interlayer couplingとは 意味・読み方・使い方

To provide a shielded interconnection for reducing capacitive coupling between interconnecting lines in an integrated circuit device having interconnecting lines isolated by an interlayer dielectric.例文帳に追加

層間誘電体で分離された相互接続線を有する集積回路装置で相互接続線間の容量性結合を減少させる遮蔽された相互接続を提供すること。 - 特許庁

There is an in-stack bias interlayer 216 between the in-stack ferromagnetic film 217 and the free layers 215 to control the exchange coupling force between them.例文帳に追加

インスタック強磁性膜２１７と自由層２１５との間には、インスタック強磁性膜２１７と自由層２１５との間の交換結合力を制御するインスタック・バイアス中間膜２１６がある。 - 特許庁

To solve the problem that, when a film having no hygroscopic block resistance exists on an interlayer film having an Si-H coupling or Cu wiring, the capacitance between the wiring or the resistances of via holes are raised by moisture absorption.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｈ結合をもつ層間膜またはＣｕ配線上に吸湿ブロック耐性がない膜がある場合、吸湿により、配線間容量またはビア抵抗が上昇する。 - 特許庁

To provide a mutual inductance element in which the coupling characteristics can be stabilized even if the arrangement position of the inductance element is shifted from a desired position due to interlayer gap.例文帳に追加

各層間のずれによりインダクタンス素子の配設位置が所望の位置からずれたとしてもその結合特性を安定させることができる相互インダクタンス素子を提供すること。 - 特許庁

The electrode E for coupling includes a ground electrode 2 formed in the piezoelectric substrate 1 and an interlayer 7 by which an adhesion electrode layer 3 and a barrier metal electrode layer 4 are laminated.例文帳に追加

結合用電極Ｅは、圧電基板１に形成された下地電極２と、密着電極層３及びバリアメタル電極層４が積層されている中間層７とを備えている。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable to meander or twist an electromagnetic coupling portion 16 where the unbalanced side wiring film 14 and the balanced side wiring film 10 confront each other via the interlayer insulating film 12.例文帳に追加

また更に、不平衡側配線膜１４と平衡側配線膜１０との層間絶縁膜１２を介して対向する電磁結合部分１６をメアンダ状乃至渦巻き状にすると良い。 - 特許庁

Accordingly, the roughness of the barrier layer 16 formed thereabove is improved, thereby obtaining the magnetic resistance effect film 10, in which the interlayer coupling magnetic field Hin is small and variations in characteristics are small.例文帳に追加

これによりその上方に形成されたバリア層１６のラフネスが改善され、層間結合磁界Ｈｉｎが小さく特性のバラツキが少ない磁気抵抗効果膜１０が得られる。 - 特許庁

By this, it is possible to further reduce the interlayer coupling magnetic field Hin than the conventional one while maintaining the same RA and resistance change rate (ΔR/R) as those of the conventional one without the first insertion layer 4a2.例文帳に追加

これにより、前記第１挿入層４ａ２を有しない従来と同様のＲＡ及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、層間結合磁界Ｈｉｎを従来よりも低減できる。 - 特許庁