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interface bondingとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 界面結合; 界面接合
「interface bonding」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 240件
HEAT TREATMENT FOR BONDING INTERFACE STABILIZATION例文帳に追加
接合界面安定化のための熱処理 - 特許庁
The bonding step of the conductive substrate includes a step of locally heating a metal bonding layer by applying microwave to a bonding interface while bringing the metal bonding layer into contact with the bonding interface.例文帳に追加
上記導電性基板の接合段階は、金属接合層を接合界面に接触させた状態で上記接合界面にマイクロ波を印加して上記金属接合層を局部的に加熱する段階を含む。 - 特許庁
The wire bonding ball, wherein it has a fillet at an interface between the bonding wire and the ball.例文帳に追加
ボンディングワイヤーとボールの界面にフィレットを有することを特徴とするワイヤーボンディング用ボール。 - 特許庁
To improve bondability around a bonding interface between a bonding material and a material to be bonded while improving heat resistance of a bonding layer.例文帳に追加
接合層の耐熱性を向上させつつ、接合材と被接合材の接合界面付近の接合性を向上させること。 - 特許庁
INTER-SI PSEUDO HYDROPHOBIC WAFER BONDING USING SOLUTION OF INTERFACE BONDING OXIDE AND HYDROPHILIC SI SURFACE例文帳に追加
親水性Si表面と界面接合酸化物の溶解とを用いるSi間擬似疎水性ウェハ接合 - 特許庁
To improve interface bonding between a ferroelectric film and a second electrode.例文帳に追加
強誘電体膜と第2電極との界面接合を良好にする。 - 特許庁
To provide a bonding method of a silicon wafer capable of inhibiting the production of voids on a bonding surface, and free from the separation or the like at a bonding interface in bonding silicon bases to each other.例文帳に追加
シリコン基板同士を接合する際に、接合面におけるボイドの発生を抑え、接合界面での剥離等のおそれがないシリコンウェハの接合方法を提供する。 - 特許庁
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「interface bonding」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 240件
To attain highly reliable interelectrode bonding by reducing organic matter and oxides remaining on a bonding interface.例文帳に追加
接合界面に残留する有機物や酸化物など低減し、信頼性の高い電極間接合を実現する。 - 特許庁
To provide a bonding material capable of realizing bonding by metallic bonding at a bonding interface at a lower temperature compared to a bonding material using a metal particle having an average particle diameter of not more than 100 nm and a bonding method.例文帳に追加
平均粒径が100nm以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温で実現可能な接合用材料,接合方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In addition, the bonding interface of the p^+ type bonding layer 4a and the n^+ type bonding layer 4b which constitute such a tunnel diode structure 4 is formed into an irregularity form.例文帳に追加
そして、このようなトンネルダイオード構造4を構成するp^+型接合層4aとn^+型接合層4bとの接合界面を凹凸形状とする。 - 特許庁
To provide a means for detecting the bonding defect of a bonding interface of an SOI wafer with high sensitivity.例文帳に追加
SOIウェーハの貼り合わせ界面の貼り合わせ不良を高感度に検出するための手段を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of forming a bonding interface between Si having characteristics equal to that attained by hydrophobic bonding by removing an ultra thin interface oxide remaining after hydrophobic wafer bonding between Si.例文帳に追加
Si間の親水性ウェハ接合後に残っている極薄の界面酸化物を除去し、疎水性接合で達成されるものに匹敵する特性を有するSi間の接合境界面を形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor package such that a crevice in a solder bonding interface can be prevented from spreading.例文帳に追加
半田接合界面の裂け目拡散を防止可能な半導体パッケージを提供する。 - 特許庁
To provide a bonding material and a method of bonding for metal bonding at a bonding interface, capable of a higher bonding strength at a lower temperature without application of pressure, compared to a bonding material of metal particles having an average particle size of not greater than 100 nm.例文帳に追加
平均粒径が100nm以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温でさらに無加圧において接合強度の向上を実現可能な接合用材料、接合方法を提供する。 - 特許庁
To manufacture a membrane electrode assembly having no gap at the interface between an electrolyte membrane and a catalyst layer, and having large interface bonding force.例文帳に追加
電解質膜と触媒層との積層界面に隙間がなく界面結合力の大きい膜電極接合体を製造する。 - 特許庁
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