「high temperature sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a target for magnetron sputtering which can form a metal fluoride film free from optical absorption with high reproducibility, and in which the occurrence of deformation or cracks can be suppressed even in a high temperature state upon sputtering, and to provide a sputtering method using the target.例文帳に追加

光吸収のない金属フッ化物膜を再現性よく形成できるとともに、スパッタリング時の高温状態においても変形又はクラックの発生を抑制できるマグネトロンスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを用いたスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index film based on titanium oxide, exhibits a high deposition rate and is capable of suppressing the temperature rise of the surface of a substrate when the high refractive index film is deposited on the substrate.例文帳に追加

酸化チタンを主体とする高屈折率膜の形成に用いる、成膜速度が高く、成膜時の基体表面の温度上昇を抑制することができるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The FePt ally layer is deposited by sputtering on a seed layer structure, and a substrate of the disk is held at high temperature during the deposition so as to guarantee that high anisotropy magnetic field H_k is obtained.例文帳に追加

ＦｅＰｔ合金層は、シード層構造の上にスパッタリング堆積され、その間、ディスクの基板は、高い異方性磁場Ｈ_ｋを得るのを保証するため、高温に維持される。 - 特許庁

To provide a means capable of attaining low temperature film deposition and high speed film deposition in magnetron sputtering of a dual form for making low temperature film deposition and high speed film deposition compatible, and thereby to obtain various inorganic crystal films being highly functional materials, on organic films at a low temperature and at high speed.例文帳に追加

低温成膜、高速成膜を両立させることができるデュアル形式のマグネトロンスパッタリングにおいて、低温成膜と、高速成膜を達成しうる手段を提供し、これによって有機フィルムの上に高機能性材料である例えば各種無機結晶膜を低温、高速で得ようというものである。 - 特許庁

The ITO deposition device is successively provided with an ITO deposition treatment part which forms an sputtering deposition ITO membrane by a low temperature method; a high frequency wave measuring part which measures the resistance or reactance of the sputtering deposition ITO membrane by the predetermined frequency in a high frequency AC four terminal method; and an annealing treatment part which applies annealing treatment on the sputtering deposition ITO membrane.例文帳に追加

順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for forming improved contact, when forming an aluminum alloy film at a fine contact hole by using high-temperature sputtering method.例文帳に追加

高温スパッタ法を用いて、微細なコンタクトホールにアルミニウム合金膜を形成する際に、良好なコンタクトを形成する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resistance thin film having high high temperature stability and satisfactory resistance temperature properties which have not been realized by the conventional Ni-Cr-Al-Si alloy, to provide a metal resistor material for obtaining the resistance thin film, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

従来のＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金では実現することができなかった高い高温安定性と良好な抵抗温度特性を有する抵抗薄膜、該抵抗薄膜を得るため金属抵抗体材料及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Furthermore, the partition material 16 can restrain sputtering of high-frequency antenna 21 with plasma generated in the vacuum container 11, temperature rise of the high-frequency antenna 21, and generation of particles.例文帳に追加

また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system capable of reducing the damage and temperature rising on the surface of a substrate, and also depositing a thin film on the surface of the substrate at a high speed by suppressing the collision of charged particles against the substrate, and to provide a thin film deposition method using the magnetron sputtering system.例文帳に追加

基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Using a high frequency reaction sputtering process in which an Al_2O_3 target is used and discharge is performed in a gaseous mixture of Ar and N_2 by a high frequency power source, and by adjusting relationship between the bias voltage to be applied at the sputtering and the temperature of a metal base material, the hard protective film is formed so as to have a plastic deformation hardness of ≥30 GPa.例文帳に追加

Al_2O_3ターゲットを用いて高周波電源によってAr及びN_2の混合ガス中で放電させる高周波反応スパッタ法を用い、その際に印加するバイアス電圧と金属母材の温度との関係を調整することによって、硬質保護膜を30GPa以上の塑性変形硬さに形成する。 - 特許庁

After the thickness of the film exceeds a specified thickness, the temperature is raised to a temperature for generating reflow, and an Al wiring film 3 is formed by high- temperature sputtering for eliminating irregular reaction between Ti and Al.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１上にＴｉ膜２を形成し、室温程度に冷却させた後、Ａｌ膜を成膜し、所定膜厚を越えた後、リフローが発生する温度まで昇温して高温スパッタリングによるＡｌ配線膜３の成膜を行い、ＴｉとＡｌとの不均一な反応を無くす。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition, which is suitably used to form a color filter protective film having excellent adhesiveness to an ITO film even under high temperature and high humidity, high in transparency and surface hardness, and excellent in various resistances such as sputtering resistance.例文帳に追加

高温高湿下であってもＩＴＯ膜と優れた密着性を有し、透明性および表面硬度が高く、耐熱性、耐スパッタ性などの各種耐性に優れたカラーフィルタ用保護膜を形成するために好適に用いられる熱硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode-wiring material which does not cause a heat defect such as a hillock and a void even when heated to a high temperature of 350°C or higher, has low electric resistance, is inexpensive, has high reliability, and is suitable for densifying an electron device, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

