ib pとは 意味・読み方・使い方

The consumed power P is estimated from an equation (1): P=Vd×Id+Vq×Iq (337), and an equation (2): Ib=P/Vb (338).例文帳に追加

式（１）より消費電力Ｐを推定し（３３７）、式（２）より電源電流Ibを推定する（３３８）。 - 特許庁

A current Ib (Ib=Ia-Io) flows between the grounding point P and a node N1 out of a wiring line (b).例文帳に追加

配線Ｌｉｎｅ（ｂ）のうち地絡点ＰとノードＮ１との間には電流Ｉｂ（Ｉｂ＝Ｉａ−Ｉｏ）が流れる。 - 特許庁

In this method, current feedback signals ia and ib and grid phase voltage input signals Ua-g, Ub-g, and Uc-g are detected so as to synchronize the auxiliary power source 10 with the power grid, by controlling the three-phase output voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source 10.例文帳に追加

本発明は、補助電源10の三相出力電圧Ua＿p，Ub＿p及びUc＿pを制御してパワー・グリッドと同期させるために、電流フィードバック信号ia及びibとグリッド位相電圧入力信号Ua＿g，Ub＿g及びUc＿gを検出する。 - 特許庁

An initial biasing current giving circuit 7 produces initial biasing current signal Ib corresponding to pressurizing signal P.例文帳に追加

初期バイアス電流付与回路７は、加圧信号Ｐに応じた初期バイアス電流信号Ｉｂを生成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加

ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁

Ions in the plasma P is drawn out by a grid G, and is irradiated on a substrate S as an ion beam flux IB.例文帳に追加

このプラズマＰ中のイオンはグリッドＧにより引き出され、イオンビーム束ＩＢとして基板Ｓに照射される。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.例文帳に追加

ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