oxygen ashingとは 意味・読み方・使い方

Remaining resist is subject to ashing for a comparatively long period of time employing the oxygen plasma.例文帳に追加

残ったレジストは、酸素プラズマを用いて比較的長時間にわたりアッシングされる。 - 特許庁

Next, the photoresist 5 is removed by ashing treatment using oxygen gas plasma 7.例文帳に追加

次に、酸素ガスプラズマ７を用いたアッシング処理によって、フォトレジスト５を除去する。 - 特許庁

After transfer, the first substrate is reutilized by removing residues by ashing the surface of the substrate with oxygen.例文帳に追加

また、転写後の基板表面を酸素アッシングして残渣を除去し、基板を再利用する。 - 特許庁

Since oxygen radicals do not contribute toward ashing an altered hardened layer, the concentration of oxygen radicals is kept high up to T2.例文帳に追加

そして、酸素ラジカルは変質硬化層のアッシングには寄与しないので、酸素ラジカル濃度は高いままＴ２まで至る。 - 特許庁

The resist processing apparatus and a resist processing method are constituted in such a way that processing is implemented by a first process of ashing chiefly taking oxygen ion and a second process of ashing chiefly taking oxygen radical.例文帳に追加

酸素イオンを主体としたアッシングの第一の工程と酸素ラジカルを主体としたアッシングの第二の工程によって処理を行うレジスト処理装置およびレジスト処理方法。 - 特許庁

While the ashing of the bulk part is carried out, the concentration of oxygen radicals is kept low because oxygen radicals are consumed.例文帳に追加

バルク部のアッシングを行っている間は、酸素ラジカルが消費されているので、酸素ラジカル濃度は低くなった状態を保つ。 - 特許庁

In the resist film ashing process for lower electrode processing in the MIM capacitor, the proportion of the oxygen gas for ashing at the predetermined temperature without a bias is set to the proportion of the oxygen at which the oxidation amount of a first metal film is independent of the ashing time.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの下部電極加工のレジスト膜アッシング工程において、バイアス無しで所定の温度で行う際の酸素ガスの割合が、第１の金属膜の酸化量がアッシングする時間に依存しない酸素の割合以下に設定する。 - 特許庁

Next, the wafer is mounted in a plasma ashing device and the etching mask 118 is removed by oxygen plasma.例文帳に追加

次に、ウエハーをプラズマアッシング装置に導入し、酸素プラズマによってエッチングマスク１１８を除去する。 - 特許庁