「photo-resist or」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The concentration of H_2O_2 in a SPM solution other than the time of cleaning a substrate 1 (removing the photo resist film) is controlled at a first concentration or above which is the minimum capable of removing at least a part of the photo resist film.例文帳に追加

基板１の洗浄（フォトレジスト膜の除去）時以外のＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度は、フォトレジスト膜の少なくとも一部を除去できる最低限の第１濃度以上で制御する。 - 特許庁

Here, the erosion-preventive plug is formed of an organic material such as photo-resist or organic polymer.例文帳に追加

この時、侵蝕防止用プラグはフォトレジストまたは有機ポリマーなどのような有機物質で形成される。 - 特許庁

To provide a method for removing a residual substance after photo resist peeling conforming to the definition of a metal or via pattern.例文帳に追加

金属パターン又はビアパターンの定義に適合するフォトレジスト剥離後の残留物質を除去する方法を提供する。 - 特許庁

Then, a mask layer 102 such as a photo-resist layer or a diffusion barrier layer is formed on the heat-resistant metal oxide layer 101.例文帳に追加

特定の範囲の抵抗値を付与するために、抵抗を形成すべき前記耐熱性金属酸化物層の選択した部分に水素処理を行う。 - 特許庁

To provide a photo acid generator, one component of a chemical amplification photo resist which has spectral sensitivity in the visible light region, especially argon laser light (488 nm or 514 nm) and can improve workability.例文帳に追加

可視域に、特にアルゴンレーザー光（４８８ｎｍ又は５１４ｎｍ）に分光感度を持ち、作業性を向上できる化学増幅系フォトレジストの一成分系光酸発生剤を提供するものである。 - 特許庁

Unnecessary parts without a trench in an unequal pattern formed on the photo resist 7 are covered with a cover resist 8 or 8' to form a normal and unequal-pitch deep trench pattern.例文帳に追加

フォトレジスト７に形成された均等なパターンの内、トレンチを形成しない不要な部分をカバーレジスト８又は８′で被覆して通常の不均等なピッチのディープトレンチパターンを形成する。 - 特許庁

The photosensitive resin composition which demonstrates such an effect is suitably usable for a highly sensitive photo curing material or a resist material or the like for instance.例文帳に追加

かかる効果を奏する本発明の感光性樹脂組成物は、例えば、高感度の光硬化材料やレジスト材料等に好適に用いることができる。 - 特許庁

The photo mask 3 is constituted of a pattern 3a which is formed on a region where the resist 2 is to be eliminated and has line width more than or equal to resolution limit and a pattern 3b having line width rougher than or equal to the resolution limit.例文帳に追加

フォトマスク３は、レジスト２を除去しようとする領域に形成した解像限界以上の線幅のパターン３ａと、解像限界以下の線幅のパターン３ｂとからなる。 - 特許庁

To provide a laminated film suitable for a dry film photo resist (DFR) or so called a coverless DFR which satisfies the transparency capable of being used for a high resolution DFR, UV transmission property and handling property (slippage), eliminates a process for providing a protective film on a photo resist layer and contributes to the reduction of an industrial waste.例文帳に追加

高解像度ＤＦＲに使用し得る透明性、ＵＶ透過性と取扱い製（滑り性）を満足し、フォトレジスト層の上に保護フィルムを設ける工程を省略し、かつ産業廃棄物の軽減に寄与するドライフィルムフォトレジスト（ＤＦＲ）、いわゆるカバーレスＤＦＲに有用な積層フィルムを提供する。 - 特許庁

A chemically amplified resist material comprising a base resin and a photo acid generator having sensitivity at the wavelength of patterning exposure; wherein, the chemically amplified resist material further comprising an activator that generates an acid or a radical by a treatment other than the patterning exposure.例文帳に追加

基剤樹脂と、パターニング露光の波長に感度を有する光酸発生剤とを含むレジスト材料であって、当該パターニング露光とは別の処理により酸又はラジカルを発生する活性剤を更に含む化学増幅レジスト材料とする。 - 特許庁

To provide a photo-setting and thermosetting resin composition and its cured product having excellent soldering heat-resistance necessary as a solder resist or a resist for package substrates, adhesiveness, electrical insulation and HAST resistance and giving a substrate having low curing shrinkage and free from warpage.例文帳に追加

