interfacial oxideとは 意味・読み方・使い方

Since the solid oxide fuel cell manufactured like that is provided with an interfacial surface layer 155 of an oxide containing Cr as a main constituent on a surface of the brazing material 153 on the solid electrolyte body 157 side, they are tightly fitted to each other on the interfacial surface thereof, and have high junction strength.例文帳に追加

この様にして製造された固体電解質型燃料電池においては、ろう材１５３の固体電解質体１５７側の表面に、Ｃｒを主成分とする酸化物の界面層１５５を備えているので、その界面にて隙間無く密着し、高い接合強度を有する。 - 特許庁

This transparent polyamide film with high barrier properties is formed of, e.g. a transparent inorganic oxide thin film (B) of a silicon oxide or the like laminated on at least one of the faces of a polyamide film (A) and shows an interfacial wet strength at not less than a specified value.例文帳に追加

ポリアミドフイルム（Ａ）の少なくとも片面に、例えば珪素酸化物等の透明無機酸化物薄膜（Ｂ）を設けた「界面湿強度」が一定値以上の透明ハイバリヤー性ポリアミドフイルム。 - 特許庁

To control the oxidation rate by low-temperature oxidation and also to form a gate oxide film being an ultrathin film with few interfacial levels.例文帳に追加

低温酸化により酸化速度を制御できるようにするとともに、界面準位の少ない極薄膜のゲート酸化膜を形成できるようにする。 - 特許庁

Since Sr oxide (insulation matter) in an interfacial layer formed in an interface between a barrier metal film 13 and an SRO film 13 is thereby reduced, a contact resistance lowers.例文帳に追加

これによって、バリアメタル膜１３とＳＲＯ膜１３との界面に形成される界面層中のＳｒ酸化物（絶縁物）が減少するので、コンタクト抵抗は下がる - 特許庁

Thus, in the case of oxidizing the nitride film of the surface of a plurality of the workpieces W, the interfacial uniformity is maintained high and the oxide film with excellent film quality can be obtained.例文帳に追加

これにより複数枚の被処理体の表面の窒化膜を酸化するに際して、面間均一性が高く維持されて、しかも膜質の良好な酸化膜を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it that uses a high dielectric material as a gate insulation film while formation of an interfacial oxide layer is restrained.例文帳に追加

高誘電材料をゲート絶縁膜として用いつつ、上述したような界面酸化層の形成を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By increasing the Sr content at an interface between the Sr_xTi_yO_3 dielectric layer and the TiN bottom electrode, the interfacial equivalent-oxide thickness (EOT) can be further reduced.例文帳に追加

Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 - 特許庁

Since the oxide interfacial layer 12 which is thermally stable and has an even thin thickness is interposed on the interface between the oxide single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, the InGaN semiconductor layer 13 can be formed at a high temperature on the oxide single crystal substrate 11, and thus the InGaN semiconductor layer of a high quality can be obtained.例文帳に追加

酸化物単結晶基板１１とInGaN半導体層１３界面に熱的に安定で薄くて均一な酸化物界面層１２を形成することにより、酸化物単結晶基板１１上に高温でInGaN半導体層１３を形成することができ、高品質のInGaN半導体層が得られる。 - 特許庁