heterogeneous formationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for producing an implant having a heterogeneous texture formation.例文帳に追加

テクスチャー異質構造を有するインプラントの製造方法の提供。 - 特許庁

Porous protein substrate having a formation of directional pores is at least partially fixed in the heterogeneous texture formation.例文帳に追加

方向性孔構造を有する多孔性タンパク質基質を、少なくとも部分的にテクスチャー異質構造に固定する。 - 特許庁

To provide a crucible which causes a single crystal of calcium fluoride to grow easily by suppressing polycrystallization (change into a heterogeneous phase) and promoting single crystal formation.例文帳に追加

多結晶化（異相化）を抑制し、単結晶化を助長することでフッ化カルシウムの単結晶を容易に育成することができるルツボを提供する。 - 特許庁

The magnet 4 and the mask 5 move together and only the particles past the apertures 5a and 5b are deposited on the substrate 3 and the homogeneous thin films can be formed over a wide area without the formation of the heterogeneous thin films.例文帳に追加

マグネット４およびマスク５は共に移動し、基板３上には開口部５ａ，５ｂを通過した粒子のみが堆積され、異質な薄膜が形成されず、広範囲に均質な薄膜を形成することができる。 - 特許庁

To prevent the quality and yield deteriorations of glass molded articles caused by the formation of two kinds of heterogeneous phases and the abrasion of an agitation blade by applying an effective improvement to a supply passage for high viscosity molten glass only even when a considerable increase of the flow rate of molten glass is requested.例文帳に追加

高粘性専用の供給流路に、有効な改良を施すことにより、溶融ガラスの大幅な流量増加の要請があった場合でも、２種の異質相の生成や撹拌羽根の削りに起因するガラス成形品の品位低下や製品歩留まり低下の問題が生じないようにする。 - 特許庁

To provide a molten glass supply apparatus free from the occurrence of problems such as the degradation of a glass molded article or the reduction of product yield which are caused by the formation of two kinds of heterogeneous phases or the chipping of a stirring blade even when the remarkable increase of flow rate of the molten glass is required in a flow passage exclusive for high viscous molten glass.例文帳に追加

高粘性専用の供給流路に、溶融ガラスの大幅な流量増加の要請があった場合でも、２種の異質相の生成や撹拌羽根の削りに起因するガラス成形品の品位低下や製品歩留まり低下の問題が生じないような溶融ガラス供給装置を提供する。 - 特許庁

The silicon substrate is then heat treated at 1000°C-1400°C for an appropriate time to produce an ion implantation transition layer 3 including a plurality of voids 6, 6,... which are employed as heterogeneous nuclei of SiO2 phase in the formation of a buried oxide layer 4 and a surface silicon layer 5.例文帳に追加

このシリコン基板を、１０００℃以上１４００℃以下の温度で適宜時間だけ熱処理することによって、複数のボイド６，６，…を含むイオン注入遷移層３を生成し、ボイド６，６，…をＳｉＯ_2 相の不均質核として埋め込み酸化層４及び表面シリコン層５を形成する。 - 特許庁