ソルダーレジスト、パッケージ基板用レジストとして必要なはんだ耐熱性、密着性、電気絶縁性、ＨＡＳＴ耐性に優れ、かつ硬化収縮が少なく反りの無い基板を提供できる光硬化性・熱硬化性樹脂組成物、及びその硬化物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern with a desirous pattern resolution and line width roughness (LWR) using a positive resist composition suitable for multiple exposure in a multiple exposure process of exposing the same photo-resist film two or more times.例文帳に追加

本発明の目的は、同一のフォトレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターン解像性とライン幅ラフネス（ＬＷＲ）が良好である、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a photo mask having a minute pattern capable of thinning a resist film and a shielding film, avoiding a micro loading phenomenon generated in a pattern forming process or the collapse of a minute pattern, and obtaining a minute and accurate pattern; a photo mask blank; and a photo mask manufacturing method.例文帳に追加

微細パターンを擁するフォトマスクにおいて、レジスト膜および遮光膜の薄膜化が可能であり、パターン形成プロセスにおいて生じるマイクロローディング現象や微細パターンの倒壊を回避して、微細かつ高精度なパターンが得られるフォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Based on the rearrangement of a carbon-oxygen bond in pendant ester group of the polymer, the (photo)resist crosslinks polymer chains and does not require the addition of a supplemental photocatalyst, a photoinitiator or a crosslinking agent.例文帳に追加

ポリマーのペンダント・エステル基中の炭素−酸素結合の転位に基づき、ポリマー鎖間を架橋する、新規な（フォト）レジストは、追加の光触媒や、光開始剤、あるいは架橋剤の添加を必要としない。 - 特許庁

The negative resist composition contains (A) an alkali-soluble resin, (B) a compound having two or more vinyl structures in a molecule and (C) a photo-cationic polymerization initiator.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）分子内にビニル構造を２つ以上持つ化合物、（Ｃ）光カチオン重合開始剤、を含有することを特徴とする、ネガ型レジスト組成物。 - 特許庁

The remaining film percentage can be adjusted to 40 to 85% by using a photo resist containing polyhydroxy styrene or to 60 to 85% by using a mask having a transmissivity of 10 to 30%.例文帳に追加

ポリヒドロキシスチレンを含むフォトレジストを利用して残膜率を４０％ないし８５％に調節でき、透過率１０％ないし３０％のマスクを利用して残膜率を６０％ないし８５％に調節できる。 - 特許庁

An n-type impurity 5 such as phosphorous or the like is introduced into the upper surface of a silicon substrate 1 by using the photo resist 4 as an injection mask by ion implantation.例文帳に追加

フォトレジスト４を注入マスクとして用いて、イオン注入法によって、リン等のＮ型不純物５を、シリコン基板１の上面内に導入する。 - 特許庁

The solder resist composition containing an photo-curing component and/or thermosetting component is provided by combining and containing a colored pigment and a white pigment as pigments.例文帳に追加

光硬化性成分及び／又は熱硬化性成分を含有するソルダーレジスト組成物において、顔料として着色顔料と白顔料を組み合わせて含有するソルダーレジスト組成物が提供される。 - 特許庁

Each of the radiation sensitive resist compositions contains a resin having a velocity of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of an acid, a photo-acid generating agent, a solvent and a specified alicyclic or aromatic compound.例文帳に追加

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が変化する樹脂、光酸発生剤、溶剤、及び、特定の脂環式又は芳香環式化合物を含有してなることを特徴とする感放射線性レジスト組成物。 - 特許庁

The positive resist composition contains two or more photo-acid generating agents each with a specified structure and a polymer having repeating structural units with different specified structures and also having a group which is decomposed by the action of an acid.例文帳に追加

特定構造の光酸発生剤を２種以上と異なった特定構造の繰り返し構造単位を有し、かつ酸の作用により分解する基を有する重合体を含有するポジ型レジスト組成物。 - 特許庁

In exposing during the second or a final photo resist pattern forming time, the film is exposed by an exposure amount to a degree that a part of the thinned film 18 can be removed by development.例文帳に追加

２回目又は最終回のフォトレジストパターン形成工程における露光では、薄くなったフォトレジスト膜１８部分を現像により除去できる程度の露光量で行う。 - 特許庁

A photo-resist 7 is formed in Fig.(b), and the semiconductor substrate 1 is irradiated with a light 9 and a destaticizing is conducted in Fig.(c) for removing charges 8 generated by a pure-water washing or the like.例文帳に追加

