hemi-sphericalとは 意味・読み方・使い方

Since the hemi-spherical discharge electrode 22 has fewer discharge points than a wire electrode discharge unit using metal wire, an ionized portion becomes proportionately fewer, hence, lessened ionized products.例文帳に追加

放電電極２２は略半球状をしていて、金属ワイヤを用いたワイヤ電極放電器に比べて放電点が少ないので、その分だけ電離部分が少なくなって電離生成物が生成される量を少なくすることができる。 - 特許庁

By heating the lower electrode 35 in an amorphous state, an HSG (Hemi-Spherical-Grain) is formed only on the inside of the lower electrode 35 into which the phosphorus is not injected.例文帳に追加

アモルファス状態の下部電極３５を加熱処理することにより、リンが注入されていない下部電極３５の内面にのみＨＳＧを形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device in which the front surface area of HSG (Hemi-Spherical Grain) film formed in a semiconductor capacitor lower electrode will not decrease in subsequent cleaning processes.例文帳に追加

半導体キャパシタ下部電極に形成されるＨＳＧ膜の表面積が、後続の洗浄工程で減少しない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-transmitting member 51 forms a hemi-spherical surface with a radius R wherein a distance from the center 31 of the light source 3 to an opening edge 41 of the reflecting mirror 4 is equal to R, and minute unevenness 6 is prepared on the surface of the light-transmitting member 51.例文帳に追加

光透過部材５１は、光源部３の中心３１から反射鏡４の開口縁４１までの距離を半径Ｒとする半球面を成し、その部材の表面に微小凹凸６を有する。 - 特許庁

Hemi- spherical index parts 33 and 33 are arranged at the rear side of the base material 3 so that positioning is executed by the parts 33 in the case of a work by cutting or grinding.例文帳に追加

なお、補綴物素材３の裏側には、半球状の指標部３３、３３が設けられており、これら指標部３３、３３により、上記切削または研削加工する際の位置決めが成される。 - 特許庁

Dimples in hemi-spherical form are provided in 3, 5, 7 or 9 places in accordance with the size of the bolt and nut from the periphery toward the thread center line of their fastening and loosening part 1 and 6.例文帳に追加

また、ボルト及びナットの締め付け、弛め部のネジ中心線に向かって外周より半球状の窪みをボルト及びナットのサイズの大、小にあわせて、３，５，７，９の奇数カ所作るものである。 - 特許庁

Hemi- spherical index parts 33 and 33 are arranged at the rear side of the base material 3 so that positioning is executed by the parts 33 in the case of a work by cutting or grinding.例文帳に追加

なお、補綴物素材３の裏側には、半球状の指標３３、３３が設けられており、これら指標３３、３３により、上記切削または研削加工する際の位置決めが成される。 - 特許庁

The HSG(hemi-spherical grain) film 113 is grown on the inside wall of the storage electrode, so that the microbridge between storage electrodes caused by abnormal growth and excessive growth of the HSG film 113 is prevented.例文帳に追加

このような半導体メモリ装置のキャパシタ製造方法は、ＨＳＧ膜１１３をストレージ電極の内壁に成長させることによってＨＳＧ膜１１３の異常成長や過多成長によるストレージ電極間のマイクロブリッジを防止できる。 - 特許庁