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memory cell Sとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 免疫記憶細胞、メモリー細胞
「memory cell S」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 27件
Access for s memory cell section being not operated normally is prohibited in accordance with the result.例文帳に追加
その結果に応じて正常に動作しないメモリセル部へのアクセスが禁止される。 - 特許庁
Each memory cell 110 includes the storage element P and a selector S for selecting the storage element P.例文帳に追加
各メモリセル110は記憶素子Pと、記憶素子Pを選択するセレクタSとを有する。 - 特許庁
When the memory cell S that is deeply depleted by erasing exists, the drain voltage of the memory cell S is raised, by lowering the voltage of the word line to a negative voltage, and the writing is permitted.例文帳に追加
消去時に深くデプリートしたメモリセルSが存在する場合、ワード線の電圧を負電圧まで下げることにより、メモリセルSのドレイン電圧が上昇し、書き込みが可能となる。 - 特許庁
In s memory cell array 1, a memory cell range being a unit of data erasion is made one block, assembly of blocks of one to plural is made one core and plural cores are arranged.例文帳に追加
メモリセルアレイ1は、データ消去の単位となるメモリセル範囲を1ブロックとし、1乃至複数のブロックの集合を1コアとして複数コアが配列される。 - 特許庁
At the last, when a memory cell in the memory array is defective as a result of the discrimination process in a replacement process S 60, it is replaced by a nondefective redundant memory cell in the redundant memory array.例文帳に追加
最後に、置換工程S60において、判定工程の判定結果により、メモリアレイ中のメモリセルが不良品のときには、冗長メモリアレイ中の良品の冗長メモリセルに置き換える。 - 特許庁
To provide an information storing device in which quantity of time for detecting s resistance state of a memory cell.例文帳に追加
メモリ・セルの抵抗状態を検知するための時間量を低減した情報記憶デバイスを提供する。 - 特許庁
On a polysilicon film 4 on a semiconductor substrate 1, a resist pattern 5a of a line shape is formed in a memory cell region S, and a dummy resist pattern 5b is formed on a region P excepting the memory cell region S.例文帳に追加
半導体基板1上のポリシリコン膜4上において、メモリセル領域Sではライン状のレジストパターン5aが形成され、メモリセル領域S以外の領域Pではダミーのレジストパターン5bが形成される。 - 特許庁
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「memory cell S」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 27件
A sense amplifier S/A compares a voltage generated by a current flowing through a selected memory cell MC with a reference voltage.例文帳に追加
センスアンプS/Aは、選択メモリセルMCに流れる電流により生じる電圧を参照電圧と比較する。 - 特許庁
And a local source LSI is charged through a memory cell S, and word line voltage VWW for write is supplied to the selection word line S-WL.例文帳に追加
そして、メモリセルSを介して、ローカルソースLS1をチャージし、選択ワード線S−WLに書き込み用ワード線電圧VWWを供給する。 - 特許庁
By controlling a signal applied to a drain D, a control gate CG, and a source S, this memory cell is operated as the OTP or the MTP.例文帳に追加
そして、ドレインDとコントロールゲートCGとソースSに印加する信号を制御することにより、このメモリセルをOTPまたはMTPとして動作させる。 - 特許庁
The first memory cell C-T1 connecting to the first selective transistor S-T1 has a central transistor parallel connecting to drains and commonly connecting to sources while the second memory cell C-T2 connecting to the second selective transistor S-T2 has another central transistor also parallel connecting to drains and commonly connecting to sources.例文帳に追加
第1のメモリセルC T1は第1の選択トランジスタS T1に接続され、ドレインが並列に接続され、ソースが共通に接続されたセルトランジスタを有し、第2のメモリセルC T2は第2の選択トランジスタS T2に接続され、ドレインが並列に接続され、ソースが共通に接続されたセルトランジスタを有する。 - 特許庁
Thus, by securing the memory current required for reading at verifying, the reliability of data reading is improved even for the memory cell S deteriorated by rewriting of data.例文帳に追加
それにより、読み出しに必要なメモリ電流をベリファイ動作において確保することにより、データ書き換えにより劣化したメモリセルSであってもデータ読み出しの信頼性を向上させることができる。 - 特許庁
A data input buffer 13 and block B1 inverters TF1, TF2 of the block B1 are functioned as a buffer for write-in in a memory cell S of a block B2 of a block B2 and data is written.例文帳に追加
ブロックB2のメモリセルSにはデータ入力バッファ13とブロックB1のインバータTF1,TF2とが書き込み用バッファとして機能してデータが書き込まれる。 - 特許庁
In a memory cell S of a block B3, the data input buffer 13 and inverters TF1, TF2 of the block B1, B2 are functioned as a buffer for write-in and data are written.例文帳に追加
ブロックB3のメモリセルSには、データ入力バッファ13、ブロックB1,B2のインバータTF1,TF2がデータ書き込み用バッファとして機能してデータが書き込まれる。 - 特許庁
By referring to the data showing correspondence relation between the temperatures of the fuel cell stack 12 and the target concentration of the methanol water solution S in the memory 78, the target concentration of the methanol water solution S is determined based on the temperatures of the fuel cell stack 12 detected by the temperature sensor 68.例文帳に追加
メモリ78内の燃料電池セルスタック12の温度とメタノール水溶液Sの目標濃度との対応関係を示すデータを参照して、温度センサ68によって検出された燃料電池セルスタック12の温度に基づいてメタノール水溶液Sの目標濃度を決定する。 - 特許庁
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