「interface bond」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The cleaning liquid comprises a liquid formed of molecules forming a hydrogen bond, and the distance of hydrogen bond of molecules in the interface between the liquid and the bubbles is shorter than that of the hydrogen bond in a liquid at ordinary temperature and pressure.例文帳に追加

そして、水素結合を形成する分子からなる液体を含有し、該液体の気泡との界面に存在する分子の水素結合の距離が、該液体が常温常圧であるときの水素結合の距離よりも短い。 - 特許庁

When TBC is manufactured by the above method, a thin aluminum oxide layer is formed on a top coat/bond coat interface.例文帳に追加

上述の方法でＴＢＣを作製すると、トップコート／ボンドコート界面に薄い酸化アルミの層が生成する。 - 特許庁

Since the structure of the interface smoothly changes, the defect level, such as the dangling bond, etc., of the interface can be reduced and the characteristics of the transistor can be improved.例文帳に追加

界面の構造がなだらかに変化することにより、ダングリングボンド等の界面欠陥準位が低減され、トランジスタ特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a small leakage current by terminating a dangling bond of a semiconductor interface.例文帳に追加

半導体界面のダングリングボンドを終端させて、リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a stage of bonding a first substrate to a second substrate, the substrate heating time and the temperature of the bond interface are optimized.例文帳に追加

第一の基板と第二の基板を接合する段階において、基板加熱時間と接合界面の温度を最適化する。 - 特許庁

The first/second semiconductor substrates are directly bonded to each other by a silicon-to-silicon atomic bond at a bond interface, thereby configuring a sharp transition from the first substrate to the second substrate.例文帳に追加

前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。 - 特許庁

The layer 5 of an active metal consisting of any of Cr, V and Ti is formed near the interface between the bond 3 and the abrasive grain 2.例文帳に追加

ボンド３と砥粒２との界面近傍には、Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉのいずれかからなる活性金属の層５が形成されている。 - 特許庁

All of the outer surface of the inner tube material 4 is covered with the outer tube material 5 and a metallic bond is formed on the interface between the outer tube material 5 and the inner tube material 4.例文帳に追加

外管材５で、内管材４の外表面を全て覆うとともに、外管材５と内管材４との界面に金属結合を形成する。 - 特許庁

A flange interface for wrap-around contact regions formed in fabricating semiconductor devices brings a durable and reliable electrical bond.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する際に形成されるラップアラウンド接触領域用のフランジ界面は、耐久性および信頼性の高い電気的結合をもたらす。 - 特許庁

To provide a measuring device capable of measuring highly accurately bond strength of the interface between a substrate and a film or a layered body formed on the substrate.例文帳に追加

基材と、基材に形成された膜または層状体との界面の付着強度を高精度に測定することができる測定装置を提供する。 - 特許庁

The first insulation layer 48 is formed in the upper side of the semiconductor layer 24 including a termination material for terminating the dangling bond at the interface of the semiconductor layer 24.例文帳に追加

第１絶縁層４８は、半導体層２４よりも上側に形成され、半導体層２４の界面のダングリングボンドを終端させる終端材料を含む。 - 特許庁

Furthermore, an S-S bond (disulfide bond) of a part of disulfide silane is dissociated with heat in thermocompression bonding on the interface between the metal wiring material 12 and the anisotropic conductive material 13, and the dissociated sulfide silane is chemically bonded to a metal Me.例文帳に追加

また、金属配線材１２と異方性導電材料１３との界面では、圧着時の熱により、ジスルフィドシランの一部のＳ−Ｓ結合（ジスルフィド結合）が解離し、解離されたスルフィドシランが金属Ｍｅと化学結合する。 - 特許庁

The repellent is desirably one in which the liquid includes hydrogen bond-forming molecules, and the hydrogen bond distance of the molecules present at the interface between the liquid and the bubbles is shorter than that shown when the liquid is at ordinary temperature and normal pressure.例文帳に追加

忌避剤は、好ましくは、液体が水素結合を形成する分子からなる液体であり、液体の気泡との界面に存在する分子の水素結合の距離が、該液体が常温常圧であるときの水素結合の距離よりも短いものである。 - 特許庁

Therefore, the dangling bond of the interface of a p-type base layer that constitutes the gate oxide film and a channel region can be terminated with an element H or OH.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。 - 特許庁

