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h a thinとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ハティン省。ベトナムの中北部に位置する省（地方自治体）の一つ。
「h a thin」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 77件
A sensor inserting hole H of a cover C is blocked up by a seal thin film T.例文帳に追加
シール薄膜Ｔで、カバーＣのセンサ挿入孔Ｈを塞ぐ。 - 特許庁
The array substrate is prepared by forming a thin-film transistor on a display part H.例文帳に追加
表示部Ｈに薄膜トランジスタが形成されてなるアレイ基板である。 - 特許庁
A groove (H) transversing the optical waveguide is formed in the wave guide thin film (12) by dry etching, and the groove (H) is dug down in the silicon substrate (11) halfway by dry etching with the wave guide thin film (12) as a mask.例文帳に追加
光導波路を横切る溝(H)をドライエッチングにより導波薄膜(12)に形成し、その導波薄膜(12)をマスクとするドライエッチングによりシリコン基板(11)の途中まで溝(H)を掘り下げる。 - 特許庁
At this time, a pinhole 7 is also formed on the formed metal thin film (h).例文帳に追加
この際、成膜された金属薄膜にも、ピンホール７が形成される（ｈ）。 - 特許庁
The target substance for generating protons includes a support thin film and a hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film formed on the support thin film.例文帳に追加
陽子発生用のターゲット物質は、支持薄膜と、支持薄膜上に形成された、水素化されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）薄膜から成る。 - 特許庁
To form a high-quality thin film such as an amorphous silicon thin film by improving the quality of the amorphous silicon thin film, particularly the Si-H bond ratio of the film.例文帳に追加
アモルファスシリコン薄膜の膜質、特にＳｉ−Ｈ結合比を改善し、良質なアモルファスシリコン膜等の薄膜を形成する。 - 特許庁
A thin film scanning line upper electrode GL-H is formed on a tunnel insulating film INS2.例文帳に追加
また、薄膜の走査線上部電極ＧＬ−Ｈをトンネル絶縁膜ＩＮＳ２の上に成膜する。 - 特許庁
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「h a thin」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 77件
Then, the thin layer 5 is formed with a dynamic hardness [H] in the range of ≥10 and ≤50.例文帳に追加
そして、薄層５はダイナミック硬度［Ｈ］が１０以上で、５０以下の範囲で形成されている。 - 特許庁
A thin film region R1 in which an interlayer insulating film 4 is decreased in thickness is formed around a fuse H, a probe card 12 is shifted in a sliding manner, and the fuse H is scratched by a probe 13, whereby the fuse H is cut off.例文帳に追加
層間絶縁膜４が薄膜化された薄膜化領域Ｒ１をヒューズＨの周囲に形成し、プローブカード１２をスライド移動させ、プローブ１３にてヒューズＨをスクラッチさせることにより、ヒューズＨを切断させる。 - 特許庁
The optical thin film manufacturing apparatus comprises a lens holder H to rotatably hold a lens L1, a support holder P, and a vapor deposition source S to evaporate a vapor deposition material S1 for forming a thin film toward a surface of the lens L1.例文帳に追加
レンズ(L1)を自転可能に保持するレンズホルダー(H)と支持ホルダー(P)、レンズ(L1)の表面に向けて薄膜形成用の蒸着材料(S1)を蒸散させる蒸着源(S)を設けた。 - 特許庁
The amorphous thin film 41 consists of i-type a-Si:H, and the crystal thin film 42 consists of (i) type poly-Si.例文帳に追加
非晶質薄膜４１は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。 - 特許庁
In the circuit board S1 wherein a laminated solder H constituted of an alternate multilayer film 4 of Au thin films and Su thin films is formed on a board 1, the uppermost layer 5 and the lowermost layer 3 of the laminated solder H are made of Au thin films, and the total film thickness of the Sn thin films is greater than that of the Au thin films.例文帳に追加
基板１上に、Ａｕ薄膜とＳｎ薄膜の交互多層膜４から成る積層はんだＨを形成した回路基板Ｓ１において、積層はんだ４の最上層５及び最下層３をＡｕ薄膜にするとともに、Ａｕ薄膜の合計膜厚よりＳｎ薄膜の合計膜厚が大であることを特徴とする。 - 特許庁
A key (white key) 11 of a key unit 10 has a restricted wall member 14 stood nearby a hinge mechanism H composed of a thin-thickness portion 12.例文帳に追加
鍵ユニット１０の鍵（白鍵）１１において、薄肉部１２で構成されるヒンジ機構Ｈの近傍に被規制壁部材１４を立設する。 - 特許庁
The high resistance layer 10 is formed as, for example, a thin CrNi layer, a doping Si layer, an a-C : H layer, or a Ti implantation part.例文帳に追加
高抵抗層は、例えば、薄ＣｒＮｉ層、ドーピングＳｉ層、ａ−Ｃ：Ｈ層又はＴｉインプランテーション部である。 - 特許庁
The semiconductor thin film 5 is irradiated with a spot energy beam h' through the impurity film A using the gate electrode 9 as a mask.例文帳に追加
ゲート電極９をマスクとし、不純物膜Ａを介して半導体薄膜５にエネルギービームｈ’をスポット照射する。 - 特許庁
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