liquid crystal on siliconとは 意味・読み方・使い方

POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND SYSTEM ON PANEL例文帳に追加

多結晶シリコン薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタ、液晶表示装置およびシステムオンパネル - 特許庁

A silicon nitride film or a silicon oxide film is formed as the protective film on the liquid crystal display substrate using a catalyst CVD method.例文帳に追加

前記液晶ディスプレイ基板に触媒ＣＶＤ法を用いて、シリコン窒化膜、或いは、シリコン酸化膜を形成し保護膜とする。 - 特許庁

Finally, the n-type single crystal silicon substrate 1 is immersed into liquid HF thus removing the silicon oxide film 10 formed on the rear surface and each end face of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、ｎ型単結晶シリコン基板１を液体ＨＦに浸すことにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に形成された酸化シリコン膜１０を除去する。 - 特許庁

To improve the cell gap uniformity of a LCOS (Liquid Crystal on Silicon) type reflective liquid crystal display panel as much as possible without intervention of spacers in a pixel display section.例文帳に追加

画素表示部にスペーサーを介在させずに、ＬＣＯＳ型の反射型液晶表示パネルのセルギャップ均一性を可能な限り向上させる。 - 特許庁

The liquid crystal chopper 1 has a structure sandwiching a liquid crystal between two silicon substrates and is provided with electrodes 4 respectively on the surface and the rear of the substrates 3.例文帳に追加

液晶チョッパ１は２枚のシリコン基板間に液晶を挟んだ構造をしており、基板３の表面と裏面にそれぞれ電極４が設けられている。 - 特許庁

Then, the heat sink has a recessed housing part, and is so structured that a recessed and projected heat sink serving as the heat dissipation path of the heat from the liquid crystal panel is arranged on the bottom of the housing part for housing the liquid crystal panel and recessed and projected silicon is prepared on the back of the silicon substrate of the liquid crystal panel.例文帳に追加

そして、該ヒートシンクは凹形状の収容部を有し、液晶パネルを収容するその収容部の底面に、液晶パネルからの熱の放熱経路となる凹凸ヒートシンクを、また、液晶パネルのシリコン基板の裏面に凹凸シリコンを設けた構造を採る。 - 特許庁

Further, the pulling rate of the silicon single crystal 11 is controlled, whereby the thermal stress at a central part of the silicon single crystal 11 located on the solid-liquid interface 33 between the silicon single crystal 11 and the silicon melt 15 is controlled to be ≤50 MPa.例文帳に追加

またシリコン単結晶１１の引上げ速度を制御することにより、シリコン単結晶１１とシリコン融液１５との固液界面３３上であってシリコン単結晶１１の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 - 特許庁

In the method for producing the crystal silicon particle 101, a silicon molten liquid is discharged in a granular state from a nozzle part at a crucible, the crystal silicon particle 101 having the steeple head part 105 segregated with impurities and being a quasi-single crystal is produced by cooling and solidifying the granular silicon molten liquid and then the steeple head part 105 on the crystal silicon particle 101 is removed.例文帳に追加

結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 - 特許庁