mqwとは 意味・読み方・使い方

The AlGaAs-based MQW active layer 5 is different from the AlGaInP based MQW active layer 12 in layer thickness, material, and carrier density.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５とＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２とは、層厚、材料およびキャリア濃度が互いに異なっている。 - 特許庁

A p-type InP clad layer 4 with Mg doped, an InGaAsP light confinement layer 5, an InGaAsP MQW active layer 6, an n-type InGaAsP light confinement layer 7, and an n-type InP clad layer 8, are sequentially stacked thereon.例文帳に追加

その上に、Mgをドープしたｐ型InPクラッド層４、InGaAsP光閉込層５、InGaAsP MQW活性層６、ｎ型InGaAsP光閉込層７、ｎ型InPクラッド層８を順次積層した構造とする。 - 特許庁

Thus, basic absorption in the MQW wavelength control layer 16 can be reduced and the refraction factor change can be enlarged in the MQW wavelength control layer 16 caused by the current injection.例文帳に追加

これにより、ＭＱＷ波長制御層１６の基礎吸収が小さく、電流注入によるＭＱＷ波長制御層１６の屈折率変化を大きくすることができる。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element in an MQW diffraction grating structure to be used mainly for a gain coupling DFB laser, the well layer of an MQW-A is made thicker than that of the well layer of an MQW-B so that the rate of a gain coupling coefficient to a refractivity coupling coefficient can be increased.例文帳に追加

主に利得結合ＤＦＢレーザに用いられるＭＱＷ回折格子構造の半導体発光素子において、ＭＱＷ−Ｂの井戸層に対してＭＱＷ−Ａの井戸層を厚く形成することにより、屈折率結合係数に対する利得結合係数の割合を大きくする。 - 特許庁

An optical semiconductor amplifier 102 has a compressor strain MQW active layer and is dependent on a polarized wave.例文帳に追加

光半導体アンプ１０２は、圧縮歪みＭＱＷ活性層を持ち、偏波依存性がある。 - 特許庁

In a TTG-DFB-LD including an MQW wavelength control layer 16 wherein a refraction factor is changed by a current injection, the effective forbidden bandwidth of the MQW wavelength control layer 16 becomes greater than energy of light generated in an MQW active layer 20 just by a value of ≥40 meV and <60 meV.例文帳に追加

電流注入により屈折率が変化するＭＱＷ波長制御層１６を有するＴＴＧ−ＤＦＢ−ＬＤにおいて、ＭＱＷ波長制御層１６の実効的な禁制帯幅が、ＭＱＷ活性層２０で発生した光のエネルギーよりも４０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未満の値だけ大きくなっている。 - 特許庁

To provide a quantum well type optical detector so designed that only by adding a simple alteration to a structure of the quantum well type optical detector for selectively operating a plurality of laminated MQW layers, and optical absorption in a non-selected MQW layer is not influenced by light incident on a selected MQW layer.例文帳に追加

量子井戸型光検知器に関し、積層された複数のＭＱＷ層を選択的に動作させる量子井戸型光検知器の構造に簡単な改変を加えるのみで、選択したＭＱＷ層への光入射が非選択のＭＱＷ層に於ける光吸収が影響を与えないようにする。 - 特許庁

The semiconductor laser has an InP substrate 2 and an SCH deformed MQW active layer 3 provided on the InP substrate 2, wherein an isolated groove 11 is formed by removing part of the SCH deformed MQW active layer 3 and a material 12 different from an MQW25 of the SCH deformed MQW active layer 3 is embedded in the isolated groove 11.例文帳に追加

ＩｎＰ基板２と、ＩｎＰ基板２上に設けられたＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３とを有し、ＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３の一部が除去されて分離溝１１が形成され、分離溝１１にＳＣＨ歪ＭＱＷ活性層３のＭＱＷ２５と異なる材料１２が埋め込まれた。 - 特許庁