lightly-doped-drain structureとは 意味・読み方・使い方

A lightly doped source/drain region is formed on the substrate surface between the second insulating film and the gate structure.例文帳に追加

第２絶縁膜とゲート構造物間の基板表面に低濃度ソース／ドレーン領域が形成される。 - 特許庁

The present invention reduces short channel effects but does not include a lightly doped drain region (LDD structure).例文帳に追加

本発明は、ショートチャネルの影響を低減し、薄くドープしたドレイン領域（ＬＤＤ構造）を有さない。 - 特許庁

To limit the formation region for an LDD(lightly doped drain) structure and prevent an increase in the space factor of a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＬＤＤ構造の形成領域を制限して半導体基板の占有面積の増加を防止する。 - 特許庁

A thin-film transistor 30 on an element substrate 10 has: a bottom gate structure; and a GOLD structure including a channel region 1g, a lightly-doped source region 1b, a lightly-doped drain region 1c, a heavily-doped source region 1d and a heavily-doped drain region 1e in an island-like semiconductor film 1a formed of a polysilicon film.例文帳に追加

素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。 - 特許庁

To form a number of small thin film transistors having an accurate LDD (lightly doped drain) structure in an arrangement on a substrate for use in a liquid crystal display apparatus or the like.例文帳に追加

液晶表示装置等に用いるため、微小かつ多数の精度のよいＬＤＤ構造の薄膜トランジスタを基板上に配列して形成する。 - 特許庁

To improve hot carrier resistance, and to improve frequency characteristics by reducing gate/drain capacitance in a high frequency region in an MOS transistor having an LDD(lightly-doped drain) structure.例文帳に追加

ＬＤＤ（ライトリィ・ドープト・ドレイン）構造を有するＭＯＳ型トランジスタにおいて、ホットキャリア耐性を向上させると共に、高周波領域でのゲート−ドレイン間容量の低減により周波数特性を改善する。 - 特許庁

A substrate is doped being inclined by 30-60° with respect to a direction of irradiation to form a self-aligned impurity region (Lov) of low concentration that overlaps a gate electrode, and thus to form a TFT having a GOLD (gate-drain overlapped lightly doped drain) structure.例文帳に追加

本発明は、基板を照射方向に対して３０°〜６０°傾けてドーピングを行い、ゲート電極と重なる低濃度不純物領域（Ｌｏｖ）を自己整合的に形成してＧＯＬＤ構造を備えたＴＦＴを作製することを特徴とする。 - 特許庁

To reduce a leak current at an emitter/base junction and base resistance in a bipolar transistor which is suited for constructing an integrated circuit along with a CMOS type transistor of an LDD (Lightly Doped Drain) structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＣＭＯＳ型トランジスタと共に集積回路を構成するに好適なバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ−ベース間接合リーク電流及びベース抵抗を低減する。 - 特許庁