liquid epitaxyとは 意味・読み方・使い方

In the step S101, a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are sequentially grown on a semiconductor substrate by a liquid epitaxy method.例文帳に追加

成長工程Ｓ１０１では，半導体基板上に第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを液相エピタキシ法により順次成長させる。 - 特許庁

To inexpensively and stably produce a high-quality bulk AlN single crystal used as a substrate by an LPE (Liquid Phase Epitaxy) method of a temperature gradient system.例文帳に追加

温度勾配方式の液相ＬＰＥ法により、基板として使用可能な、高品質のバルクＡｌＮ単結晶を安価に安定して製造する。 - 特許庁

The single crystal film is produced by combining the liquid phase epitaxy action by a single crystal substrate 5, the action caused by control of crystal growth orientation by temperature gradient of a liquid phase-solid phase interface 10 and the action caused by movement of the liquid phase-solid phase interface 10 and control of wettability of the single crystal substrate 5 and the liquid phase.例文帳に追加

単結晶基板５による液相エピタキシー作用と、液相固相界面１０の温度勾配による結晶成長方位の制御による作用と、液相固相界面１０の移動と、単結晶基板５と液相のぬれ性の制御による作用とを組み合わせて作製する。 - 特許庁

A manufacturing method of a group III nitride crystal comprises a step for growing a first group III nitride crystal 2 on a base substrate 1 by liquid-phase epitaxy and a step for growing a second group III nitride crystal 3 on the first group III nitride crystal 2 by vapor-phase epitaxy.例文帳に追加

液相法により、下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程と、気相法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２上に第２のＩＩＩ族窒化物結晶３を成長させる工程とを含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。 - 特許庁

At this time, the amorphous silicon is altered into single-crystal silicon through liquid-phase epitaxy to easily form the region differing in crystal plane on the surface of the wafer for the active layer of the laminated substrate.例文帳に追加

このとき、アモルファスシリコンを単結晶シリコンに液相エピタキシーにより変質させれば、貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成できる。 - 特許庁

Then, a thin film 13 having a photoelectric effect, for example, comprising a material same to the substrate 11 is formed on the substrate 11 by a liquid phase epitaxy or the like.例文帳に追加

次いで、この導波路パターン１２を覆うようにして、基板１１上に、例えば、基板１１と同じ材料からなる電気光学効果を有する薄膜１３を、液相エピタキシャル法などによって形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive high-quality epitaxial wafer having good crystallinity by setting the maximum value of the in-plane dislocation density of a substrate used in a liquid-phase epitaxy method within an appropriate range.例文帳に追加

液相エピタキシー法において使用する基板の面内の転位密度の最大値を適正範囲に設定することで、安価で且つ結晶性が良い高品質なエピタキシャルウェハを提供することにある。 - 特許庁

To enable control of the composition gradient in the thickness direction of an epitaxial growth layer, which control is considered as a fundamental problem in a liquid phase epitaxy(LPE) and also to enable control of the melt composition, in a liquid phase epitaxial growth method and a device for performing the method.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長方法及びそれを実施する装置に関し、ＬＰＥ法に於ける基本的な問題とされているエピタキシャル成長層の厚さ方向に於ける組成勾配を制御可能とし、且つ、メルト組成を制御可能にしようとする。 - 特許庁