higher oxidationとは 意味・読み方・使い方

OXIDATION CATALYST POLYMER AND METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE OF HIGHER DEGREE THAN ALCOHOL USING THE SAME例文帳に追加

酸化触媒ポリマー及びそれを用いたアルコールより高次な酸化物の製造方法 - 特許庁

To provide a simplified method to additionally supply an oxidation control element to solder bath not using a mother alloy of higher oxidation control element concentration.例文帳に追加

酸化抑制元素濃度の高い母合金を使用しない、はんだ浴に酸化抑制元素を追加供給する簡便な方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing step of forming an oxide film layer with the anode oxidation to a porous sintered material formed of a valve-functioning metal material is characterized in that the anode oxidation is conducted by implementing a plurality of times of anode oxidation, in which the anode oxidation is at least conducted once using the anode oxidation liquid having higher electrical conductivity than that of the first trial of anode oxidation.例文帳に追加

弁作用金属からなる多孔質焼結体に対し、陽極酸化によって酸化皮膜層を形成する工程において、陽極酸化を複数回行い、少なくとも１回、初回よりも電気伝導度の高い陽極酸化液によって陽極酸化を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gas oil composition exhibiting higher oxidation stability and storage stability even when a biodiesel is contained.例文帳に追加

バイオディーゼルを含有しても高い酸化安定性、貯蔵安定性を示す軽油組成物を提供する。 - 特許庁

Specifically, the semiconductor device may be formed using a metal with a higher oxidation reduction potential than a standard hydrogen electrode, alloy of metals with a higher oxidation reduction potential than a standard hydrogen electrode, or a conductive metal oxide with a higher oxidation reduction potential than a standard hydrogen electrode.例文帳に追加

具体的には、酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい金属、酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい金属同士の合金、乃至酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい導電性の金属酸化物を用いて半導体装置を構成すればよい。 - 特許庁

A manufacturing method for forming an insulating gate-type field effect transistor on silicon carbide includes a first oxidation process and a second oxidation process by an oxidation temperature higher than an oxidation temperature in the first oxidation process in a gate oxidized film manufacturing process by thermal oxidation.例文帳に追加

炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。 - 特許庁

An oxidation potential (to Li/Li^+) of the nonaqueous solvent included in the electrolyte composition Q is higher than an oxidation potential (to Li/Li^+) of the nonaqueous solvent included in the electrolyte P.例文帳に追加

電解質組成物Ｑに含まれる非水溶媒の酸化電位（対Ｌｉ／Ｌｉ^＋）は、電解液Ｐに含まれる非水溶媒の酸化電位（対Ｌｉ／Ｌｉ^＋）よりも高い。 - 特許庁

A substance having an oxidation-reduction potential not higher than the oxidation-reduction potential of Cr, i.e., a Cr coating film 10, is formed on the inner face of the sheath 9 facing the clearance 18.例文帳に追加

隙間部１８に面するシース９の内面に、クロムの酸化還元電位以下の酸化還元電位を有する物質、すなわち、Ｃｒの皮膜１０が形成されている。 - 特許庁