The optical member may be bonded to the first semiconductor light emitting device by a bond at an interface disposed between the optical element and the semiconductor light emitting device.例文帳に追加

光学部材は、光学部材と半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部により、第１の半導体発光素子に結合することができる。 - 特許庁

In this way, the dangling bond of an interface between a gate oxide film and a p-type base layer constituting a channel region can be terminated with an element such as H or OH.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。 - 特許庁

The optical element may be bonded to the first semiconductor light emitting device by a bond at an interface disposed between the optical element and the semiconductor light emitting device.例文帳に追加

光学部材は、光学部材と半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部により、第１の半導体発光素子に結合することができる。 - 特許庁

Thus, the base layer 14 and the emitter layer 15 can be formed (an interface bond of 1:1) continuously in a space, and a satisfactory Schottky junction is obtained.例文帳に追加

したがって、ベース層１４とエミッタ層１５とを空間的に連続して形成(１：１の界面結合)することが可能となり、良好なショットキー接合が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which can reduce an interface state by terminating a dangling bond generated at the interface of a semiconductor layer with fluorine and can efficiently introduce the fluorine only to an active region even in the process of a low thermal history.例文帳に追加

半導体層の界面に生じるダングリングボンドをフッ素で終端することで、界面準位を低減することができ、また、低熱履歴のプロセスでも活性領域のみへ効率よくフッ素を導入することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

To achieve a solid-state image pickup element having a small dark current by effectively terminating dangling bond on the surface of a silicon substrate for reducing an interface level.例文帳に追加

シリコン基板の表面におけるダングリングボンドを効果的に終端化することにより界面準位を低減し、暗電流が少ない固体撮像装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Then, when the insulating film is formed, a fluorine terminating part including Si-F bond is formed near the interface between the insulating film and the Si substrate with the F retained on the Si substrate.例文帳に追加

この時、絶縁膜の形成と共に、Ｓｉ基板上に残留したＦにより、絶縁膜と、Ｓｉ基板との界面近くに、Ｓｉ−Ｆ結合を含むフッ素終端部が形成される。 - 特許庁

To improve both interface level density of a semiconductor board and an initial value of various characteristics caused thereby, and stability with time, by terminating dangling bond of a crystal interface of semiconductor board effectively by deuterium.例文帳に追加

半導体基板の結晶界面のダングリングボンドを重水素で効率よく終端することによって、半導体基板の界面準位密度とそれに起因する諸特性の初期値ならびに経時安定性の両方が改善する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case of a negative or positive photoresist layer patterned by a conventional lithography technique, a photoresist layer in an interface region with a semiconductor substrate is overheated to a temperature higher than its fusing temperature in a short time in order to fusedly bond a photoresist layer at an interface to a layer located therebelow on the semiconductor substrate.例文帳に追加

従来のリソグラフィー技術を用いてパターンされたネガもしくはポジフォトレジスト層の場合、界面のフォトレジスト層を、その下に位置する層と、半導体基板において溶着するために、半導体基板との界面領域のフォトレジスト層は、短期的に、溶解温度より高い温度で過熱される。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride ceramic bonded product which yields a complex-shaped product and shows a bond strength and thermal conductivity at a bonded interface which are comparable to those of an ordinary aluminum nitride ceramic.例文帳に追加

複雑形状品を得ることができると共に、接合界面での接合強度及び熱伝導率を通常の窒化アルミニウムセラミックスとほぼ同等とし得る窒化アルミニウムセラミックス接合体の提供。 - 特許庁

To obtain a clean interface by removing contaminants containing the single bond of carbon that especially cannot be removed by a conventional method in the contamination of interfaces, in the manufacturing process of a semiconductor device, which includes a forming of a lamination layer.例文帳に追加

積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。 - 特許庁

The titanium oxide layer contains particles of anatase titanium oxide and the particles of titanium oxide bond to their adjacent particles of titanium oxide so that the crystal lattice of the bonded particles of titanium oxide is matched at an interface between the particles.例文帳に追加

酸化チタン層は、アナターゼ型酸化チタン粒子を含み、隣接する酸化チタン粒子が結合し、結合した酸化チタン粒子の結晶格子が粒子間の界面にて整合している。 - 特許庁

If you have two network cardsgoing to the same network, you can bond them together so your applications see just one interface but they really use both network cards.例文帳に追加

