high temperature sputteringとは 意味・読み方・使い方

The FePt ally layer is deposited by sputtering on a seed layer structure, and a substrate of the disk is held at high temperature during the deposition so as to guarantee that high anisotropy magnetic field H_k is obtained.例文帳に追加

ＦｅＰｔ合金層は、シード層構造の上にスパッタリング堆積され、その間、ディスクの基板は、高い異方性磁場Ｈ_ｋを得るのを保証するため、高温に維持される。 - 特許庁

To provide a means capable of attaining low temperature film deposition and high speed film deposition in magnetron sputtering of a dual form for making low temperature film deposition and high speed film deposition compatible, and thereby to obtain various inorganic crystal films being highly functional materials, on organic films at a low temperature and at high speed.例文帳に追加

低温成膜、高速成膜を両立させることができるデュアル形式のマグネトロンスパッタリングにおいて、低温成膜と、高速成膜を達成しうる手段を提供し、これによって有機フィルムの上に高機能性材料である例えば各種無機結晶膜を低温、高速で得ようというものである。 - 特許庁

The ITO deposition device is successively provided with an ITO deposition treatment part which forms an sputtering deposition ITO membrane by a low temperature method; a high frequency wave measuring part which measures the resistance or reactance of the sputtering deposition ITO membrane by the predetermined frequency in a high frequency AC four terminal method; and an annealing treatment part which applies annealing treatment on the sputtering deposition ITO membrane.例文帳に追加

順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for forming improved contact, when forming an aluminum alloy film at a fine contact hole by using high-temperature sputtering method.例文帳に追加

高温スパッタ法を用いて、微細なコンタクトホールにアルミニウム合金膜を形成する際に、良好なコンタクトを形成する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resistance thin film having high high temperature stability and satisfactory resistance temperature properties which have not been realized by the conventional Ni-Cr-Al-Si alloy, to provide a metal resistor material for obtaining the resistance thin film, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

従来のＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金では実現することができなかった高い高温安定性と良好な抵抗温度特性を有する抵抗薄膜、該抵抗薄膜を得るため金属抵抗体材料及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Furthermore, the partition material 16 can restrain sputtering of high-frequency antenna 21 with plasma generated in the vacuum container 11, temperature rise of the high-frequency antenna 21, and generation of particles.例文帳に追加

また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system capable of reducing the damage and temperature rising on the surface of a substrate, and also depositing a thin film on the surface of the substrate at a high speed by suppressing the collision of charged particles against the substrate, and to provide a thin film deposition method using the magnetron sputtering system.例文帳に追加

基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Using a high frequency reaction sputtering process in which an Al_2O_3 target is used and discharge is performed in a gaseous mixture of Ar and N_2 by a high frequency power source, and by adjusting relationship between the bias voltage to be applied at the sputtering and the temperature of a metal base material, the hard protective film is formed so as to have a plastic deformation hardness of ≥30 GPa.例文帳に追加

Al_2O_3ターゲットを用いて高周波電源によってAr及びN_2の混合ガス中で放電させる高周波反応スパッタ法を用い、その際に印加するバイアス電圧と金属母材の温度との関係を調整することによって、硬質保護膜を30GPa以上の塑性変形硬さに形成する。 - 特許庁