a system in which user spoofing is difficult with high convenience in a form that a load is not applied to memory of a user even when a non-contact information storage medium which is a token is stolen.例文帳に追加

仮にトークンである非接触型情報記憶媒体が盗取された場合であっても、ユーザなりすましが困難なシステムをユーザの記憶に負荷をかけない形で利便性高く実現することができる認証システム、携帯無線通信端末、認証方法、認証プログラム、認証情報生成方法、認証情報生成プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a remote downloading system and method that can make the memory capacity on a reception side small, reduce the influence on the services to be provided to a user, and simplify frame constitution of download data by delimiting the download data to be within a predetermined size and transmitting the data in the form of a plurality of framed data.例文帳に追加

ダウンロードデータを所定のサイズ内に区切って複数のフレーム化データにして送信することにより、受信する側のメモリ容量を小さくでき、ユーザに提供するサービスへの影響を低減させ、ダウンロードデータのフレーム構成を簡単にすることができる遠隔ダウンロードシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for using a support vector machine and a subset which form the subset of threshold data for discrimination by selecting a threshold suitable for the discrimination from a large amount of multivariable data stored in a memory by scanning that uses many sensors and many wavelengths to discriminate, classify and authenticate a document including paper money.例文帳に追加

紙幣を含む文書を識別・分類しかつ認証するために多くのセンサ及び多くの波長を用いる走査によりメモリ内に保存される大量の多変数データから、識別に適した閾値を選択して識別のための閾値データのサブセットを形成するためのサポート・ベクタ・マシン及びサブセットの使用法に関する。 - 特許庁

The disclosed method includes, in a flash memory device comprising a stack gate electrode, a step of performing a radical oxidization process on the entire resulting surface including the stack gate electrode to form a sidewall oxide film on sidewalls of the stack gate electrode, and to maintain the profile of the stack gate electrode before the radical oxidization process.例文帳に追加

スタックゲート電極が備えられたフラッシュメモリ素子において、前記スタックゲート電極の含まれた結果物の全面にラジカル酸化工程を行い、前記スタックゲート電極の側壁に側壁酸化膜を形成すると共に前記ラジカル酸化工程前の前記スタックゲート電極のプロファイルを維持させる段階を含む。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor memory device includes: a step (a) of sequentially laminating a TMR film 5 and a cap layer 6 on base layers 1, 2, 3 and 4; and a step (b) of patterning the TMR film 5 and the cap layer 6 to form a normal laminate structure pattern 13 and a dummy laminate structure pattern 16 thereof.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置は、（ａ）下地層１，２，３，４上にＴＭＲ膜５、キャップ層６を順に積層する工程と、（ｂ）ＴＭＲ膜５、キャップ層６をパターニングして、それらの正規積層構造パターン１３およびダミー積層構造パターン１６を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide image processing equipment, a printing system, an image data form selecting method, program and a recording medium wherein a storage device installed in imaging equipment, such as a digital camera and a digital video camera is used effectively without generating shortage of the memory in the image processing of printing data, costs for the printing system is reduced to a minimum, and the printing system superior in flexibility can be realized.例文帳に追加

印刷データの画像処理中にワークメモリを不足させること無く、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像装置の有するメモリを有効に使い、プリントシステムとしてのコストを最小限に抑え、且つ柔軟性に富んだプリントシステムを実現可能とした画像処理装置、印刷システム、画像データ形式選択方法、プログラム、及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method which can form semiconductor dots as desired, while making a semiconductor film polycrystalline without spoiling the planarity of the top surface of a polycrystalline silicon layer and a tunnel oxide film and can easily manufacture a memory element, having a fine particle floating gate easily at a low cost, even when the substrate is made of glass or plastic.例文帳に追加

結晶化シリコン層の表面の平坦性やトンネル酸化膜を損なうことなく、半導体膜を所望のように多結晶化する一方で、所望のように、半導体ドットを形成することができ、基板がガラスあるいはプラスチックで形成されている場合にも、容易に、かつ、低コストで、微粒子フローティングゲートを有するメモリ素子を製造することができるメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method includes steps for: locating a first reference frame portion from a first frame in a first pass, storing the first reference frame portion in a memory; locating a second reference frame portion from a second frame in a second pass, and combining the first reference frame portion and the second reference frame portion to form a bi-directionally predicted portion.例文帳に追加

１巡目において第１のフレームから第１の参照フレーム部分の位置を見つけること、メモリ中に第１の参照フレーム部分を記憶すること、２巡目において第２のフレームから第２の参照フレーム部分の位置を見つけること、そして２方向に予測された部分を形成するために第１の参照フレーム部分及び第２の参照フレーム部分を統合すること、を含む。 - 特許庁

A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element.例文帳に追加

本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート（Self Align Floating Gate）を形成する半導体素子の形成方法に関する。 - 特許庁