もし一つのネットワークにしたい二つのネットワークカードがあるなら、それらを束ねることができます。 そうすると、アプリケーションには一つのインタフェースとして見えますが、実際は両方のネットワークカードが使用されます。 - Gentoo Linux

The complex electrolyte film formed by applying an electric field to ion-conductive resin containing a hydrocarbon bond is made to have an anti-redox layer at an interface of the electrolyte film and the catalyst layer.例文帳に追加

炭化水素結合を含むイオン伝導性樹脂に電界を印加して形成した複合電解質膜において、該電解質膜と触媒層との界面に抗酸化還元層を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

An insulating layer 9 which includes a silicon atom and in which dangling bond of the silicon atom is terminated by a nitrogen atom or an ON group exists in an interface of the polysilicon film 4 and the gate insulating film 5.例文帳に追加

ポリシリコン膜４とゲート絶縁膜５との界面には、シリコン原子を含み、当該シリコン原子のダングリングボンドが窒素原子あるいはＯＮ基で終端された絶縁層９が存在している。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, a method of manufacturing a semiconductor apparatus, and a flash lamp annealing apparatus, which suppress diremption of hydrogen from a dangling bond terminated with hydrogen at an insulating film/semiconductor interface due to irradiation of ultra violet rays.例文帳に追加

熱処理方法、半導体装置の製造方法、及びフラッシュランプアニール装置に関し、紫外線照射による絶縁膜／半導体界面における水素で終端されたダングリング・ボンドからの水素の乖離を抑制する。 - 特許庁

Thus, the dangling bond in the gate nitride film 4 is terminated by an Si-F combination to lower an interface level between the gate nitride film 4 and the N-type well layer 2.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート窒化膜４の中のダングリングボンドをＳｉ−Ｆ結合によって終端させることができ、ゲート窒化膜４とＮ型ウェル層２との界面における界面準位を低減することができる。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

A plate is a superconducting clad plate of a structure with at least one layer consisting of Nb and/or V and at least one layer consisting of a normally electroconductive metal are laminated one over another and that the laminate interface consists in a metal bond.例文帳に追加

Ｎｂおよび／またはＶからなる層の少なくとも１層と、常電導金属からなる層の少なくとも１層を交互に積層してなると共に、該積層界面が金属接合してなる超電導クラッド板。 - 特許庁

To reduce dark current by making a sufficient amount of hydrogen reach a silicon interface to terminate dangling-bond in hydrogen sintering in a solid-state imaging apparatus with an antireflection film for improvement of sensitivity.例文帳に追加

感度向上のための反射防止膜を備える固体撮像装置において、水素シンター時にシリコン界面上へ十分な量の水素を到達させてダングリングボンドの終端を行ない、暗電流を低減する。 - 特許庁

Since chemical bond in an ion implantation layer 11 is cut easily when external impact is applied, exfoliation of silicon takes place along the ion implantation interface 12 and a strained silicon layer 13 is obtained on the supporting substrate 20.例文帳に追加

したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層１１中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板２０上に歪シリコン層１３が得られる。 - 特許庁

Thereafter, the dangling bond of silicon is terminated with fluorine atoms by diffusing the fluorine contained in the source and drain regions 24 and 26 to the interface between the insulating film 14 and substrate 10 below the electrode layer 16 by performing heat treatment.例文帳に追加

この後、ソース領域２４及びドレイン領域２６中のフッ素を熱処理により電極層１６の下方で絶縁膜１４と基板１０との界面に拡散させてシリコンのダングリングボンドをフッ素原子で終端させる。 - 特許庁

In the disclosed thin film transistor 10, the hydrogen feeding layer 8 for diffusing hydrogen to a dangling bond on an interface between a polycrystalline silicon thin film 3 and a gate insulating film 7 in a position between the film 7 and a gate electrode 9.例文帳に追加

開示される薄膜トランジスタ１０は、ゲート絶縁膜７とゲート電極９との間の位置に、多結晶シリコン薄膜３とゲート絶縁膜７との界面のダングリングボンドに水素を拡散するための水素供給層８が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of producing a hardmetal-bonded body which has an enhanced bond strength, and has excellent wear resistance and impact resistance by forming prescribed spikes in a bonding interface between hardmetal and an iron-based metal body without using brazing metal.例文帳に追加