続いて、図１（ｂ）でフォトレジスト７を形成した後に、純水洗浄等で発生した電荷８を除去するために、図１（ｃ）で半導体基板１へ光９を照射して除電する。 - 特許庁

To provide a composition for peeling a photo-resist capable of reusing without the reduction of an essential peeling capability or a damage of a metallic pattern and capable of reducing an expense in a photoetching process.例文帳に追加

実質的な剥離性能の減少や金属パターンの損傷無しに再使用できて、写真エッチング工程の費用を減少させることができるフォトレジスト剥離組成物を提供する。 - 特許庁

A sufficiently thick metal thin film is deposited on a surface side including a MOS structure part, or a sufficiently thick photo resist is applied, the surface is polished for flattering, and then the other surface side is polished, thus machining a semiconductor substrate to desired thickness.例文帳に追加

ＭＯＳ構造部を含む表面側に十分厚い金属薄膜を堆積し、または十分に厚いフォトレジストを塗布し、その面を研磨して平坦化した後に、他方の面側を研磨して半導体基板を所望の厚さに加工する。 - 特許庁

To form a coating film more flat, with respect to the coating method of the coating liquid to apply the coating liquid, such as resist, SOG (spin-on-glass), polyimide or the like, on a substrate, such as a semiconductor substrate, a photo mask, an LCD (liquid crystal display) substrate.例文帳に追加

半導体基板、フォトマスク、ＬＣＤ基板等の基板上にレジスト、ＳＯＧ、ポリイミド等の塗布液を塗布するための塗布液の塗布方法について、塗布膜をより平坦に形成すること。 - 特許庁

To provide a negative resist material, in particular a chemical amplitude negative resist material, which has a high contrast of alkali dissolution rate before and after light exposure, has a high resolution at high sensitivity and small line edge roughness and is especially suitable as a fine pattern forming material in manufacturing a super LSI or in manufacturing a photo mask pattern material and to provide a pattern formation method and a photomask blank using the negative resist material.例文帳に追加

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

The photo-soldering resist composition obtained by emulsifying a photo-curable composition comprising (A) an acidic group-containing resin, (B) a reactive prepolymer and/or a reactive monomer and (C) a photopolymerization initiator by incorporating (D) a variable surfactant into the composition, is characterized in that it further contains (E) a silane and/or imidazole coupling agent.例文帳に追加

（Ａ）酸性基含有樹脂、（Ｂ）反応性プレポリマーおよび／または反応性モノマーおよび（Ｃ）光重合開始剤を含む光硬化性組成物に、（Ｄ）可変性界面活性剤を含有させてエマルジョン化されたフォトソルダーレジスト組成物であって、さらに（Ｅ）シラン系および／またはイミダゾール系カップリング剤が含有されていることを特徴とするフォトソルダーレジスト組成物。 - 特許庁

This actinic light-curing type resist ink is a mixture, or partially or wholly reacted material of (A) an epoxy compound having at least 2 epoxy groups in its molecule and (B) a photo-polymerizable compound having carboxyl group in its molecule.例文帳に追加

分子内に少なくとも２個のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ａ）、分子内にカルボキシル基を有する光重合性化合物（Ｂ）との混合物、あるいは部分的又は全てを反応させたプラスチック基材用活性光線硬化型レジストインキに関する。 - 特許庁

The composition for forming a photosensitive resist underlay film contains: a polymer that has an aromatic ring optionally having a hydroxyl group or a carboxyl group as a substituent or has a heterocycle having at least one nitrogen atom; a crosslinking compound; a photoacid generator; a photo-radical polymerization initiator; and an organic solvent.例文帳に追加

ヒドロキシ基若しくはカルボキシル基を置換基として有してもよい芳香環又は窒素原子を少なくとも１つ有する複素環を有するポリマー、架橋性化合物、光酸発生剤、光ラジカル重合開始剤及び有機溶剤を含む、感光性レジスト下層膜形成組成物。 - 特許庁

To provide a curable resin which gives a curable resin composition which is curable at low temperatures, can be developed with an aqueous dilute alkali solution by a photo method, and is suitable as a solder resist for a printed circuit board or as an interlayer insulation film for a build-up substrate or a chip mounted substrate.例文帳に追加

