interface bondとは 意味・読み方・使い方

Since the structure of the interface smoothly changes, the defect level, such as the dangling bond, etc., of the interface can be reduced and the characteristics of the transistor can be improved.例文帳に追加

界面の構造がなだらかに変化することにより、ダングリングボンド等の界面欠陥準位が低減され、トランジスタ特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a small leakage current by terminating a dangling bond of a semiconductor interface.例文帳に追加

半導体界面のダングリングボンドを終端させて、リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a stage of bonding a first substrate to a second substrate, the substrate heating time and the temperature of the bond interface are optimized.例文帳に追加

第一の基板と第二の基板を接合する段階において、基板加熱時間と接合界面の温度を最適化する。 - 特許庁

The first/second semiconductor substrates are directly bonded to each other by a silicon-to-silicon atomic bond at a bond interface, thereby configuring a sharp transition from the first substrate to the second substrate.例文帳に追加

前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。 - 特許庁

The layer 5 of an active metal consisting of any of Cr, V and Ti is formed near the interface between the bond 3 and the abrasive grain 2.例文帳に追加

ボンド３と砥粒２との界面近傍には、Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉのいずれかからなる活性金属の層５が形成されている。 - 特許庁

All of the outer surface of the inner tube material 4 is covered with the outer tube material 5 and a metallic bond is formed on the interface between the outer tube material 5 and the inner tube material 4.例文帳に追加

外管材５で、内管材４の外表面を全て覆うとともに、外管材５と内管材４との界面に金属結合を形成する。 - 特許庁

A flange interface for wrap-around contact regions formed in fabricating semiconductor devices brings a durable and reliable electrical bond.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する際に形成されるラップアラウンド接触領域用のフランジ界面は、耐久性および信頼性の高い電気的結合をもたらす。 - 特許庁

To provide a measuring device capable of measuring highly accurately bond strength of the interface between a substrate and a film or a layered body formed on the substrate.例文帳に追加

基材と、基材に形成された膜または層状体との界面の付着強度を高精度に測定することができる測定装置を提供する。 - 特許庁