overall etchingとは 意味・読み方・使い方

To provide a plasma processing device allowing minimizing of the overall size of the device even with a large diameter of a reactor and minimizing running costs even when etching an oxide film formed on a sample.例文帳に追加

反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくでき、また試料に設けた酸化膜をエッチングする場合でも、ランニングコストが可及的に少ないプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, plasma with overall uniformity is formed in the process chamber 40, so that the occurrence of failures for etching rate, linewidth, uniformity, etc., of the wafer to be processed can be prevented.例文帳に追加

従って、工程チャンバ４０の内部に全体的に均一なプラズマを形成することで、工程対象ウェハのエッチング率、線幅及び均一度等の要素に不良が発生することを防止することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the element isolation film comprises the steps of forming a trench in the substrate by using a photosensitive film pattern as an etching mask, then forming a thermal oxide film on the overall surface of the substrate, and then forming a thin nitride film liner on the oxide film.例文帳に追加

および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。 - 特許庁

In a parallel plate type etching device, as a diameter of a wafer is increased, there is a trend of enlarging an interval between upper and lower electrodes 5 and 3 to make a pressure on the wafer uniform, and a plasma is spread in an overall reaction chamber 1.例文帳に追加

平行平板型のエッチング装置ではウエハの大口径化に伴いウエハ上の圧力均一化のため、上下電極間（５，３）の間隔が広がる傾向にあり、プラズマは反応室１全体に広がる。 - 特許庁

A poly-crystalline silicon film 5 is formed on the overall face of a semiconductor substrate 1, and the patterning of the poly-crsytalline silicon film 5 is carried out by using a photo-lithography technology and an etching technology so that a gettering site 5a can be formed in a scribe region R3.例文帳に追加

半導体基板１上の全面に多結晶シリコン膜５を成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて多結晶シリコン膜５をパターニングすることにより、スクライブ領域Ｒ３にゲッタリングサイト５ａを形成する。 - 特許庁

After forming a lower electrode and an interlayer dielectric (first insulating film) , a capacitive opening region (first opening) is formed and a second insulating film is deposited to form a sidewall on the sidewall of the first opening by overall etching.例文帳に追加

半導体基板上に下部電極および層間絶縁膜（第１の絶縁膜）を形成した後、容量開口領域（第１の開口部）を形成し、第２の絶縁膜を堆積して全面エッチングにより、第１の開口部の側壁にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

The manufactured surface treated copper foil is excellent overall in the requirement characteristics as the copper foil, such as the strength of adhesion to the substrate, heat resistant strength of adhesion, chemical resistance, and etching, and is particularly suitable as the copper foil for the microfabrication circuit substrate.例文帳に追加

製造された表面処理銅箔は、基板との接着強度及び耐熱接着強度、耐薬品性、エッチング性等の銅箔としての要求特性が全般的に優秀で、微細回路基板用銅箔として非常に適している。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which does not alter the overall etching characteristics of a substrate to be processed even if the bias power being applied to a wafer is partially divided and applied to a focus ring by controlling the bias power being applied to a wafer not to be affected but is kept constant.例文帳に追加

ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