ろう付け金属を使用せず、超硬合金と鉄系母材との接合界面に所定のスパイクを形成して、接合強度を向上させ、耐摩耗性及び耐衝撃性に優れた超硬合金接合体を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Due to local heat generation in the laser spot at this time, the atomic bond between the semiconductor layer 11 and the substrate 10 is broken at their interface, and a pyrolysis layer 11a is formed between the substrate 10 and the semiconductor layer 11.例文帳に追加

このときのレーザスポットの局所的な発熱により、半導体層１１はその基板１０との界面において両者の原子同士の結合が切断されて、基板１０と半導体層１１層との間に熱分解層１１ａが形成される。 - 特許庁

In the package for the electronic part, a firm chemical bond is formed on the interface between the resin and the lead frame by forming the film layer of a triazine thiol derivative to the whole brought into contact with the resin after at least the resin sealing of the lead frame.例文帳に追加

本発明の電子部品用パッケージ１は、リードフレームの少なくとも樹脂封止後に樹脂と接する全部分に、トリアジンチオール誘導体の被膜層を形成することにより、樹脂とリードフレームの界面は強固な化学結合が形成される。 - 特許庁

In a water system medium, an oil drop containing a monomer having at least a coloring component and a monomer having an ethylene unsaturated double is dispersed in a water system medium, a coloring component intensive microcapsule featured to form a microcapsule wall on an oil drop interface by polymerizing a monomer having polymerization having an unsaturated double bond by dispersing an oil drop containing a monomer having at least coloring component and an ethylene unsaturated double bond in an aqueous medium.例文帳に追加

水系媒体中に、少なくとも発色系成分及びエチレン性不飽和二重結合を有するモノマーを含有する油滴を分散させ、上記不飽和二重結合を有するモノマーの重合により油滴界面にマイクロカプセル壁を形成することを特徴とする発色成分内包マイクロカプセル、その製造方法、及びそれを用いた感熱記録材料。 - 特許庁

Since a comparatively firm interatomic bond can be acquired on the interface between the oxidation prevention layer comprising a noble metal material and the diffusion prevention layer including Cr or Ti, diffusion of noble metal atoms from the oxidation prevention layer into a reflecting film can be prevented effectively.例文帳に追加

貴金属材料からなる酸化防止層と、Ｃｒ又はＴｉを含有する拡散防止層の界面では比較的強固な原子間の結合が得られるために、酸化防止層から反射膜への貴金属原子の拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

The first layer 31 and the second layer 33 are made of the same material, and stresses, caused by the difference in the thermal expansion coefficients and degradation in bond strength, are reduced at the interface of the jointing faces of the first layer 31 and the second layer 33 and sealed state of the scintillator layer 32 is maintained.例文帳に追加

第１の保護層31と第２の保護層33とを同じ物質で形成し、第１の保護層31と第２の保護層33との接合面の界面における結合強度の劣化や熱膨張係数差による応力を低減し、シンチレータ層32の密閉状態を維持する。 - 特許庁

A barrel 102 of the ball bat 100 includes an inner wall 104 separated from an outer wall 106 by an interface shear control zone (ISCZ) 108 or layer, such as an elastomeric layer, a friction joint, a bond-inhibiting layer, or another suitable shear-controlling zone or layer.例文帳に追加

ボールバット１００のバレル１０２は、外壁１０６から分離される内壁１０４を具備しており、内壁１０４は、界面剪断制御領域（ＩＳＣＺ）１０８、又は、エラストマー層、摩擦継手、結合阻害層、又は他の好適な剪断制御領域又は層等の、層によって分離される。 - 特許庁

To obtain a coating composition capable of effectively preventing the repellence of the coating film therefrom through raising the wettability for a substrate, and when used as a primer, capable of raising the bond strength at the interface between the primer coating film and an adhesive layer bonded thereonto.例文帳に追加

基材に対するぬれ性を高めて塗膜のはじきを効果的に防止できるコーティング組成物であって、プライマーとして用いた場合に、プライマー塗膜と、その上に接着された接着剤の層との間の界面の接着強度を高めることができる組成物を提供する。 - 特許庁