low temperature ashingとは 意味・読み方・使い方

To provide an additive which can easily clean at a low temperature and in a short period of time a resist film applied on an inorganic substrate, the resist film remaining after etching the resist film applied on the inorganic substrate, or the resist residue or the like remaining by performing ashing after etching the resist film.例文帳に追加

無機質基体上に塗布されたレジスト膜、または無機質基体上に塗布されたレジスト膜をエッチング後に残存するレジスト膜、あるいはレジスト膜をエッチング後にアッシングを行い残存するレジスト残渣物等を低温、短時間で容易に洗浄できるようにする添加剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid composition for removing resist which can completely remove a resist residue remaining after etching or ashing in the process of wiring a semiconductor device or a liquid crystal panel device at a low temperature in a short time and which does not corrode the wiring material or an inner wiring material.例文帳に追加

半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるエッチングまたはアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ配線材料、内部配線材料を腐食しないレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method wherein, when a resist pattern is removed by an ashing process of a low temperature RIE system, it is possible to remove a polymer in a side wall around a substrate and a bevel with a simple configuration.例文帳に追加

レジストパターンを低温ＲＩＥ方式のアッシング処理で除去する際、基板周辺の側壁部やベベル部のポリマーの除去を、簡単な構成により可能にするプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

It includes, prior to the ashing, a step of removing a surface layer or a surface modified layer deposited on the surface of the resist pattern by the processing step under a low temperature.例文帳に追加

被処理基体表面に、レジストのパターンを形成し、このレジストのパターンをマスクとして、所定の処理を行う処理工程と、アッシングにより、前記レジストのパターンを剥離するレジスト剥離工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記アッシングに先立ち、低温下で、前記処理工程によりレジストのパターンの表面に堆積された表面層あるいは、表面変質層を除去する工程を含む。 - 特許庁

To provide a jet-type microwave-excited plasma treatment device that causes low-temperature non-thermal equilibrium plasma to be stably jetted from a nozzle by microwave power at atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure to perform CVD (chemical vapor deposition), etching, or ashing using plasma on a workpiece, or material processing such as fusing, welding or surface reforming on a workpiece.例文帳に追加

大気圧下で又は大気圧付近の圧力で、マイクロ波電力により低温の非熱平衡プラズマを安定して、ノズルから吹き出させ、被加工物にプラズマを使用したＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング、アッシング、被加工物に溶断又は溶接、表面改質等の材料プロセシングを行う吹き出し形マイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resist stripping liquid composition with which a resist residue remaining after dry etching or ashing in a wiring step of a semiconductor device such as an IC and an LSI or a liquid crystal panel device can be completely removed at a low temperature in a short time and influences with time are less such as increase in corrosion in an oxide film or a metal wiring material.例文帳に追加

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を低温、短時間で完全に除去でき、酸化膜や金属配線材料への腐食増大などの経時変化による影響の少ないレジスト剥離組成物を提供すること。 - 特許庁

This quantitative analyzing method of a very small amount of a metal element being a harmful substance such as lead or cadmium in the resin material has a process for decomposing a target substance in vitreous carbon by an oxidizing acid, a process for removing organic matter by low temperature ashing and a quantifying process for subsequently quantifying residual metal impurities.例文帳に追加

本発明の金属属元素の定量分析方法は、樹脂材料中に存在する鉛やカドミウムなどの有害物質微量金属元素を測定する方法であって、対象物質をガラス状カーボン内にて酸化性酸により分解する工程と、低温灰化により有機物を除去する工程と、次いで残存する金属不純物を定量する定量工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist stripper which can rapidly and easily strip a photoresist membrane applied on a substrate, a photoresist layer remaining after etching of the photoresist membrane applied on the substrate or the photoresist residues etc., remaining by performing ashing after etching of the photoresist film at a low temperature, permits microfabrication of various kinds of the materials and permits manufacturing of circuit wiring of high accuracy.例文帳に追加

基板上に塗布されたフォトレジスト膜、または基板上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはフォトレジスト層をエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残査物等を低温でかつ短時間で容易に剥離でき、その際種々の材料を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高精度の回路配線を製造できるフォトレジスト剥離剤を提供すること。 - 特許庁