growing crackとは 意味・読み方・使い方

To provide a liquid phase-growing apparatus and a liquid phase- growing method which can prevent a crack by thermal expansion of a substrate and control film-growing on the back of the substrate, immerse the substrate in a solution while holding the substrate surely in a standing posture.例文帳に追加

基板を起立姿勢で確実に保持して溶液に浸漬し、基板の熱膨張による割れを防止でき、基板裏面の膜成長を抑制できる液相成長装置、および液相成長方法を提供する。 - 特許庁

To suppress crack generation at the time of epitaxially growing a nitride semiconductor on an Si based substrate and to improve crystal quality.例文帳に追加

Ｓｉ系基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる際のクラック発生を抑制し、結晶品質を向上させる。 - 特許庁

To provide a rubber composition for sidewall or clinch improving cut-proof and growing-crack-proof properties and improving fuel consumption of a motor vehicle.例文帳に追加

耐カット性および耐亀裂成長性、ならびに車の低燃費性を向上させたサイドウォールまたはクリンチ用ゴム組成物を提供する。 - 特許庁

Accordingly, since the outer peripheral side 15 is formed into a substantially vertical face, the outer periphery is prevented from becoming an acute-angled shape, even after they become thin by the grinding, without suffering from the occurrence of any crack, so that even heating thereafter prevents any crack from growing.例文帳に追加

外周側部１５を略垂直面とすることにより研削により薄くなった後も外周が鋭角形状にならず欠けが生じないため、その後加熱してもクラックが成長しない。 - 特許庁

To provide a large-area epitaxial semiconductor substrate by growing a compound semiconductor crystal to be crack-free, when growing epitaxially the single-crystal compound semiconductor crystal whose lattice constant is approximately equal to or the same as that of a base substrate.例文帳に追加

格子定数が下地基板と略等しい乃至同一の単結晶の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させるに当たり、当該化合物半導体結晶をクラックフリーのものとして大面積のエピタキシャル半導体基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of producing a compound semiconductor single crystal, by which the internal strain in the crystal is removed after growing the crystal, thereby the occurrence of a crack or a slip can be prevented in the working process.例文帳に追加

結晶成長後の結晶内の内部歪みを除去し、加工工程でのクラック・スリップの発生を防止できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress defects by suppressing a crack due to a thermal expansion coefficient difference and lattice constant difference of a growing III-V compound semiconductor layer and a substrate crystal.例文帳に追加

成長するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。 - 特許庁

To prevent a micro crack from growing without predrying a thermoplastic saturated norbornene-based resin and to obtain an optical film showing a small haze value, optical uniformity and excellent transparency.例文帳に追加

熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂を予備乾燥することなしに、ミクロクラックの発生を防止し、しかもヘイズ値が小さく光学的に均質で透明性に優れた光学フィルムを得る。 - 特許庁