miscutとは 意味・読み方・使い方

METHOD AND SYSTEM FOR PERFORMING EPITAXIAL PROCESS ON MISCUT BULK SUBSTRATE例文帳に追加

ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム - 特許庁

The miscut angle is within the scope of 0.1 to 0.5°, and the distance between the level differences is within the scope of 1 to 250 nm.例文帳に追加

ミスカット角度は０．１度から０．５度の範囲内にあり、段差間の間隔は１から２５０ｎｍの範囲内にある。 - 特許庁

In addition, the Si feature having miscut angles can be formed, as a result, level differences are formed in the plane of the Si feature.例文帳に追加

また、Ｓｉフィーチャはミスカット角度を有して形成され得え、その結果、Ｓｉフィーチャの平面内に段差が形成される。 - 特許庁

The method includes immersing a substrate having a miscut surface into a reaction solution containing a precursor compound for a perovskite-type ferroelectric and water, and implementing a hydrothermal reaction in the reaction solution at a temperature lower than the phase transition temperature of the perovskite-type ferroelectric, thereby a perovskite-type ferroelectric layer is formed on the miscut surface of the substrate.例文帳に追加

ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液に、ミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応液を水熱合成することにより、基板のミスカット表面上にペロブスカイト型強誘電体層が形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming an (Al, Ga, In)N thin film on a Ga-face c-plane (Al, Ga, In)N substrate using a c-plane surface with a miscut toward the m-direction at least 0.35°.例文帳に追加

ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