photo-resist orとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for removing a residual substance after photo resist peeling conforming to the definition of a metal or via pattern.例文帳に追加

金属パターン又はビアパターンの定義に適合するフォトレジスト剥離後の残留物質を除去する方法を提供する。 - 特許庁

Then, a mask layer 102 such as a photo-resist layer or a diffusion barrier layer is formed on the heat-resistant metal oxide layer 101.例文帳に追加

特定の範囲の抵抗値を付与するために、抵抗を形成すべき前記耐熱性金属酸化物層の選択した部分に水素処理を行う。 - 特許庁

To provide a photo acid generator, one component of a chemical amplification photo resist which has spectral sensitivity in the visible light region, especially argon laser light (488 nm or 514 nm) and can improve workability.例文帳に追加

可視域に、特にアルゴンレーザー光（４８８ｎｍ又は５１４ｎｍ）に分光感度を持ち、作業性を向上できる化学増幅系フォトレジストの一成分系光酸発生剤を提供するものである。 - 特許庁

Unnecessary parts without a trench in an unequal pattern formed on the photo resist 7 are covered with a cover resist 8 or 8' to form a normal and unequal-pitch deep trench pattern.例文帳に追加

フォトレジスト７に形成された均等なパターンの内、トレンチを形成しない不要な部分をカバーレジスト８又は８′で被覆して通常の不均等なピッチのディープトレンチパターンを形成する。 - 特許庁

The photosensitive resin composition which demonstrates such an effect is suitably usable for a highly sensitive photo curing material or a resist material or the like for instance.例文帳に追加

かかる効果を奏する本発明の感光性樹脂組成物は、例えば、高感度の光硬化材料やレジスト材料等に好適に用いることができる。 - 特許庁

The photo mask 3 is constituted of a pattern 3a which is formed on a region where the resist 2 is to be eliminated and has line width more than or equal to resolution limit and a pattern 3b having line width rougher than or equal to the resolution limit.例文帳に追加

フォトマスク３は、レジスト２を除去しようとする領域に形成した解像限界以上の線幅のパターン３ａと、解像限界以下の線幅のパターン３ｂとからなる。 - 特許庁

To provide a laminated film suitable for a dry film photo resist (DFR) or so called a coverless DFR which satisfies the transparency capable of being used for a high resolution DFR, UV transmission property and handling property (slippage), eliminates a process for providing a protective film on a photo resist layer and contributes to the reduction of an industrial waste.例文帳に追加

高解像度ＤＦＲに使用し得る透明性、ＵＶ透過性と取扱い製（滑り性）を満足し、フォトレジスト層の上に保護フィルムを設ける工程を省略し、かつ産業廃棄物の軽減に寄与するドライフィルムフォトレジスト（ＤＦＲ）、いわゆるカバーレスＤＦＲに有用な積層フィルムを提供する。 - 特許庁

A chemically amplified resist material comprising a base resin and a photo acid generator having sensitivity at the wavelength of patterning exposure; wherein, the chemically amplified resist material further comprising an activator that generates an acid or a radical by a treatment other than the patterning exposure.例文帳に追加

基剤樹脂と、パターニング露光の波長に感度を有する光酸発生剤とを含むレジスト材料であって、当該パターニング露光とは別の処理により酸又はラジカルを発生する活性剤を更に含む化学増幅レジスト材料とする。 - 特許庁