低温硬化性で、フォト法による希アルカリ水による現像が可能で、プリント配線板のソルダーレジストやビルドアップ基板やチップ実装基板用の層間絶縁膜として好適な硬化性樹脂及び組成物を提供する。 - 特許庁

The obtained resist material 250 thereby has a tuned concentration of a photo-acid generator component 254 and/or a tuned concentration of a quencher component 256 and/or a tuned acid mobility to reduce watermark defects on the lithographically processed device.例文帳に追加

これにより得られたレジスト材料２５０は、上記リソグラフィー処理されたデバイスのウオータマーク欠陥を低減するように、調整された光酸発生剤成分２５４の濃度、及び／又は調整されたクェンチャー成分２５６の濃度、及び／又は調整された酸移動性を備える。 - 特許庁

To provide a photo-curable or thermosetting resin composition which has high flame retardancy passing UL combustion test, is excellent in bleed-out resistance, flexibility, folding resistance, adhesiveness, heat resistance, moisture resistance, and insulating property, and is suitable for an interlayer insulated resin for printed wiring boards, a solder resist capable of being developed with an alkali aqueous solution, or the like.例文帳に追加

ＵＬ燃焼試験に合格する高難燃性、耐ブリードアウト性、柔軟性、耐折性、密着性、可撓性、耐熱性、耐湿性、絶縁性に優れ、プリント配線板の層間絶縁樹脂やアルカリ水溶液で現像可能なソルダーレジスト等に好適な光硬化性・熱硬化性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

The water-base photo-solder resist composition contains (A) an aqueous solution obtained by neutralizing a linear or branched polyurethane resin containing a radical polymerizable group and a carboxyl group with a base, (B) an inorganic filler and (C) a photo-curable mixture comprising a polyfunctional acrylic monomer (c1), a compound (c2) having a cyclic ether group other than a glycidyl group and a photopolymerization initiator (c3).例文帳に追加

（Ａ）ラジカル重合性基とカルボキシル基とを含有する線状又は分岐ポリウレタン樹脂を塩基で中和して得られる水溶液、（Ｂ）無機フィラー、（Ｃ）多官能性アクリルモノマー（ｃ１）、グリシジル基以外の環状エーテル基を有する化合物（ｃ２）、および光重合開始剤（ｃ３）からなる光硬化性混合物を含む水性フォトソルダーレジスト組成物。 - 特許庁

A resist pattern is formed by usual photo-lithography or the like, then the indium tin oxide thin film is etched with an etching solution to form an indium tin oxide thin film pattern having a good tapered shape in the etched cross section.例文帳に追加

つぎに、通常のフォトリソグラフィー等の方法でレジストパターンを形成し、エッチング液により酸化インジウム錫薄膜をエッチングすると、エッチング断面に良好なテーパー形状を有する酸化インジウム錫薄膜パターンが形成される。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing process, an organic reflection preventing film provides selectivity for a lower layer and/or minimizes the etching speed in the lateral direction of photoresist of an upper layer which maintains a critical dimension determined by a photo resist.例文帳に追加

半導体製造プロセスであって、このプロセスは、有機反射防止膜が、下層に対して選択性を与え、及び／又は、フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する上層のフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device in which the line width or the like of a resist pattern really formed in a photo-lithography process can be precisely measured and a desired circuit pattern can be finally formed after etching.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程で実際に形成されたレジストパターンの線幅等を精密に測定でき、エッチング処理後において最終的に所望の回路パターンを形成することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The resist composition contains: a base material component (A) of which the solubility in an alkali developing solution varies by an action of an acid; a fluoro-alkyl-substituted sulfonium salt type photo-acid generator (B); and a compound (D) expressed by general formula (d1) or general formula (d2).例文帳に追加

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、フッ素アルキル置換スルホニウム塩型光酸発生剤（Ｂ）、一般式（ｄ１）又は一般式（ｄ２）で表される化合物（Ｄ）を含有するレジスト組成物。 - 特許庁

Further, by using a negative type resist containing a resin having one or more photo-crosslinking functional groups selected from among styryl pyridinium group and styryl quinolium group in one part of side chains of the resin having phenolic hydroxide group, a high-sensitivity negative type photosensitive resin composition may be preferably obtained without injuring electric characteristics.例文帳に追加