３５０℃以上の高温でもヒロックやボイドなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、安価で信頼性が高く、電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal-clad plastic substrate having a metal layer formed, by sputtering on a polyimide film surface which improves the adhesive strength of the metal layer made by sputtering to the metal film surface and the long-time stability under high-temperature environment.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法により金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、ポリイミドフィルムとスパッタリングにより形成される金属層との界面の密着強度とその高温環境下での長期安定性を高める方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Al alloy film for a wiring film, which is applicable to a high-definition large-sized TV and such various flat display devices as to be processed in a low temperature, and has low resistance and high reliability, and to provide a sputtering target for forming the Al alloy film.例文帳に追加

高精細な大型ＴＶや低いプロセス温度の種々の平面表示装置に適応可能なより低抵抗で高い信頼性を有する優れた配線膜用Ａｌ合金膜とそのＡｌ合金膜を形成するためのスパッタリング用ターゲットを提供する。 - 特許庁

The cadmium sulfide layer may be deposited preferably by a high-frequency sputtering method at an ambient temperature, and the cadmium telluride layer may be deposited preferably by a closed-space sublimation method at a so efficient increased temperature as to convert an amorphous cadmium stannate into a polycrystal cadmium stannate having a single spinel structure.例文帳に追加

好ましくは、硫化カドミウム層は周囲温度で高周波スパッタ法で堆積させ、テルル化カドミウム層は、非晶スズ酸カドミウムを単一スピネル構造を有する多結晶スズ酸カドミウムに変換させるのに効果的な昇温温度で、クローズスペース昇華法によって堆積する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering equipment which can form film at a low temperature while keeping thin film uniformity and high productivity, and can maintain superior film thickness uniformity from the beginning to the end of using the target.例文帳に追加

本発明は、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ低温での成膜を可能とし、さらにはターゲットの使用開始から寿命に至るまで、優れた膜厚均一性を継続できるマグネトロンスパッタリング装置の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide an Fe-Co based alloy soft magnetic film used for a perpendicular magnetic recording medium or the like, capable of suppressing the formation of a crystal film even in a high temperature range, and a powder sintering sputtering target material for forming the Fe-Co based alloy soft magnetic film.例文帳に追加

高い温度域でも結晶膜化を抑制可能な垂直磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜およびそのＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜形成用粉末焼結スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide an iridium alloy target material for forming a thin film with sputtering or the like, which has such excellent heat resistance as not to be affected by heat treatment under 600°C or higher, and such excellent oxidation resistance as not to react with oxygen under a high-temperature oxygen atmosphere.例文帳に追加

600℃以上の熱処理時の熱影響を受けない耐熱強度に優れ、しかも、高温酸素雰囲気下での酸素との反応がない耐酸化性に優れた特性を有する薄膜をスパッタリング法等により形成するイリジウム合金ターゲット材を提供する。 - 特許庁

A Co2Si film 11 is formed on the surfaces of an N (P)-type gate silicon layer 5 (6) and an N (P)-type diffusion layer 8 (9) through high-temperature sputtering the Co2Si film 11 is turned into a CoSi film 12, and furthermore the CoSi film 12 is turned into a CoSi2 film 13 by a thermal treatment.例文帳に追加

そして、高温スパッタリングでＮ（Ｐ）型ゲートシリコン層５（６）、Ｎ（Ｐ）型拡散層８（９）表面にＣｏ_2 Ｓｉ膜を成膜し、熱処理でＣｏ_2 Ｓｉ膜１１をＣｏＳｉ膜１２に更にＣｏＳｉ膜１２をＣｏＳｉ_2 膜１３に変換する。 - 特許庁

To provide magnetron sputtering equipment which makes use of a superior characteristic of a substrate rotation and revolution type, and effectively prevents flow of electrons into a substrate, while maintaining uniformity of thin film and high productivity, to form a film at low temperature.例文帳に追加

本発明は、基板自公転方式の優れた特徴を生かし、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ、効果的に電子の基板への流入を防止して低温成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a process of forming the conductive paths by forming the first conductive film by a simple process of hardening the paste without using sputtering, chemical vapor deposition, and vacuum evaporation methods, the substrate is not exposed to vacuum and high temperature.例文帳に追加

第１導電膜を、スパッタリング法、化学気相成長法および真空蒸着法を用いないで、ペーストを塗布して硬化させるという簡単な工程によって、形成することによって導電路を形成する工程で、基板を真空および高温に曝すことがない。 - 特許庁

Charge supplying layers and superconducting layers constituting the Cu-based high temperature superconducting thin film are formed by alternately sputtering a target for the charge supplying layers having a composition of the charge supplying layers and a target for superconducting layers having a composition of the superconducting layers while controlling the thickness of each film.例文帳に追加

