ion source Sとは 意味・読み方・使い方

An ion milling device comprises; a sampling stage 1 where a sample S is placed; an ion source 2 for generating an ion beam with which the sample S is irradiated; a sample chamber 3 maintaining a storage space of the sampling stage 1 as a predetermined vacuum; and refrigerant supplying means 5 for supplying a gaseous refrigerant to cool the sample S inside the sample chamber 3.例文帳に追加

試料Sが設置される試料台1と、試料Sに照射するイオンビームを発生させるイオン源2と、試料台1の収納空間を所定の真空に保持する試料チャンバ3と、試料Sを冷却するための気体冷媒を試料チャンバ3内に供給する冷媒供給手段5とを備えるイオンミリング装置である。 - 特許庁

The ion source layer 5 is constituted of at least one kind of metal element and at least one kind of chalcogen element out of Te, S and Se.例文帳に追加

イオン源層５は、少なくとも一種の金属元素と、Ｔｅ，ＳおよびＳｅのうち少なくとも一種類のカルコゲン元素とから構成される。 - 特許庁

The ion source layer 17B contains an O (oxygen) as an additional element together with an ion conductive material such as an S (sulfur), Se (selenium) and Te (tellurium) (chalcogenide element) and a metal element, which ionize, such as a Zr (zirconium).例文帳に追加

イオン源層１７Ｂは、Ｓ（硫黄），Ｓｅ（セレン）およびＴｅ（テルル）（カルコゲナイド元素）などのイオン伝導材料およびＺｒ（ジルコニウム）などのイオン化する金属元素と共に、添加元素としてＯ（酸素）を含有している。 - 特許庁

The ion sensor is comprises an ion responsive field effect transistor (ISFET) 10, having a gate electrode for taking out the back gate photocurrent Ibp generated in between a back gate B and a source S and between the back gate B and the drain D, and photocurrents Isp and Idp generated in the source S or the drain D are corrected by using the back gate photocurrent Ibp.例文帳に追加

バックゲートＢとソースＳとの間、およびバックゲートＢとドレインＤとの間に発生するバックゲート光電流Ｉｂｐを取り出すためのゲート電極Ｇを持つイオン感応性電界効果トタンジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０よりなるイオンセンサであって、バックゲート光電流Ｉｂｐを用いて、ソースＳやドレインＤにおいて発生する光電流Ｉｓｐ，Ｉｄｐを補正することを特徴とする。 - 特許庁

This ion source device S comprises a discharge means 3 for discharging, a discharge chamber 1 having an opening 12 and holding plasma generated by discharging, and an extraction electrode 6 for extracting ion beam from plasma by closing the opening 12 of a discharge chamber 1.例文帳に追加

本発明のイオン源装置Ｓは、放電を行うための放電手段３と、開口１２を有し放電によって生成されるプラズマを保持する放電室１と、放電室１の開口１２を塞ぎプラズマからイオンビームを引出すための引出電極６とを備えている。 - 特許庁

The electrochemical power generation device includes a thin membrane containing a positive electrode and a positive current collector, a host metal sheet intended to later on constitute a negative electrode, an electrolyte having alkali ion conductivity, and a source of alkali ions.例文帳に追加

電気化学的発s電装置は、正極及びその集電体を含む薄膜と、後に負極を構成することを意図されたホスト金属シートと、アルカリイオンに対して伝導性を有する電解質と、アルカリイオン源とを備えている。 - 特許庁

The method for producing flash memory cell is provided with steps such as step for sequentially forming a pad oxide film 22 and a pad nitride film 23 on a wafer 21, and step for performing a source ion implantation process after the pad nitride film in the area planned to form a source S is removed.例文帳に追加

本発明に係るフラッシュメモリ素子の製造方法は、半導体基板２１上にパッド酸化膜２２及びパッド窒化膜２３を順次形成し、ソースＳ形成予定領域の前記パッド窒化膜を除去した後、ソースイオン注入工程を行う段階等の段階を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21.例文帳に追加

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。 - 特許庁