さらには該フェノール性水酸基の側鎖としてスチリルピリジニウム基またはスチリルキノリウム基から選ばれる１種以上の光架橋性の官能基を有するものとすると、電気特性を損なうことなく高感度なネガ型感光性樹脂組成物が得られるため好ましい。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of piezoelectric substrates for mass-producing the piezoelectric substrates with excellent yield by using a simple wet plating method to make a metallic thin film thick without the need for using a special photo resist so as to avoid pin-holes and cracks or the like and performing the photolithography and the etching.例文帳に追加

特殊なフォトレジストを用いることなく、簡単な湿式メッキ法を用いて金属薄膜を厚膜化することによりピンホール、クラック等を解消した上で、フォトリソグラフィ、及びエッチングを実施して歩留まりよく圧電基板を量産することができる圧電基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A battery can 1 is formed into a rectangular shape using a metal plate, such as aluminum copper, iron, stainless steel or brass, and by way of plastic working such as deep drawing; and then on the outer surface, a convex-concave portion 1a is formed by chemical etching using photo-resist.例文帳に追加

アルミニウム、銅、鉄、ステンレス鋼、黄銅等からなる金属製電池缶１を、深絞り加工等の塑性加工により矩形形状に加工した後、その外側面に凹凸部１ａをフォトレジストを用いた化学エッチングにより形成した。 - 特許庁

To provide a method for processing an LSI for flip chip formed with copper wiring or copper containing wiring and having solder balls, by which the solder balls can be covered with a photo resist after forming the solder balls on the LSI chip, wires in a substrate, can be processed, and also the LSI device packaging.例文帳に追加

半田ボールを有し、銅配線又は銅を含む配線で形成されたフリップチップ用ＬＳＩにて半田ボールをＬＳＩチップ上に形成した後 半田ボールをフォトレジストにて覆い、基板内の配線を加工し、しかもその該当ＬＳＩを装置実装することが可能な加工方法を提供する。 - 特許庁

Next, while the pattern of the photo resist 14 is trimmed so as to be a predetermined thickness, length, the amount of protrusion L is made to be a predetermined amount or less, an etching mask of substantially L character shape is formed by etching an Si_3N_4 layer 13 making this as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジスト１４のパターンを所定の太さ、長さにトリミングするとともに、はみ出し量Ｌを所定量以下とし、これをマスクとしてＳｉ_3Ｎ_4層１３をエッチングして略Ｌ字状のエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

To provide an ink plate which is capable of printing on a substrate a mesh-like resist layer or a mesh-like conductive layer having almost right angles and a symmetrical shape at a crossing part when used for the production of an electromagnetic wave shielding layer, and also to provide a filter for a display device and a photo-conductor drum.例文帳に追加

電磁波シールド層を作製する際、基材上に形成されたメッシュ状レジスト層またはメッシュ状導電層の交差部分の形状を略直角かつ対称に形成することができるインキ版、表示装置用フィルタ、フィルタ付表示装置、および感光体ドラムを提供する。 - 特許庁

To provide a printing device which makes the shape of intersecting portion of a mesh like resist layer or a mesh like conductive layer formed on a base material, to be substantially perpendicular and symmetrical, when manufacturing an electromagnetic shield layer, and also to provide a filer for a display device, a display device with a filter, and a photo conductor drum.例文帳に追加

電磁波シールド層を作製する際、基材上に形成されたメッシュ状レジスト層またはメッシュ状導電層の交差部分の形状を略直角かつ対称にすることができる印刷装置、表示装置用フィルタ、フィルタ付表示装置、および感光体ドラムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing such a tape carrier for a semiconductor device that can suppress or eliminate the occurrence of transfer defects caused by the transition to a photo mask, of contaminations such as resist fragment or the like without using a projection optical system that is complicated in structure and difficult to manufacture, is complicated in maintenance or maintenance and controlling of use environment, and is extremely expensive and has a tendency of increased cost.例文帳に追加

構造が煩雑で製造が難しく、また保守や使用環境の整備・制御等も煩雑で、極めて高価でコスト高となる傾向にある投射光学系やその他の特殊な光学系を用いることなく、レジスト破片等の異物がフォトマスク上に転移することに起因した転写欠陥の発生を抑制ないしは解消することを可能とした、半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。 - 特許庁