Ｃｕ系高温超伝導薄膜を構成する電荷供給層と超伝導層を、電荷供給層の組成を有する電荷供給層用ターゲットと超伝導層の組成を有する超伝導層用ターゲットとを、それぞれ交互に膜厚を制御してスパッタする。 - 特許庁

Each of the low reflecting films or the transparent conductive film is obtained by generating ECR plasma on the side opposed to the plastic material W of a magnetron cathode and on the side opposed to the magnetron cathode of the plastic material W and performing sputtering in a high density low temperature plasma atmosphere.例文帳に追加

この低反射膜または透明導電膜は、マグネトロンカソードのプラスチック材Ｗと対向する側と、プラスチック材Ｗのマグネトロンカソードと対向する側の夫々にＥＣＲプラズマを発生せしめ、高密度で低温のプラズマ雰囲気でスパッタリングすることで得られる。 - 特許庁

After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus.例文帳に追加

有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。 - 特許庁

In this forming method of an Al wiring, a TiN film 4 which is nitrified by including N2 gas into process gas during the formation of the Ti film 2 on the semiconductor substrate 1 is formed on the Ti film 2, and thereafter the Al wiring film 3 is formed and made to reflow through the use of high- temperature sputtering.例文帳に追加

また、半導体基板１上へのＴｉ膜２の形成時にプロセスガスの中にＮ_2 ガスを混入して窒化させたＴｉＮ膜４をＴｉ膜２上に成膜させ、その後、Ａｌ配線膜３を高温スパッタリングを用いて成膜・リフローさせて成膜するＡｌ配線の形成方法である。 - 特許庁

To provide a target assembly capable of inhibiting generation of warpage at the time of making a target material and a backing plate into the target assembly through a bonding material, furthermore, effectively inhibiting peeling or breaking of the target material and the backing plate caused by temperature rise during sputtering, and having a high conductivity.例文帳に追加

ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介してターゲット接合体とする際の反りの発生を抑制し、さらにはスパッタリング中の温度上昇に起因するターゲット材とバッキングプレートとの剥離や破壊を効果的に防止し、且つ導電性に優れたターゲット接合体を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the high-purity nickel target for magnetron sputtering with superior film thickness uniformity comprises steps of hot-forging the high-purity nickel, then cold-rolling it at a rolling reduction of 30% or higher, and further heat-treating it at 250°C or a higher temperature; and repeating the above cold-rolling and heat treatment at least twice.例文帳に追加

高純度ニッケルを熱間鍛造した後、３０％以上の圧延率で冷間圧延し、これをさらに２５０°Ｃ以上の温度で熱処理する工程からなり、前記冷間圧延と熱処理を少なくとも２回以上繰り返すことを特徴とする膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a high-strength sputtering target for forming the phase-change memory film comprises pulverizing an alloy ingot for forming the phase-change memory film to produce an alloy powder, holding the obtained alloy powder at a crystallization temperature to crystallization-heat-treating it, pulverizing the crystallization-heat-treated alloy powder and then hot-pressing the resultant powder.例文帳に追加

相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕したのちホットプレスすることを特徴とする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

An optical fiber coil 10 formed by spirally winding a primary coated optical fiber having a carbon thin film formed by heat-treating an optical fiber with a polyimide coating in an inert atmosphere and fixing the winding shape by metal sputtering and high-temperature soldering, is sandwiched between a case lower lid 130 and a case upper lid 131, and sealed with a ceramic resin 140.例文帳に追加

ポリイミド被覆を形成した光ファイバを不活性雰囲気中で熱処理して炭素薄膜を形成した光ファイバ素線を渦巻き形状に巻き、その形状を金属スパッタ及び高温半田で固定した光ファイバコイル（１０）を、ケース下蓋（１３０）とケース上蓋（１３１）とで挟み、セラミック樹脂（１４０）で封止する。 - 特許庁

Since a dense film with low absorption and tight adhesion cannot be obtained in the case the object 9 to be treated lies under no-heating or low temperature, the object 9 to be treated in the process of the film deposition is irradiated with neutral grains and negative ions generated by magnetron sputtering in which high frequency is applied on a target 4 as assists.例文帳に追加

被処理物９が無加熱あるいは低温であると、低吸収かつ緻密で密着性の良い膜を得ることができないため、ターゲット４に高周波を印加するマグネトロンスパッタリングによって発生した中性粒子および負イオンをアシストとして成膜中の被処理物９に照射する。 - 特許庁

Wiring of a semiconductor device is formed by forming a thin film 5 of Al or Al alloy (hereinafter, Al base metal) by sputtering on the surface of an insulating film 2 comprising a recess 3 formed on a substrate, and then applying high-temperature and high-pressure process so that the Al base metal is packed in the recess.例文帳に追加

基板上に形成された凹部３を有する絶縁膜２の表面に、ＡｌまたはＡｌ合金（以下「Ａｌ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ａｌ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。 - 特許庁